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正文內(nèi)容

cmos靜態(tài)門電路的功耗(編輯修改稿)

2025-06-16 01:37 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 低閾值邏輯電路 電路工作時導通,待機時截止 2021/6/17 PD VIL VIH Vin V out 0 VDD VDD (1) (2) (3) (4) (5) N截止 P非飽和 N飽和 P非飽和 N非飽和 P飽和 N非飽和 P截止 1. 短路電流功耗 :在輸入從 0到 1或者從 1到 0瞬變過程中,NMOS管和 PMOS管都處于導通狀態(tài),此時存在一個窄的從 VDD到 VSS的電流脈沖,由此引起的功耗叫短路電流功耗。 CL Vdd 通常(開關(guān)頻率較低時)為動態(tài)功耗的主要組成部分 2. 瞬態(tài)功耗 :在電路開關(guān)動作時,對輸出端負載電容進行放電引起的功耗。 2021/6/17 短路電流功耗 Vin Vout CL Vdd 0m a x1( 39。 ) ,39。139。2ptdp D Dpdpdp p D D r fP i V dttiPP f V I t t????假 設 交 變 電 流 的 波 形
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