中文--離散的瞬態(tài)傳熱熱源在水中垂直矩形通道冷卻(編輯修改稿)
2025-06-26 17:32 本頁面
【文章內容簡介】 整體估計值的不確定性的實驗數(shù)據(jù)進行了標準的測量技術。研究揭示了我國稀土的不確定性、 Nu、 Pel、 傅里葉系數(shù) 小于 %,%,%,%,。這些價值觀是微不足道的 ，與基礎上不確定性 的 體 質有關。 Flushmounted 芯片的研究 穩(wěn)態(tài)的結果。 確保試驗夾具條件下 ， 得到了與穩(wěn)態(tài)結果。 26 人同一圖繪制 ， 表 示吻合較好 ， 5%的偏差奴塞爾數(shù) 與本文研究 有 價值。這是為了保證試驗 處于良好的工作狀態(tài)。線性適合方法用于相關層流流動數(shù)據(jù) ， 其平均標準偏差為 15%左右。 凸芯片的研究 由于上游和下游的芯片也有類似的傳 熱 數(shù)據(jù) ， 在不同實驗條件下 ， 四個芯片 在 不同的突出物的 平均 數(shù)據(jù) ， 對 在 不同凸高度 B ， C 和 m 進行研究 ， 為每個芯片 的試驗中找到合適的線性方法 。 平均 這些結果 得到了各芯片 數(shù)據(jù) 。所有 數(shù)據(jù) 的平方值約為 ， 平均標準差 SD 實驗數(shù)據(jù)大約是 15%。 結論 實驗單相瞬態(tài)的強制對流傳熱在一個垂直矩形通道進行過程中瞬態(tài)手術 的 研究 來決定 芯片 整體傳熱系數(shù)。安裝和突出的芯片為沖刷的影響 、 熱通量、冷卻劑流量率和 芯片編號進行了研究。 由 適當?shù)膬r值的指數(shù) n， 得到了一個獨特的價值 。通過 相關方程 ，可 得 加熱器 籌碼以及全面的數(shù)據(jù) 。 不同的傳熱之間的數(shù)據(jù)和突出的芯片 不同 。 命名 A=晶片表面接觸面積 ， 米 B=突出 高 度，米 C=相關系數(shù) Cp=在恒壓比熱容、 J /公斤 ?K Fo=傅里葉數(shù) g=重力加速度、米 /秒 Hc=高度的芯片 ， 米 h=傳熱系數(shù)、 W / m2K k=流體的導熱系數(shù)、 W / m?K l=長度的熱源、米 n=指數(shù) Nul=奴塞爾數(shù) Q=流量、立方米 /秒 References 1 Xu, G. P., Tso, C. P., and Tou, K. W., 1996, “A Review on Direct Liquid Cooling Channel Flow With SinglePhase for Electronic Systems, ” J. Elec tronic Manufacturing, 6, pp. 115–125. 2 Mudawar, I, 1992, “Directimmersion Cooling for High Power Electronic Chips,” Proc. 1992 Intersociety Conference on Thermal Phenomenon, pp. 74– 84. 3 Mudawar, I., and Maddox, D. E., 1989, “Enhancement of Critical Heat Flux From High Power Microelectronic Heat Sources in a Flow Channel,” Heat Transfer in Electronics1989, R. K. Shah, ed., HTDVol. 111, ASME, New York, pp. 51–58. 4 Incropera, F. P., Kerby, J. S., Moffatt, D. F., and Ramadhyani, S., 1986, “Con vection Heat Transfer from Discrete Heat Sources in a Rectangular Channel,” Int. J. Heat Mass Transfer, 29, pp. 1051–1058. 5 Gersey, C. O., and Mudawar, I., 1993, “Nucleate Boiling and Critical Heat Flux from Protruded Chip Arrays during Flow Boiling,” J. Electron. Packag., 115, pp. 78–88. 6 Ke
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