cmos靜態(tài)門電路的功耗(參考版)
2025-05-15 01:37本頁面
【正文】 。 ? 晶體管數(shù)為： 輸入端 子數(shù)的 兩倍 。139。 2021/6/17 短路電流功耗 Vin Vout CL Vdd 0m a x1( 39。 Ipn=A?JS 由越過溝道區(qū)的少數(shù)載流子擴散電流引起的 2021/6/17 反向偏置二極管漏電流 2021/6/17 亞閾值漏電流 源極 (S) 漏極 (D) 柵極 (G) VG VD ID 由少數(shù)載流子的擴散引起，類似橫向晶體管 )1](/)([ )/( kTDSqVof f s e tTGS en k TVVVqss u b eII?????－ ～ 亞閾值振幅系數(shù) VT降低， Isub增大 但 VT增加，速度減慢 存在速度和功耗的折中考慮 2021/6/17 降低待機功耗的方法舉例： ? 正常工作時采用低閾值電壓，以減少 CMOS電路的延遲時間 ? 待機時采用高閾值電壓，以減少 CMOS電路的泄漏電流 保持速度性能的基礎上， 大幅度降低功耗 2021/6/17 高 Vt 低 Vt VDD
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