[計算機硬件及網(wǎng)絡(luò)]微機原理與接口技術(shù)第05章xp(編輯修改稿)
2025-01-04 02:16 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 必須進行容量擴充 。 若芯片的數(shù)據(jù)線不足 8根： 一次不能從一個芯片中訪問到 8位數(shù)據(jù) ， 此時應(yīng)利用多個芯片擴充數(shù)據(jù)位； 這個擴充方式簡稱 “ 位擴充 ” 而如果總的容量不足 則需利用多個存儲芯片擴充容量 ， 用存儲芯片的片選端對多個存儲芯片 （ 組 ） 進行尋址； 這種擴充簡稱為 “ 地址擴充 ” 或 “ 字擴充 ” 演示 演示 2. 1KB RAM的連接 RAM芯片有 1位 、 4位 、 8位等不同的結(jié)構(gòu) 。在構(gòu)成 1KB RAM時 ， 可以選擇不同的芯片 ， 因此就有不同的連接 。 采用 1K 1位的 RAM 位擴展 2. 1KB RAM的連接 采用 256 4位的 RAM 既有字擴展，也有位擴展 兩種連接方式的比較： 這兩種連接方式雖然都可以構(gòu)成 1KB RAM， 但兩者有以下區(qū)別： 從連接的負載來看： 前一種連接每條地址線有 8個負載 （ 8片 RAM） ， 而每根數(shù)據(jù)線只連接一個負載； 后一種連接 A0~A7每根地址線也是連接 8個負載 ， 而每根數(shù)據(jù)線連接 4個負載； 因此 ， 從負載的角度來說 ， 前一種比后一種好 。 從芯片的封裝來看： 一般而言 ， 芯片封裝的引腳越多 ， 則合格率越低； 前一種每個芯片的地址數(shù)據(jù)線有 11根 ， 而后一個有 12根； 因此 ， 從芯片的封裝角度來說 ， 也是前一種比后一種好； 所以 ， 現(xiàn)代的 RAM基本上都是按位封裝的 。 2. 1KB RAM的連接 思考： 如果采用 Intel 2114， 則如何構(gòu)成 1KB RAM？ 如果所用的芯片的容量為 128 8位 ， 則又如何構(gòu)成 1KB RAM？ 圖示 圖示 3. 2KB RAM的連接 采用 Intel 2114， 構(gòu)成 2KB RAM的連接結(jié)構(gòu)圖如下所示： 63 1 0 A9 ～ A0 CS OE 2114 WE D3 ～ D0 A9 ～ A0 CS OE 2114 WE D3 ～ D0 A9 ～ A0 CS OE 2114 WE D3 ～ D0 A9 ～ A0 CS OE 2114 WE D3 ～ D0 A10~A15 A9 ～ A0 D7 ～ D0 WE RD 6 ： 64 譯碼器 D3~D0 D7~D4 D3~D0 D7~D4 3. 存儲芯片地址線的連接 芯片的地址線通常應(yīng)全部與系統(tǒng)的低位地址總線相連 尋址時 ， 這部分地址的譯碼是在存儲芯片內(nèi)完成的 ， 我們稱為 “ 片內(nèi)譯碼 ” ， 如 2114的 1K片內(nèi)地址 000H 001H 002H … 3FDH 3FEH 3FFH 全 0 全 1 00…00 00…01 00…10 … 11…01 11…10 11…11 范圍（ 16進制） A9~A0 3. 存儲芯片片選端的譯碼 而如果存儲系統(tǒng)利用多個存儲芯片擴充容量 ， 也就是進行 “ 字擴充 ” 時 ， 它擴充了存儲器地址范圍 ， 此時需要利用存儲芯片的片選端對多個存儲芯片 （ 組 ） 進行尋址； 這個尋址方法 ， 主要通過將存儲芯片的片選端與系統(tǒng)的高位地址線相關(guān)聯(lián)來實現(xiàn) ， 如下圖所示： 片選端 D7～ D0 A19～ A10 A9～ A0 1024 8 A9～ A0 D7～ D0 CE 1024 8 A9～ A0 D7～ D0 CE 譯碼器 0000000001 0000000000 3. 存儲芯片片選端的譯碼 系統(tǒng)的高位地址線與存儲芯片的片選端相連時 ， 有以下幾種譯碼方式： 全譯碼
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1