【文章內(nèi)容簡介】
EG B A C d EC EV N P 在圖中, PN結(jié)勢壘區(qū)內(nèi)價帶中點 A處的電勢與導(dǎo)帶中點 B處的電勢相等,兩點之間的距離 d就是隧道長度。 當(dāng)反向電壓增大,勢壘區(qū)的電場變大,從而使隧道長度 d縮短 不具有能量 EG的電子有機會從 A點通過隧道效應(yīng)直接到B點 三、齊納擊穿 ? 做相似三角形,得到 變形得 隧道長度為 ()b i Gdq V V Exd? ?()GdbiExdq V V??m a xGEdqE?三、齊納擊穿 當(dāng)反向電壓 V增大到使勢壘區(qū)中最大電場達(dá)到一個臨界值時,隧道長度 d也就小到一個臨界值,這時大量的 P區(qū)價電子會通過隧道效應(yīng)流入 N區(qū)導(dǎo)帶,使隧道電流急劇增加, 這種現(xiàn)象稱為 “ 隧道 ” 擊穿或者齊納擊穿 。 三、齊納擊穿 隧道長度 d正比于勢壘寬度 xd, 而 所以, 高摻雜主要擊穿機理是隧道擊穿,而低摻雜主要擊穿機理是雪崩擊穿; 隧道擊穿電壓較低,雪崩擊穿電壓較高;一般 為