【正文】 腐蝕速率難以控制（折射率越大，腐蝕速率越?。?。臥式爐目前的淀積速率是 LPSIN 30A/MIN ； LPTEOS 50A/MIN； LPPOLY 70A/MIN。低于此溫度，淀積出的是非晶硅，只有高于此溫度才能生長出多晶硅。 LPCVD 工藝 1?CVD 技術(shù)是微電子工業(yè)中最基本、最重要的成膜手段之一。 擴(kuò)散工藝 8 磷擴(kuò)散原理 POCL3 4POCL3+3O2 ==== 2P2O5+6CL2 2P2O5 +5Si ==== 5SiO2 +4P PBr3 4 PBr3 +5O2 ==== 2P2O5+6Br2 2P2O5 +5Si ==== 5SiO2 +4P 擴(kuò)散工藝 9 磷擴(kuò)散工藝主要參數(shù) 結(jié)深： 電阻： 現(xiàn)行的主要控制參數(shù)； 表面濃度： 這些參數(shù)都和摻雜時(shí)間、摻雜溫度、磷源流量等有密切的關(guān)系； 擴(kuò)散工藝 10?影響磷擴(kuò)散的因素 ?爐管溫度和源溫 爐管溫度會影響雜質(zhì)擴(kuò)散的固溶度，硅中雜質(zhì)的溶解量變化，從而影響摻雜電阻； PBr3和 POCL3都是揮發(fā)性較強(qiáng)的物質(zhì)，溫度的變化會影響源氣的揮發(fā)量，使摻雜雜質(zhì)的總量發(fā)生變化 ,因此必須保證其相對穩(wěn)定； ?程序的編制 磷源流量設(shè)置的大小決定了時(shí)間的長短，使推結(jié)的時(shí)間變化，從而影響了表面濃度和電阻； 擴(kuò)散工藝 11?影響磷擴(kuò)散的因素 – 時(shí)間 一般不易偏差，取決于時(shí)鐘的精確 度 ； – 氣體和排風(fēng) 排風(fēng)：排風(fēng)不暢，會使摻雜氣體不能及時(shí)排出，集中在爐管之內(nèi)，使摻雜電阻變化； 氣體： N2 和 POCL3 氣體流量的比例對摻雜的大小，均勻性有較明顯的影響； 擴(kuò)散工藝 12?磷擴(kuò)散工藝控制 – 拉恒溫區(qū)控制溫度 定期拉恒溫區(qū)以得到好的溫度控制； – 電阻均勻性 電阻均勻性可以反應(yīng)出溫度或氣體的變化以及時(shí)發(fā)現(xiàn)工藝和設(shè)備發(fā)生的問題，在進(jìn)行換源、換爐管等備件的更換時(shí)，需及時(shí)進(jìn)行該 QC 的驗(yàn)證工作，以確定爐管正常； 擴(kuò)散工藝 13?磷擴(kuò)散工藝控制 – 清洗爐管及更換 內(nèi)襯管 由于在工藝過程中會有偏磷酸生成，在爐口溫度較低處會凝結(jié)成液體，并堆積起來，會腐蝕爐管甚至流出爐管后腐蝕機(jī)器設(shè)備，因此須及時(shí)清洗更換爐管和內(nèi)襯管。 氧化工藝 7?影響氧化速率的因素 ?硅片晶向 氧化速率 (110)POLY(111)(100) ?摻雜雜質(zhì)濃度 雜質(zhì)增強(qiáng)氧化，氧化速率發(fā)生較大變化如 N+退火氧化（ N+DRIVE1）： 襯底氧化厚度： 750A N+摻雜區(qū)氧化厚度： 1450A氧化工藝 8 熱氧化過程中的硅片表面位置的變化 生長 1um 的 SiO2，要消耗掉 的 Si。 氧化工藝 6?氧化方法 ?濕氧氧化（反應(yīng)氣體： O2 +H2O） H2O+SI ==