晶硅太陽能電池工藝簡介(更新版)
【正文】 導(dǎo)入反應(yīng)腔中。PECVD鍍膜 工藝目的P型襯底氮化硅減反層n+ 發(fā)射極? 在擴(kuò)散后的硅片上形成一層致密的氮化硅（ SiNx）層，進(jìn)一步降低反射率。高濃度磷原子分布示意圖刻蝕去邊或腐蝕去背結(jié)? 擴(kuò)散過程中，在硅片的周邊表面也形成了擴(kuò)散層。熱擴(kuò)散反應(yīng)POCl3在高溫下（ 600℃ ）分解生成五氯化磷（ PCl5）和五氧化二磷（ P2O5），其反應(yīng)式如下：生成的 P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅（ SiO2）和磷原子，其反應(yīng)式如下： POCl3熱分解時，如果沒有外來的氧（ O2）參與其分解是 不充分 的，生成的 PCl5是不易 分解的，并且對硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài) 。同樣， P型區(qū)域中鄰近 N型區(qū)域一邊的薄層內(nèi)有一部分空穴擴(kuò)散到 N型區(qū)域一邊去了。一般硅太陽能電池中襯底雜質(zhì)為硼（ B），擴(kuò)散雜質(zhì)為磷（ P）為什么有一面沒有結(jié)？擴(kuò)散制結(jié)基礎(chǔ)（ diffusion）? 制結(jié)過程是在一塊 半導(dǎo)體 基體材料上生成導(dǎo)電類型不同的 半導(dǎo)體 層 。硅太陽電池中最常用的 V族雜質(zhì)元素為磷， Ⅲ 族雜質(zhì)元素為硼。太陽能電池擴(kuò)散方法? 擴(kuò)散工藝的摻雜源各不相同，基本的擴(kuò)散有 :? 固態(tài)源： 磷紙，硼紙，磷酸二氫銨 (結(jié)晶狀 ),用于管式擴(kuò)散。擴(kuò)散設(shè)備及擴(kuò)散間設(shè)備操作擴(kuò)散管路原理圖擴(kuò)散基本步驟擴(kuò)散工序檢測內(nèi)容? 方塊電阻（四探針測試儀）? 少子壽命（ semilab WT1000)方塊電阻的意義及測量? 擴(kuò)散層的薄層電阻也稱方塊電阻，即表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向（電流方向平行于正方形的邊）所呈現(xiàn)的電阻。? 去邊的方法有 干法刻蝕和濕法 腐蝕 兩種刻蝕原理? 干法刻蝕原理：等離子體刻蝕 是采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物而被去除。? 形成良好的絕緣層。直接式 PECVD 間接式 PECVD等離子的兩種產(chǎn)生方式比較PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)平板式 PECVD設(shè)備平板式 PECVD工藝過程管式 PECVD鍍膜設(shè)備管式 PECVD工藝控制過程boatheating cassetteplasma generatorCESARloadingmachinegas supplyN2SiH4NH3vacuum pumpscrubberExhaust管式 PECVD的基本工藝步驟PECVD檢測內(nèi)容? 膜厚、折射率（橢偏儀）? 反射率（ D8反射儀）? 外觀均勻性、顏色（目測）制備電極? 制備電極的目的：? 收集電流? 引出電流? 將單體電池焊接成串制備電極的方法? 絲網(wǎng)印刷法： 在網(wǎng)版上制作特定電極圖形，通過刮刀的運(yùn)動將網(wǎng)版上的金屬漿料擠出網(wǎng)版，落在網(wǎng)版下面的硅片上，形成電極圖形。因為系統(tǒng)總是力求達(dá)到最低的表面自由能狀態(tài)，所以在燒結(jié)過程中，粉末系統(tǒng)總的表面自由能必然要降低，這就是燒結(jié)的動力學(xué)原理。美國環(huán)境科學(xué)委員會，于 2022年 11月 24日正式宣布，由即日起取消并廢除潔凈室的美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn) 《 FedSta209E》 ，在美國等效使用 “ISO146441”潔凈室等級的
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1