模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)解析(完整版)
【正文】 放電路的原理與特點(diǎn) 1. 抑制零點(diǎn)漂移的過程 當(dāng) T↑→ iC iC2↑→ iE iE2 ↑→ uE↑→ uBE uBE2↓→ iB iB2↓→ iC iC2↓。 三 . 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) IDSS Up UT RGS gm (表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件 ) 四 . 場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型 EMOS 的跨導(dǎo) gm 9 五 . 共源極基本放大 電路 * 靜態(tài)分析 動(dòng)態(tài)分析 若帶有 Cs，則 * 靜態(tài)分析 * 動(dòng)態(tài)分析 若源極帶有 Cs，則 六 .共漏極基本放大電路 * 靜態(tài)分析 10 或 ， * 動(dòng)態(tài)分析 ， 11 第 三章 多級(jí)放大電路 第 四 章 集成運(yùn)算放大電路 一 . 級(jí)間耦合方式 1. 阻容耦合 各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有 效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。 六 . 放大電路的等效電路法 1. 靜態(tài)分析 （ 1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算 （ 2） Q 點(diǎn)在放大區(qū)的條件 欲使 Q 點(diǎn)不進(jìn)入飽和 區(qū)，應(yīng)滿足 RB＞ βRc 。 3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真 （ 1）截止失真 *產(chǎn)生原因 Q 點(diǎn)設(shè)置過低 *失真現(xiàn)象 NPN 管削頂， PNP 管削底。 *畫法 電容視為開路。 3. 共射電路的特性曲線 *輸入特性曲線 同二極管。 1）圖解分析法 該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn) Q。 7. PN 結(jié) * PN 結(jié)的接觸電位差 硅材料約為 ~，鍺材料約為 ~。 帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。 * PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導(dǎo)通，反偏截止。 2 2) 等效電路法 ? 直流等效電路法 *總的解題手段 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低 : 若 V陽 V陰 ( 正偏 )，二極管導(dǎo)通 (短路 )。 * 輸出特性曲線 (飽和管壓降，用 UCES表示 放大區(qū) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 4 *作用 確定靜態(tài)工作點(diǎn) *直流負(fù)載線 由 VCC=ICRC+UCE 確定的直線。 *消除方法 減小 Rb，提高 Q。 2. 放大電路的動(dòng)態(tài)分析 * 放大倍數(shù) * 輸入電阻 * 輸出電阻 七 . 分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射 放大電路的等效電路法 1．靜態(tài)分析 6 2．動(dòng)態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù) 在 Re 兩端并一電解電容 Ce后 輸入電阻 在 Re 兩端并一電解電容 Ce后 * 輸出電阻 八 . 共集電極基本放大電路 1．靜態(tài)分析 2．動(dòng)態(tài)分析 * 電壓放大倍數(shù) * 輸入電阻 * 輸出電阻 7 3. 電路特點(diǎn) * 電壓 放大倍數(shù)為正，且略小于 1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。但不便于集成，低頻特性差。 Re 對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為 “共模反饋電阻 ”。 3．當(dāng) ＡＦ ＜０時(shí)， Ａ ｆ 升高，這種反饋稱為正反饋。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。 （ 4）根據(jù) Xi 與 X f 的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。 * 正弦波振蕩器的分類 (1) RC 振蕩器 振蕩頻率較低 ,1M以下 。 動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。 ? 濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。 二 . 單相半波整流電路 1．輸出電壓的平均值 UO(AV) 2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù) S 3．正向平均電流 I
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