mos器件物理--轉(zhuǎn)移特性曲線ppt29-經(jīng)營管理(編輯修改稿)
2025-09-21 15:04 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 襯底效應(yīng) ”，也稱為“ 背柵效應(yīng) ”。 襯底偏置效應(yīng)（體效應(yīng)） ? 在考慮襯底效應(yīng)時，其耗盡層的電荷密度變化為： ? 把上式代入閾值電壓的表達式，可得其閾值電壓為： ? 其中 Vth0是在無體效應(yīng)時的閾值電壓； ，稱為體效應(yīng)因子， γ的大小由襯底濃度與柵氧厚度決定，其典型值在 。 ? 對于 PMOS管，考慮體效應(yīng)后的閾值電壓為： ? 對于襯底效應(yīng)表明其襯底勢能 Vsub不需改變：如果其源電壓相對于 Vsub發(fā)生了改變，會發(fā)生同樣的現(xiàn)象。 oxs u bsi CNq ?? 2?)2(2 BSfs u bsib VNqQ ??? ??????? ?????? fBSfthth VVV 220 ??????? ?????? fBSfthth VVV 220 ?襯底偏置效應(yīng)（體效應(yīng)） ? 例： ViM1VD DI1VoVoVi襯底偏置效應(yīng)（體效應(yīng)） ? 由于襯底電位會影響閾值電壓，進而影響 MOS管的過驅(qū)動電壓，所以襯底可以視為 MOS管的第二個柵（常稱背柵）。 ? 因此為了衡量體效應(yīng)對 MOS管的 I/V的影響，定義一襯底跨導 ? 襯底跨導：在源漏電壓與柵源電壓為常量時漏極電流隨襯底電壓的變化關(guān)系： ? 則襯底電位對漏極電流的影響可用一個電流源gmbVBS表示。 BSDmb VIg ???襯底偏置效應(yīng)（體效應(yīng)） ? 在飽和區(qū)， gmb能被表示成 ? 而根據(jù)閾值電壓與 VBS之間的關(guān)系可得： ? 因此有： ? 上式中 η=gmb/gm ， gmb正比于 γ。上式表明當較大時，不斷增大的襯底效應(yīng)的變化就不明顯了。 ? 注意 gmVGS與 gmbVBS具有相同極性，即提高襯底電位與提高柵壓具有同等的效果。 ? ? g2 m,V DS ???????????????????????????BSthBSththGSNCVBSDmb VVVVVVKVIgGS 2 12 BSfBSthVΦVV????? ? 22mBSfmmbgVgg??????溝道調(diào)制效應(yīng) ? 在分析器件的工作原理時已提到：在飽和時溝道會發(fā)生夾斷，且夾斷點的位置隨柵漏之間的電壓差的增加而往源極移動，即有效溝道長度 L’實際上是 VDS的函數(shù)。這種由于柵源電壓變化引起溝道有效長度改變的效應(yīng)稱為“溝道調(diào)制效應(yīng)”。 ? 記 ， ， λ稱為溝道調(diào)制系數(shù)，當遠小于 L時有： LLL ????DSVLL ???? ?
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