電力場效應晶體管mosfe(編輯修改稿)
2025-06-15 15:46 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 漏極電流 ID和柵源間電壓UGS的關系稱為 MOSFET的 轉(zhuǎn)移特性 。 ID較大時， ID與 UGS的關系近似線性，曲線的斜率定義為 跨導 Gfs。 0 10 20 30 50 40 2 4 6 8 a) 10 20 30 50 40 0 b) 10 20 30 50 40 飽和區(qū) 非 飽 和 區(qū) 截止區(qū) I D / A U T U GS / V U DS / V U GS = U T =3V U GS =4V U GS =5V U GS =6V U GS =7V U GS =8V I D / A 圖 120 電力 MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性 a) 轉(zhuǎn)移特性 b) 輸出特性 2）電力 MOSFET的基本特性 2 電力場效應晶體管 截止區(qū) （ 對應于 GTR的截止區(qū) ） 飽和區(qū) （ 對應于 GTR的放大區(qū) ） 非飽和區(qū) （ 對應 GTR的飽和區(qū) ） 工作在開關狀態(tài) ， 即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換 。 漏源極之間有寄生二極管 ， 漏源極間加反向電壓時器件導通 。 通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù) ， 對器件并聯(lián)時的均流有利 。 圖 120電力 MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性 a) 轉(zhuǎn)移特性 b) 輸出特性 MOSFET的漏極伏安特性 ： 0 10 20 3
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鄂ICP備17016276號-1