開題報告----amoled像素驅(qū)動電路設(shè)計-開題報告(編輯修改稿)
2025-02-24 11:20 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 提取出合理的參數(shù)，實現(xiàn)對驅(qū)動管 TFT 閾值漂移的補償。 ③ 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀 2T1C 像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單，像素開口率高，適合大批量生產(chǎn)，因此 2T1C 電路的研究吸引了不少研究單位 ]10][6[ 。 吉林大學司玉娟等 ]6[ 曾經(jīng)做過傳統(tǒng) AMOLED 像素驅(qū)動電路 的仿真研究，在合理選擇 PolySi TFT 模型 參數(shù)的 基礎(chǔ)上 , 對 2T1C 像素 驅(qū)動電路進行詳細分析 , 總結(jié)出驅(qū)動電路的 合理工作參量 , 并詳細分析它們的變化對驅(qū)動電 路的影響 , 為 5 像素驅(qū)動 電路設(shè)計分析提供依據(jù)。 Sanford 等 ]10[ 把 OLED 器件不僅作為發(fā)光器件，而且把它作為一個電容使用，提出了一種可以補償閾值漂移的 2T1C 電路，但是它并不能完全消除閾值漂移的影響。 此外多個研究單位提出了多于 2 個 TFT 的 TFT 補償電路。 1998 年 等 ]11[ 首先提出了四個 TFT 和二個電容的補償電路，它不但可以補償值電壓的改變，還可以減少電源線寄生電阻導致的電壓降，與傳統(tǒng) 2T1C 驅(qū)動電路相比，可以使得面板的亮度更加均勻。 等 ]12[ 提出了一種基于氫化非晶硅薄膜晶體管（ aSi:H TFT） 可補償閾值漂移的 6T1C 像素驅(qū)動電路，實驗表明文獻 [12]中所設(shè)計的像素驅(qū)動電路隨著工作時間的變化，流過 OLED 的電流只有 7%的衰減，遠遠小于傳統(tǒng) 2T1C 電路的 28%，仿真和實驗都表明這種 6T1C 電路能夠維持相當?shù)碾娏鞣€(wěn)定性，從而保持面板發(fā)光亮度 的基本不變。 等 ]13[ 提出了一種改進型的電路，這款基于 PolySi TFT 的 5T1C 像素電路采用光學反饋的方式，不僅消除了 PolySi TFT 的驅(qū)動管閾值電壓不均造成的像素點發(fā)光亮度不均，而且彌補了由于 OLED 本身的退化導致的發(fā)光亮度下降。同時，相比于文獻 [12],文獻 [13]少了一個晶體管從而提高了像素的開口率。 文獻 [14][15]均是五個 TFT 和一個電容的像素驅(qū)動電路， 對 LTPS TFT 的驅(qū)動管由于制程工藝造成閾值電壓不均提出了補償 ，提高了像素點的發(fā)光均勻程度 。 文獻 [11][15]的像素電路使用了多個 TFT，導致控制線路復雜，降低了像素點的開口率，基于此文獻 [16]提出了三個 TFT 和一個電容的補償電路，這個電路不需要驅(qū)動管 TFT 的閾值產(chǎn)生階段，從而控制信號波形與傳統(tǒng) 2T1C 電路一樣簡單。以上像素補償電路 [11][16]皆是基于電壓編程模式。 文獻 [9]提出了一種基于電流編程的 4T1C 電路，仿真和實驗同時證明該電路能夠補償?shù)蜏囟嗑Ч璞∧ぞw管（ LTPSTFT）的閾值電壓和遷移率的不均。當像素點溫度從 27C? 升至 60C? 時，該 4T1C電路流過 OLED 的電路僅增加了 %，而傳統(tǒng) 2T1C 電路流過 OLED 的電流將增加 37% 。 ④ 畢業(yè)設(shè)計項目實施計劃及進度 第 12 周：閱讀相關(guān)文獻資料及撰寫畢業(yè)設(shè)計開題報告。 第 34 周：優(yōu)化傳統(tǒng) 2T1C 像素電路設(shè)計參數(shù)， 2T1C 電路動態(tài)分析和仿真，進一步熟悉Hspice 和 AIMspice 仿真軟件的使用。 第 56 周：研究文獻 [13]中的像素電路，提取 OLED 器件、存儲電容和 TFT 器件的模
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