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正文內(nèi)容

等離子射流電源設(shè)計(jì)(編輯修改稿)

2025-06-12 20:51 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 閉合后將使光耦動(dòng)作,在 LosePump 引腳產(chǎn)生由低電平向高電平的轉(zhuǎn)換,此上升沿將引發(fā)單片機(jī)中斷對(duì)電源進(jìn)行保護(hù)。 渦流式氣泵 故障保護(hù)原理圖 如圖 26所示 。 83241U2ALM3931KR11VCCVCC1KR12VCCCurrentValueR16AGNDC4310kR15231114U4A MCP604I/P10KR17OverCurrentC111KR10C12AGND910D21N5819D6D3D7 圖 26 風(fēng)機(jī)故障保護(hù)原理圖 mega16 的顯示電路設(shè)計(jì) 我們采用的是四位共陽極的數(shù)碼管顯示,四位數(shù)碼可以提高精確度。為了使數(shù)據(jù)更好的反應(yīng)出來,我們設(shè)計(jì)了電流顯示模塊和功率顯示模塊。數(shù)顯模塊也具有一定的數(shù)據(jù)接收和處理能力。數(shù)據(jù)的傳送都是采用了串口,因?yàn)榇趥魉蛿?shù)據(jù)可以減少控制系統(tǒng)對(duì)大量數(shù)據(jù)的運(yùn)算,減少占用主控的資源。主控只需要把采集回來的數(shù)據(jù)經(jīng)過串口放松給顯示模塊,數(shù)據(jù)的處理就由顯示模塊處理和現(xiàn)實(shí)。下圖 是顯示模塊的電路圖。 絕 緣柵雙極晶體管 (IGBT)是一種新型的電力半導(dǎo)體器件, IGBT 既具有功率場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)高速、高輸 入阻抗、易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn),又具有雙極達(dá)林頓功率晶體管 GTO 飽和電壓低、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)的電力電子開關(guān)器件。 IGBT 也是一款采用 電壓型驅(qū)動(dòng)、高輸入阻抗、開關(guān)速度快 (可正常工作在幾十千赫茲頻率范圍內(nèi) )的 電力電子開關(guān)器件 。由于他的這么多的優(yōu)點(diǎn)讓 IGBT 廣泛應(yīng)用于 大中功率開關(guān)電源、逆變器、高頻感應(yīng)加熱、有源濾波器、家用電器等需要電流變換場合。 IGBT 的額定工作電流較高,可以應(yīng)用于 輸出數(shù)百安電流的變頻裝置,也可應(yīng)用于 數(shù)碼相機(jī)的閃光燈控制 電源 。近幾年來,變頻技術(shù)在交流傳動(dòng)領(lǐng)域的U6TLP521VCCAirVolt12VDR27R281KR25C40LosePump 應(yīng)用風(fēng)起云涌, IGBT 作為變頻器的功率輸出器 件,其應(yīng)用 也 是日趨廣泛。在快速低損耗的電力電子應(yīng)用 中 ,在中、低頻功率控制應(yīng)用中, IGBT 最具獨(dú)特性能。IGBT 有逐步取代 MOSFET 和 GTO 之趨勢。 IGBT 與 其它 半導(dǎo)體開關(guān)器件 一樣, 其工作特 性 依賴于 具體 電路條件和開關(guān)環(huán)境 。因此, IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路 及 保護(hù)電路是電路設(shè)計(jì)的難點(diǎn)。 采用 性能優(yōu)良的驅(qū)動(dòng) 電路,能夠 保證 IGBT 開關(guān)的可靠運(yùn)行,提高設(shè)備的穩(wěn)定性 。以下是 本論文所采用 的驅(qū)動(dòng)電路: 驅(qū)動(dòng)信號(hào)是兩路輸出分別驅(qū)動(dòng) IGBT 的上半橋和下半橋。驅(qū)動(dòng)模塊包括DC/DC 電源模塊和隔離驅(qū)動(dòng)模塊。結(jié)構(gòu)框圖如下: 驅(qū)動(dòng)特性 (均為在以下條件時(shí)測得 :Ta=25℃ ,Vp=15V,Fop=50KHz,模擬負(fù)載電容CL=220nF) 如附表一。 參數(shù) 符號(hào) 最小值 典型值 最大值 單位 輸入脈沖電壓幅值 Vpwm 2 15 V 輸入脈沖電流幅值 Ipwm 9 10 12 mA 輸出電壓 VOH V VOL 8 輸出電流 IOHP 6 A IOLP 6 柵極電阻 Rg 10 Ω 輸出總電荷 Qout 2 μC 工作頻率 Fop 0 60 KHz 占空比 δ 0 100 % 最小工作脈寬 Tonmin μS 上升延遲 Trd μS 下降延遲 Tfd 使能端電平(1) ENA 18 V 絕緣電壓 VISO 3500 Vrms 共模瞬態(tài)抑制 CMR 30 KV/μS DC/DC 輔助電源電性能參數(shù) (均為在以下條件時(shí)測得 :Ta=25℃ ,Vp=15V),如附表二。 參 數(shù) 符號(hào) 最小值 典型值 最大值 單位 輸入電壓 (1) Vdc 12 15 20 V 電源輸入電流 (2) Idc A 輸出電壓 Vo V 輸出功率 Po 6 W 效率 η 75 % 短路保護(hù)性能 (均為在以下條件時(shí)測得 :Ta=25℃ ,Vp=24V,Fop=50KHz,模擬負(fù)載電容 CL=220nF),如附表三。 參 數(shù) 符號(hào) 最小值 典型值 最大值 單位 保護(hù)動(dòng)作閾值 (1) Vn V 保護(hù)盲區(qū) (2) Tblind μS 軟關(guān)斷時(shí)間 (3) Tsoft 4 μS 故障后再啟動(dòng)時(shí)間 (4) Trst 10 mS 故障信號(hào)延遲 Talarm 5 μS 故障信號(hào)輸出電流 Ialarm 10 mA 電路板的輸出接線示意圖, 如圖 28。 本驅(qū)動(dòng)電路模塊既可以驅(qū)動(dòng)一只 IGBT,也可以驅(qū)動(dòng)兩只并聯(lián)的 IGBT。 圖 28 驅(qū)動(dòng)電路接線圖 Jo 到 IGBT 柵極和發(fā)射極的引線要短一些,并使用絞線,以減小寄生電感,但集電極的反饋連線不要絞在一起。 2. 謹(jǐn)防柵極和發(fā)射極輸出短路,短路時(shí)間超過幾秒,可能損壞板上器件。 3. 盡量減小雜散電感,并設(shè)置良好的 IGBT 過壓吸收回路,避免尖峰電壓擊穿IGBT。 4. 輸入電源接反,電源插座上并聯(lián)的二極管將短路外部輸入電源,做實(shí)驗(yàn)時(shí)請注意。 報(bào)警信號(hào)輸出 由于提高輸入輸出的抗干擾力,我們應(yīng)用光耦對(duì)信號(hào)隔離。報(bào)警信號(hào)輸出可以是高電平輸出也可以是低電平輸出我們的系統(tǒng)應(yīng)用了高電平輸出。當(dāng) IGBT 過流時(shí),烯烴會(huì)檢測到高電平。 圖 29是報(bào)警電路的設(shè)計(jì): 圖 29 報(bào)警信號(hào)電路 系統(tǒng)電源采用 5V、 12V、 15V 供電, 5V電源是供給芯片的消耗電源和串口的顯示電源。 12V 是作為系統(tǒng)版的隔離電源,為了增大控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性和抗干擾力。我們用 12V 電源讓他對(duì)輸出進(jìn)行隔離。 15V 是開關(guān)器件 IGBT 的驅(qū)動(dòng)電源供電。 由于單片機(jī)和驅(qū)動(dòng)的可靠工作,對(duì)電源的可靠性和穩(wěn)定性要求很高。并且IGBT 的驅(qū)動(dòng)工作電流很大,所要對(duì)電源穩(wěn)壓芯片的要求比較高。我們設(shè)計(jì)用LM1085 電源穩(wěn)壓芯片滿足大電流可靠供電的要求。 LM1085 的正常工作通流能力3A 最大帶負(fù)載功率可達(dá)幾十瓦。 圖 210是由 LM1085 設(shè)計(jì)的電源原理圖。電容是為了濾波、穩(wěn)壓、儲(chǔ)能的作用。 圖 210 電源電路 第三章 逆變電源主電路的設(shè)計(jì)與構(gòu)成 高頻變壓器設(shè)計(jì) 1) 高頻變壓器的定義與分類 高頻變壓器是相對(duì)于音頻和工頻變壓器而言的。由于高頻的范圍 涉及很 廣,要 劃分 明確是困難的。工作頻率在音頻以上的變壓器統(tǒng)稱為高頻變壓器。應(yīng)該說,這種叫法是不嚴(yán)格的。 其工作頻率的不同,我們把高頻變壓器按以下進(jìn)行分類: ① 按頻率范圍 可 分為 a. kHz 級(jí)高頻變壓器,指工作頻率在 幾 kHz 到 幾百 kHz之間 的高頻變壓器; b. MHz 級(jí)高頻變壓器 ,指 工作頻率在 1MHz 以上的高頻變壓器。 ② 按工作頻帶 可 分為 a. 窄 頻 帶 高頻變壓器, 指 工作在 一個(gè)很窄 頻率范圍內(nèi) 的變壓器 , 例 如變換器變壓器、振蕩器變壓器 ; b. 寬頻 帶 高頻 變壓器,指工作在一個(gè)很寬頻率范圍內(nèi)的變壓器, 例 如阻抗變換器變壓器、通訊變壓器。 2)磁芯材料的選擇 提高逆變電源效率的關(guān)鍵因素 就是合理 選擇變壓器的磁 芯 材料和結(jié)構(gòu)以及降低變壓器的能耗 。高頻變壓器工作 在 頻率較高 的環(huán)境下。 選擇飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度、電阻率及磁導(dǎo)率較高的磁芯材料 就能可靠的使變壓器 工作在損耗小、輸出脈沖上升速度快、結(jié)構(gòu)緊湊 的環(huán)境中 。 鐵氧體材料均為軟磁鐵氧體材料 多 用于高頻變壓器中。軟磁鐵氧體材料的 高頻損耗小, 電阻率高, 并且 易于生產(chǎn) 加工 ,成本低,是目前高頻變壓器中使用量最大的磁性材料。軟磁鐵氧體材料主要分為 MnZn鐵氧體和 NiZn鐵氧體兩大類。 在 ~1MHz 的頻率場所 主要用 MnZn 鐵氧體 的高頻變壓器 , 在 1MHz 以上 的產(chǎn)生主要用 NiZn鐵氧體 的高頻變壓器 。 我們采用的是 MnZn 鐵
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