【總結】集成電路CAD總學分:2上課學分:(24學時)實驗學分:(16學時)什么是集成電路CAD??ComputerAidedDesign?ComputerAidedDrafting?TodayweuseComputerAidedDraftingtoolstodraweachlayerofour
2025-08-01 14:45
【總結】555時基電路應用和工作原理時間:2009-12-2815:07:12來源:作者:1?555時基電路的特點 555集成電路開始是作定時器應用的,所以叫做555定時器或555時基電路。但后來經(jīng)過開發(fā),它除了作定時延時控制外,還可用于調光、調溫、調壓、調速等多種控制及計量檢測。此外,還可以組成脈沖振蕩、單穩(wěn)、雙穩(wěn)和脈沖調制電路,用于交流信號源、電源變換、頻率變換、脈沖
2025-05-13 18:37
【總結】1第八章雙極型集成電路2內容提要?集成電路制造工藝?電學隔離?pn結隔離集成電路工藝流程?IC中的元件結構與寄生效應?TTL門電路的工作原理和基本參數(shù)?TTL門電路的改進?雙極型數(shù)字電路的版圖設計3?集成電路設計與制造的主要流程框架設計
2026-01-05 10:46
【總結】求和運算電路積分和微分運算電路對數(shù)和指數(shù)運算電路模擬乘法器及其應用有源濾波器[引言]:運算電路是集成運算放大器的基本應用電路,它是集成運放的線性應用。討論的是模擬信號的加法、減法積分和微分、對數(shù)和反對數(shù)(指數(shù))、以及乘法和除法運算。為了分析方便,把運放均視為理想器件:
2025-05-04 18:03
【總結】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用,為學習版圖設計打下基礎。(1)外延生長?外延生長為在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-04-28 22:22
【總結】555定時器及其應用555定時器用555定時器組成施密特觸發(fā)器用555定時器組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器用555定時器組成多諧振蕩器555定時器是一種應用方便的中規(guī)模集成電路,廣泛用于信號的產生、變換、控制與檢測。555定時器及其應用電阻分壓器電壓比較器基本SR鎖存器輸出緩沖反相器
2025-05-05 18:18
【總結】CMOS集成電路設計基礎-數(shù)字集成電路基礎對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關系),傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設計的期望值。(2)噪聲容限:芯片內外的噪聲會使電路的響應偏離設計的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【總結】1Chap1硅的晶體結構?自然界中的固態(tài)物質,簡稱為固體,可分為晶體和非晶體兩大類。晶體類包括單晶體和多晶體。?集成電路和各種半導體器件制造中所用的材料,主要有以下三種:(1)元素半導體,如硅、鍺;(2)化合物半導體,如砷化鎵、磷化銦;(3)絕緣體,如藍寶石、尖晶石。目前主要
2025-12-30 13:40
【總結】集成電路原理與設計重點內容總結第一章緒論摩爾定律:(P4)集成度大約是每18個月翻一番或者集成度每三年4倍的增長規(guī)律就是世界上公認的摩爾定律。集成度提高原因:一是特征尺寸不斷縮小,大約每三年縮小倍;二是芯片面積不斷增大,;三是器件和電路結構的不斷改進。等比例縮小定
2025-06-25 19:07
【總結】第三章集成電路制造工藝第三章第三章§硅平面工藝§氧化絕緣層工藝§擴散摻雜工藝§光刻工藝§掩模制版技術§外延生長工藝§金屬層制備工藝§
2025-04-30 13:59
【總結】集成電路分析與設計第一章集成電路基本制造工藝本章概要?雙極工藝流程?CMOS工藝流程?CMOS先進工藝?BiCMOS工藝流程?無源器件雙極工藝流程典型NPN管剖面圖雙極工藝流程襯底選擇(1)襯底選擇對于典型的PN結隔離雙極集成電路,襯底一
2025-12-29 01:53
【總結】集成電路后端設計簡介第一部分簡單導言集成電路的發(fā)展?集成電路(IC:IntegratedCircuit)是指通過一系列特定的加工工藝,將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容、電感等無源器件,按照一定的電路互連,“集成”在一塊半導體晶片上,并封裝在一個外殼內,執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的一種器件。?1965年,In
2025-12-29 01:54
【總結】第一章CMOS集成電路工藝基礎1、半導體材料:N型半導體:N-NN+P型半導體:P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-11 01:31
【總結】山東浪潮華光光電子股份有限公司集成電路產業(yè)狀況介紹浪潮華光任忠祥202208052山東浪潮華光光電子股份有限公司
【總結】集成電路版圖基礎——電容版圖設計光電工程學院王智鵬一、電容概述?電容器,能夠存儲電荷的器件。?單位:法拉(F)兩塊導電材料中間存在絕緣介質就會形成電容?電容充電二、MOS集成電路中的電容器MOS集成電路中的電容器幾乎都是平板電容器。平板電容器的電容表示式:C=εoε
2025-04-30 18:27