模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)解析-文庫吧在線文庫
【正文】 空穴）。 *正向?qū)▔航?硅管 ~，鍺管 ~。 第二章 167。 溫度升高 ICBO、 ICEO 、 IC 以及 β均增加。 3）改變 VCC：直流負(fù)載線平移， Q 點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。 4. 放大器的動(dòng)態(tài)范圍 （ 1） Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰 峰值。 22 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路 一 . 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ JFET ） 2. 輸出特性曲線 （可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)） 轉(zhuǎn)移特性曲線 UP 截止電壓 二 . 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（ MOSFET） 分為增強(qiáng)型（ EMOS）和耗盡型（ DMOS）兩種。 3. 直接耦合 低頻特性好，便于集成。 多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。 二．反 饋的形式和判斷 1. 反饋的范圍 本級(jí)或級(jí)間。 反饋信號(hào)反饋到輸入端） 串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓 的形式相疊加。 四 . 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響 1. 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性 16 2. 3. 擴(kuò)展頻帶 4. 減小非線性失真及抑制干擾和噪聲 5. 改變放大電路的輸入、輸出電阻 *串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加 1+AF 倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小 1+AF 倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小 1+AF 倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加 1+AF 倍 五 . 自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件 1. 產(chǎn)生自激振蕩的原因 附加相移將負(fù) 反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。 二 . RC 正弦波振蕩電路 1. RC 串并聯(lián)正弦波振蕩電路 2. RC 移相式正 弦波振蕩電路 三 . LC 正弦波振蕩電路 1. 變壓器耦合式 LC 振蕩電路 判斷相位的方法：斷回路、引輸入、看相位 19 2. 三點(diǎn)式 LC 振蕩器 *相位條件的判斷 “射同基反 ”或 “三步曲法 ” （ 1） 電感反饋三點(diǎn)式振蕩器 (哈特萊電路 ) （ 2） 電容反饋三點(diǎn)式振蕩器 (考畢茲電路 ) （ 3） 串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路） （ 4） 并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路） 四 . 石英晶體振蕩電路 1. 并聯(lián)型石英晶體振蕩器 2. 串聯(lián)型石英晶體振蕩器 20 第 九 章 功 率放大電路 一 . 功率放大電路的三種工作狀態(tài) 導(dǎo)通角為 360o， ICQ 大，管耗大，效率低。 四 . 復(fù)合管的組成及特點(diǎn) 1. 前一個(gè)管子 ce極跨接在后一個(gè)管子的 bc極間。 五 . 電容濾波電路 1． 放電時(shí)間常數(shù)的取值 UO(AV) S 4 .整流二極管的平均電流 I D(AV) 六 . 三種單相整流電容濾波電路的比較 七． 并聯(lián)型穩(wěn)壓電路 1. 穩(wěn)壓電路及其工作原理 *當(dāng)負(fù)載不變，電網(wǎng)電壓 變化時(shí)的穩(wěn)壓過程 : *當(dāng)電網(wǎng)電壓不變，負(fù)載變化時(shí)的穩(wěn)壓過程 : 2. 電路參數(shù)的計(jì)算 * 穩(wěn)壓管的選擇 常取 UZ=UO； IZM= (~3)IOmax * 輸入電壓的確定 一般取 UI(AV)= (2~3)UO * 限流電阻 R 的計(jì)算 R 的選用原則是： IZminIZ IZmax。 ? 整流電路：將正負(fù)交替的交流電壓整流成為單方向的脈動(dòng)電壓。 2. 解決辦法 ? 甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器 OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。 (4) 穩(wěn)幅環(huán)節(jié) 使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。 （ 3）確定反饋信號(hào)的極性。 （輸出短路時(shí)反饋消失） 電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。 2．當(dāng) ＡＦ ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。 二 . 長尾差
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