模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)解析(存儲(chǔ)版)
【正文】 （升 高用 + 表示，降低用 － 表示）。 (3) 選頻網(wǎng)絡(luò) 以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。 二 . 乙類功放電路的指標(biāo)估算 1. 工作狀態(tài) ? 任意狀態(tài)： Uom≈Uim ? 盡限狀態(tài)： Uom=VCCUCES ? 理想狀態(tài)： Uom≈VCC 2. 輸出功率 3. 直流電源提供的平均功率 4. 管耗 Pc1m= 理想時(shí)為 % 三 . 甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路 1. 問(wèn)題的提出 在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真 ——交越失真 (本質(zhì)上是截止失真 )。β 2 21 第十章 直流電源 一． 直流電源的組成框圖 ? 電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。 R 的范圍是： 八．串聯(lián)型穩(wěn)壓電路 。 2. 類型取決于第一只管子的類型。 ICQ≈0， 導(dǎo)通角為 180o，效率高，失真大。 2. 產(chǎn)生自激振蕩的條件 若表示為幅值和相位的條件則為： 17 第 七 章 信號(hào)的運(yùn)算與處理 分析依據(jù) “虛斷 ”和 “虛短 ” 一 . 基本運(yùn)算電路 1. 反相比例運(yùn)算電路 R2 =R1//Rf 2. 同相比例運(yùn)算電路 R2=R1//Rf 3. 反相求和運(yùn)算電路 R4=R1//R2//R3//Rf 4. 同相求和運(yùn)算電 路 R1//R2//R3//R4=Rf//R5 5. 加減運(yùn)算電路 R1//R2//Rf=R3//R4//R5 二 . 積分和微分運(yùn)算電路 1. 積分運(yùn)算 2. 微分運(yùn)算 18 第 八 章 信號(hào)發(fā)生電路 一 . 正弦波振蕩電路的基本概念 1. 產(chǎn)生正弦波振蕩的條件 (人為的直接引入正反饋 ) 自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件： 2. 起振條件 : 幅值條件 ： 相位條件 : 、分類 正弦波振蕩器的組成 (1) 放大電路 建立和維持振蕩。 Rs 越小反饋效果越好。 2. 反饋的性質(zhì) 交流、直流或交直流。 多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。 結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào) 8 2. 特性曲線 *NEMOS 的輸 出特性曲線 * NEMOS 的轉(zhuǎn)移特性曲線 式中， IDO 是 UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的 iD值。 （ 2）范圍 *當(dāng)（ UCEQ－ UCES）＞（ VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受截止失真限制， UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 2. 交流通路與動(dòng)態(tài)分析 *概念 交流電流流通的回路 *畫法 電容視為短路 ,理想直流電壓源視為短路。 三 . 低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化） hie輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻， 常用 rbe表示； hfe輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比， 常用 β表示； 四 . 基本放大電路組成及其原則 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、 C C2的作用。 21 三極管及其基本放大電路 一 . 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) 分為 NPN 和 PNP 兩種。 *死區(qū)電壓 硅管 ，鍺管 。 *載流子的濃度 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 1 模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié) 第一章 半導(dǎo)體二極管 一 .半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì) (如硅 Si、鍺 Ge)。 *N型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是
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