【總結】壓裂工藝技術壓裂工藝技術采油工藝研究所采油工藝研究所???????井下工具是采油工藝的重要組成部分,它是保障采油工藝實施的重要手段。壓裂井下工具是保障壓裂工藝實施的重要手段。目前壓裂井下工具的發(fā)展,不僅與壓裂采油工藝相結合,同時,隨著油田開采難度的加大,壓裂井下工具同地質相結合,使壓裂工藝與地質的結
2025-02-19 11:50
【總結】慈溪市佳寶兒童用品有限公司工藝文件JB/QI705-04-2020焊接工藝守則共3頁第1頁1、適用范圍本工藝適用于本公司童車生產(chǎn)過程的焊接工序。2、設備和工具、設備、氣體保護焊焊槍、焊接電纜、防護面罩、護目玻璃等。、保護焊氣源輸送設備和焊絲輸送設備。、輔助工具:焊絲筒、鋼絲刷、
2024-10-24 06:08
【總結】企業(yè)無損檢測通用工藝文件1、內容與適用范圍2、引用標準3、檢測人員資格及防護4、檢測設備、器材和材料5、檢測部位表面準備6、檢測時機7、檢測工藝及技術8、暗室處理9、底片質量10、檢測結果的評定和質量等級分類11、檢測記錄、報告和資料存檔
2024-10-26 09:07
【總結】壓裂工藝技術采油工藝研究所井下工具是采油工藝的重要組成部分,它是保障采油工藝實施的重要手段。壓裂井下工具是保障壓裂工藝實施的重要手段。目前壓裂井下工具的發(fā)展,不僅與壓裂采油工藝相結合,同時,隨著油田開采難度的加大,壓裂井下工具同地質相結合,使壓裂工藝與地質的結合更加緊密,為更好地提高油田采收率服務。
2025-03-04 15:43
【總結】1工藝文件第1冊共1冊
2024-10-25 14:53
【總結】104d8dd酸化酸液及添加劑選擇(SelectionofAcidFluidandAdditive)204d8dd酸化用酸液及添加劑304d8dd酸液類型及選擇,生成的產(chǎn)物能夠溶解于殘酸水中,與儲層流體配伍性好,對儲層不產(chǎn)生污染;理、化學性質能夠滿足施工要求;、施工方便,安全;,貨源廣
2025-01-19 09:09
【總結】第一部分概述(一)壓裂的機理(二)壓裂技術的發(fā)展(三)壓裂技術的應用(一)壓裂的機理油層壓裂是利用地面高壓泵組,將高粘度液體以大排量注入井中,在井底附近憋起高壓。當壓力超過地應力及巖石的抗張強度后,在地層中形成裂縫。繼續(xù)將帶有支撐劑的壓裂液注入裂縫,使裂縫向前延伸,并在
2025-02-21 16:09
【總結】前工序工藝流程前工序工藝流程玻璃清洗IRUVOven涂感光膠預固化曝光顯影圖案檢查修復主固化酸刻脫膜后清洗圖案檢查OKNG修復中工序玻璃清洗清洗劑+毛刷清洗DI水+US氣刀噴干SiO2ITO玻璃灰塵水
2025-01-23 05:55
【總結】高先電子(深圳)有限公司工藝文件制作規(guī)范文件編號:MN-W-019制訂日期:2020-7-18版本:第1頁共6頁版本修訂內容修訂日期修訂者初次發(fā)行2020-7-18全面升級2020-7-16符宏
【總結】----ICS;J16中華人民共和國國家標準GB/T22652—2020閥門密封面堆焊工藝評定Overlaying-weldingprocedurequalificationforvalvessealingface(ASMEboilerandpressurevesselcode,section
2025-08-05 21:56
【總結】鍍膜工藝北京亞科晨旭科技有限公司2023年12月基本概念真空等離子體真空真空的含義是指在給定的空間內低于一個大氣壓力的氣體狀態(tài),是一種物理現(xiàn)象。真空度的高低可以用多個參量來度量,最常用的有“真空度”和“壓強”單位Pa1Pa=1N/㎡=*10-3Torr1mmHg=1Torr=133Pa
2025-03-01 12:21
【總結】氣焊工藝◆李輝氣焊設備工具連接圖?圖1氣焊1-焊絲;2-焊嘴;3-工件氣焊原理:氣焊是利用可燃氣體與助燃氣體混合燃燒后,產(chǎn)生的高溫火焰對金屬材料進行熔化焊接的一種方法。氣焊優(yōu)缺點?氣焊的溫度比較低,熱量分散,加熱速度慢,生
2025-02-21 13:56
【總結】電裝中心田景玉一、多芯電纜頭的基本要求多芯電纜終端頭:是將多芯電纜與其他電氣設備連接的部件多芯電纜中間頭:是將兩根多芯電纜連接起來的部件終端頭與中間頭統(tǒng)稱為多芯電纜附件。多芯電纜附件應與多芯電纜本體一樣能長期安全運行,并具有與
2025-02-06 21:07
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:34
【總結】半導體制造工藝第2章 半導體制造工藝概況第2章 半導體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序,消耗6~8周的時間,看似復雜,而實際上是將幾大工藝技術順序、重復運用的過程,最終在硅片上實現(xiàn)所設計的圖形和電學結構。在講述各個工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程
2025-03-01 04:30