【正文】 ansfer for Laminar Flow in Ducts with Arbitrary Time Variations in Wall Temperature,” J. Appl. Mech., 82E, pp. 241–249. 8 Siegel, R., and Sparrow, E. M., 1959 “Transient Heat Transfer for Laminar Forced Convection in the Thermal Entrance Region of Flat Ducts,” J. Heat Transfer, 81C, pp. 29–36. 9 Siegel, R., 1959, “Transient Heat Transfer for Laminar Slug Flow in Ducts,” J. Appl. Mech., 81E, pp. 140–142. 10 Perlmutter, M., and Siegel, R., 1961, “Unsteady Flow in a Duct with Unsteady Heat Addition,” J. Heat Transfer, 83C, pp. 432–440. 11 Kim, W. S., and 214。整體估計(jì)值的不確定性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量技術(shù)。獲取數(shù)據(jù)的程序 是由 單相實(shí)驗(yàn) 的 一個(gè)入口溫度、錫 23176。 為安裝 加熱器 提供了 熱通量、雷諾數(shù)和公式。因 此 ,它是一種需要調(diào)查的瞬態(tài)熱行為 ,以確 定 偏離 正常情況 的程度 ,特別是 在 冷卻劑流量的系統(tǒng) 中 。 指導(dǎo)教師評(píng)語(yǔ)： 簽名： 年 月 日 附件 1：外文資料翻譯譯文 實(shí)驗(yàn)研究的基礎(chǔ)上 , 離散的瞬態(tài)傳熱熱源在水中垂直矩形通道冷卻 基于熱源長(zhǎng)度 的 實(shí)驗(yàn) ， 研究了瞬態(tài)的強(qiáng)制對(duì)流傳熱 熱源 在以一個(gè)數(shù)組 為 4 1 的形式返回 ， 離散熱源在一個(gè)垂直的 通 道 的 瞬 態(tài)操作。然而 ,為 液體 直接冷卻提供了一個(gè)高傳熱系數(shù) ， 水是最有效的冷卻劑 ， 比空氣冷卻 提供了更大的統(tǒng)一 的芯片溫度。熱源 的研究參照文獻(xiàn)的 十三至十八 。 晶片的表面安裝在聚四氟乙烯基體模塊、芯片是放置在中心的墻面前 ,一個(gè)頻道之間的間隔 5毫米的邊側(cè)墻芯片和渠道。 使 所有芯片溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于設(shè)計(jì)極限 85176。 結(jié)論 實(shí)驗(yàn)單相瞬態(tài)的強(qiáng)制對(duì)流傳熱在一個(gè)垂直矩形通道進(jìn)行過程中瞬態(tài)手術(shù) 的 研究 來(lái)決定 芯片 整體傳熱系數(shù)。線性適合方法用于相關(guān)層流流動(dòng)數(shù)據(jù) ， 其平均標(biāo)準(zhǔn)偏差為 15%左右。 進(jìn)行瞬態(tài)操作 ，關(guān)閉 泵 ，使其 功率 在穩(wěn)定狀態(tài) ，則 瞬間芯片 壁溫 迅速增加。第一個(gè)芯片位于 700 毫米下游的通道入口 ,提供一個(gè)最小的水動(dòng)力輸入長(zhǎng)度為 50 毫米 的 液 壓直徑。 研究表明 ,很少有相關(guān)調(diào)查發(fā)現(xiàn) 由于電子冷卻壁熱流密度或墻表溫度和流速峰值 的變化而使 瞬態(tài)響應(yīng)變化 。 大規(guī)模、高速電路 在未來(lái)的發(fā)展 可能 不能 保持有效的冷卻。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明 ,傳熱系數(shù) 強(qiáng)烈的 影響數(shù)量和雷諾數(shù)芯片。席格和 穆特 在 位置 和 時(shí)間 上， 研究 了 二維層流 傳熱數(shù)值模擬在橫向平行板渠道和墻加熱的非恒定流 。 芯片 1是指加熱器的上游渠道。研究發(fā)現(xiàn) ,過去 3分鐘的變化是芯片壁面溫度小于 176。 確保試驗(yàn)夾具條件下 ， 得到了與穩(wěn)態(tài)結(jié)果。通過 相關(guān)方程 ，可 得 加熱器 籌碼以及全面的數(shù)據(jù) 。 天文數(shù)據(jù)歸算的屏壁防護(hù) 和 所有的物理性質(zhì)的大部分評(píng)估流體溫度在這里定義為 Tb =（ Twall + Tin） /2 (1) 芯片 和液體 溫度差 T = Twall ? Tin . (2) 基于的奴塞爾數(shù) 長(zhǎng)度 Nu=hl/k=ql/kA(Twall ? Tin) (3) 基于熱源長(zhǎng)度 的 雷諾數(shù) Rel=Ul/v.