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正文內(nèi)容

微機原理與接口技術:第07章(編輯修改稿)

2024-11-15 18:04 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 作為選片控制時 , 只要 A10=0,A11~ A15可為任意值 , 都選中第一組;而只要 A10=1,A11~ A15可為任意值 , 都選中第二組 。 所以 , 它們的地址有很大的重疊區(qū) ( 每一組占有 32K地址 ) , 但在實際使用時 , 只要我們了解這一點是不妨礙使用的 。這種選片控制方式稱為線選 。 采用線選控制方式時 , 不光有地址重疊問題 , 而且用不同的地址線作為選片控制 , 則它們的地址分配也是不同的 。 在用 A11作為選片控制信號時,則這兩組的基本地址為: 第一組: 0000~ 03FFH 第二組: 0800~ 0BFFH 但是,實際上只要 A11=0, A15~ A1 A10可為任意值,都選中第一組;而只要 A11=1, A A12~ A15可為任意值都選中第二組,它們同樣有 32K的地址重疊區(qū)。 當系統(tǒng) RAM的容量大于 2K, 如 4K( 或更多 ) 時 ,若還用 Intel 2114組成 , 則必須分成 4組 ( 或更多 ) 。此時 , 顯然就不能只用 A10~ A15中的一條地址線作為組控制線 , 而必須經(jīng)過譯碼 , 可采用全譯碼方式 , 也可采用部分譯碼方式 , 如圖 714所示 。 通常的微型機系統(tǒng)的內(nèi)存儲器中,總有相當容量的 ROM,它們的地址必須與 RAM一起考慮,分別給它們一定的地址分配。 3.存儲器的讀周期 要實現(xiàn)存儲器讀必須要為 低 ( 有效 ) , 為高 ( 表示讀 ) 。 存儲器讀,只有在地址有效以后;而且是從選片有效以后,數(shù)據(jù)才穩(wěn)定輸出。 讀周期與讀取時間是兩個不同的概念 。 讀周期是表示該芯片進行兩次連續(xù)的讀操作必須間隔的時間 。故它總是大于或等于讀取時間 。 CS WE4.存儲器的寫周期 要實現(xiàn)寫操作必須要 和都 為低 。 但在地址改變期間 , 必須為高 , 否則在地址變化期間可能會有誤寫入 , 破壞內(nèi)存的狀態(tài) 。 所以 , 必須在地址有效以后過一段時間有效 , 使地址信號能夠穩(wěn)定;同樣 , 也必須在 已變?yōu)楦唠娖胶?,地址信號才允許改變 。 CS WEWEWEWE 64K位動態(tài) RAM存儲器 1. Intel 2164A的結構 每一片的容量為 64K 1位 , 即片內(nèi)共有 64K( 65536) 個地址單元 , 每個地址單元一位數(shù)據(jù) 。 用 8片 Intel 2164A就可以構成 64K字節(jié)的存儲器 。 片內(nèi)要尋址 64K, 則需要 16條地址線 , 為了減少封裝引線 ,地址線分為兩部分:行地址與列地址 。 芯片的地址引線只要 8條 , 內(nèi)部設有地址鎖存器 , 利用多路開關 , 由行地址選通信號 ( Row Address Strobe) , 把先出現(xiàn)的 8位地址 , 送至行地址鎖存器;由隨后出現(xiàn)的列地址選通信號 ( Column Address Strobe) 把后出現(xiàn)的8位地址送至列地址鎖存器 。 這 8條地址線也用于刷新( 刷新時地址計數(shù) , 實現(xiàn)一行一行刷新 ) 。 RASCAS 64K存儲體由 4個 128 128的存儲矩陣構成 。 每個 128 128的存儲矩陣 , 有 7條行地址和 7條列地址線進行選擇 。 7條行地址經(jīng)過譯碼產(chǎn)生 128條選擇線 , 分別選擇 128行; 7條列地址線經(jīng)過譯碼也產(chǎn)生 128條選擇線 , 分別選擇 128列 。 鎖存在行地址鎖存器中的 7位行地址 RA6~ RA0同時加到 4個存儲矩陣上 , 在每個矩陣中都選中一行 , 則共有 512個存儲電路被選中 , 它們存放的信
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