模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)解析(更新版)
【正文】 D(AV) 4．最大反向電壓 URM 三 . 單相全波整流電路 1．輸出電壓的平均值 UO(AV) 2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù) S 3．正向平均電流 ID(AV) 4．最大反向電壓 URM 22 四 . 單相橋式整流電路 UO (AV)、 S、 ID(AV) 與全波整流電路相同， URM與半波整流電路相同。 動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用 VCC/2代替。 (3) 石英晶體振蕩器 振蕩頻率高且穩(wěn)定。 三 . 反饋形式的描述方法 某反饋元件引入級(jí)間（本 級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串 聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。 Rs越大反饋效果越好。放大器處于 “ 自激振蕩 ”狀態(tài)。 多采用共射 (或共源 )放大電路，以提高放大倍數(shù)。體積大，成本高，無(wú)法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。 167。 *消除方法 增大 Rb、減小 Rc、增大 VCC 。 2）改變 Rc ： Q 點(diǎn)在 IBQ 所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。 4. 溫度影響 溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。 *三種模型 ? 微變等效電路法 三 . 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路 *穩(wěn)壓二極管的特性 正常工作時(shí)處在 PN 結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。 *二極管伏安特性 同ＰＮ結(jié)。 *P 型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。 光敏、熱敏和摻雜特性。 *體電阻 通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。 將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低 : 若 V 陽(yáng) V 陰 ( 正偏 )，二極管導(dǎo)通 (短路 )。 基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 能放大、不失真、能傳輸。 *作用 分析信號(hào)被放 大的過(guò)程。 5 *當(dāng)（ UCEQ－ UCES）＜（ VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受飽和失真限制， UOPP=2UOMAX=2 （ UCEQ－ UCES）。 * NDMOS 的輸出特性曲線 注意： uGS 可正、可零、可負(fù)。存在 “零點(diǎn)漂移 ”現(xiàn)象。 四． 理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法 1. 理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征 * 開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0； * 共模抑制比 KCMR→∞； 2. 理想集成運(yùn)放的分析方法 1) 運(yùn)放工作在線性區(qū) : * 電路特征 ——引入負(fù)反饋 * 電路特點(diǎn) ——“虛短 ”和 “虛斷 ”: “虛短 ” “虛斷 ” 2) 運(yùn)放工作在非線性區(qū) * 電路特征 ——開(kāi)環(huán)或引入正反饋 * 電路特點(diǎn) —— 輸出電壓的兩種飽和狀態(tài) : 當(dāng) u+u時(shí)， uo=+Uom 當(dāng) u+u時(shí)， uo=Uom 兩輸入端的輸入電流為零 : i+=i=0 13 第 五 章 放大電路 的頻率響應(yīng) 一 . 單級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1．中頻段 (fL≤f≤fH) 波特圖 幅頻曲線是 20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是 φ=180o。 直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。 反饋信號(hào)反饋到非輸入端） 5. 反饋極性 瞬時(shí)極性法： （ 1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用 +表示），并設(shè)信號(hào) 的頻率在中頻段。 (2) 正反饋網(wǎng)絡(luò) 與放大電路共同滿足振蕩條件。 導(dǎo)通角為 180o~360o，效率較高，失真較大。 3. β=β118
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