【正文】 （ 3）確定反饋信號的極性。 2. 解決辦法 ? 甲乙類雙電源互補(bǔ)對稱功率放大器 OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。 五 . 電容濾波電路 1． 放電時間常數(shù)的取值 UO(AV) S 4 .整流二極管的平均電流 I D(AV) 六 . 三種單相整流電容濾波電路的比較 七． 并聯(lián)型穩(wěn)壓電路 1. 穩(wěn)壓電路及其工作原理 *當(dāng)負(fù)載不變，電網(wǎng)電壓 變化時的穩(wěn)壓過程 : *當(dāng)電網(wǎng)電壓不變，負(fù)載變化時的穩(wěn)壓過程 : 2. 電路參數(shù)的計算 * 穩(wěn)壓管的選擇 常取 UZ=UO； IZM= (~3)IOmax * 輸入電壓的確定 一般取 UI(AV)= (2~3)UO * 限流電阻 R 的計算 R 的選用原則是： IZminIZ IZmax。 二 . RC 正弦波振蕩電路 1. RC 串并聯(lián)正弦波振蕩電路 2. RC 移相式正 弦波振蕩電路 三 . LC 正弦波振蕩電路 1. 變壓器耦合式 LC 振蕩電路 判斷相位的方法：斷回路、引輸入、看相位 19 2. 三點(diǎn)式 LC 振蕩器 *相位條件的判斷 “射同基反 ”或 “三步曲法 ” （ 1） 電感反饋三點(diǎn)式振蕩器 (哈特萊電路 ) （ 2） 電容反饋三點(diǎn)式振蕩器 (考畢茲電路 ) （ 3） 串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路） （ 4） 并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路） 四 . 石英晶體振蕩電路 1. 并聯(lián)型石英晶體振蕩器 2. 串聯(lián)型石英晶體振蕩器 20 第 九 章 功 率放大電路 一 . 功率放大電路的三種工作狀態(tài) 導(dǎo)通角為 360o， ICQ 大，管耗大，效率低。 反饋信號反饋到輸入端） 串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓 的形式相疊加。 多采用互補(bǔ)對稱電路以提高帶負(fù)載能力。 22 場效應(yīng)管及其基本放大電路 一 . 結(jié)型場效應(yīng)管（ JFET ） 2. 輸出特性曲線 （可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)） 轉(zhuǎn)移特性曲線 UP 截止電壓 二 . 絕緣柵型場效應(yīng)管（ MOSFET） 分為增強(qiáng)型（ EMOS）和耗盡型（ DMOS）兩種。 3）改變 VCC：直流負(fù)載線平移， Q 點(diǎn)發(fā)生移動。 第二章 167。 *N型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。 *載流子的濃度 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 21 三極管及其基本放大電路 一 . 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) 分為 NPN 和 PNP 兩種。 2. 交流通路與動態(tài)分析 *概念 交流電流流通的回路 *畫法 電容視為短路 ,理想直流電壓源視為短路。 結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號 8 2. 特性曲線 *NEMOS 的輸 出特性曲線 * NEMOS 的轉(zhuǎn)移特性曲線 式中， IDO 是 UGS=2UT時所對應(yīng)的 iD值。 多采用電流源電路，為各級提供合適的靜態(tài)電流。 Rs 越小反饋效果越好。 ICQ≈0， 導(dǎo)通角為 180o，效率高，失真大。 R 的范圍是： 八．串聯(lián)型穩(wěn)壓電路 。 二 . 乙類功放電路的指標(biāo)估算 1. 工作狀態(tài) ? 任意狀態(tài)： Uom≈Uim ? 盡限狀態(tài)： Uom=VCCUCES ? 理想狀態(tài)： Uom≈VCC 2. 輸出功率 3. 直流電源提供的平均功率 4. 管耗 Pc1m= 理想時為 % 三 . 甲乙類互補(bǔ)對稱功率放大電路 1. 問題的提出 在兩管交替時出現(xiàn)波形失真 ——交越失真 (本質(zhì)上是截止失真 )。 （ 2）根據(jù)該極性，逐級推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時極性