晶硅太陽能電池工藝簡介(存儲版)
【正文】 外觀均勻性硅片制絨前后的反射率對比擴散制結(jié)（ diffusion）在 P型硅襯底擴散 N型雜質(zhì)，在襯底表層形成 PN結(jié)。 制結(jié)方法為使磷元素在擴散進(jìn)硼摻雜的半導(dǎo)體，在兩種摻雜的半導(dǎo)體交界處形成 PN結(jié)。 絲網(wǎng)印刷磷漿料后 (鏈?zhǔn)?)擴散? 液態(tài)源： POCL3， BBr3，用于管式擴散。用 Rs和R□ 表示， sheet resistance。它的 優(yōu)勢在于快速的刻蝕速率同時可獲得良好的物理形貌 。PECVD原理 PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。絲網(wǎng)印刷方法制作電極圖形成本低，產(chǎn)量高，是目前規(guī)?；a(chǎn)中普遍采用的一種制備電極的方法。v 固體顆粒具有很大的比表面積，具有極不規(guī)則的復(fù)雜表面狀態(tài)以及在顆粒的制造 、細(xì)化處理等加工過程中，受到的機械、化學(xué)、熱作用所造成的嚴(yán)重結(jié)晶缺陷等，系統(tǒng)具有很高自由能 .燒結(jié)時，顆粒由接觸到結(jié)合，自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統(tǒng)的自由能降低，系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。在以后的文件中，再出現(xiàn)美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn) 《 FedSta209E》 的等級內(nèi)容的字樣，該文件可視之無效文件，或劣質(zhì)文件或不合格文件。反應(yīng)方程式：4. 簡述絲網(wǎng)印刷的制作流程（順序）答： 背電極 印刷 烘干 背電場 印刷 烘干 正電極 印刷 烘干 +燒結(jié) 測試分 選5. 晶硅太陽能電池車間潔凈度答： 制絨 萬級（ ISO class7）擴散前清洗、擴散 千級（ ISO class6）刻蝕、去 PSG 萬級（ ISO class7）PECVD 、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)、測試分選十萬級（ ISO class8）。? 美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn) 《 FedSta209E》 為潔凈室潔凈等級，一個歷史階段以來，為世界各國所采用，在規(guī)范設(shè)計行為方面，發(fā)揮了巨大的作用，隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，它完成了其歷史使命。漿料中的固體顆粒系統(tǒng)是高度分散的粉末系統(tǒng)，具有很高的表面自由能。 間接 PECVD的沉積速率比直接的要高很多，這對大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。? 阻擋金屬離子和水蒸汽的擴散。周邊上存在任何微小的局部短路都會使電池并聯(lián)電阻下降，以至成為廢品。 在 有氧氣的存在時， POCl3熱分解的反應(yīng)式為： POCl3分解產(chǎn)生的 P2O5淀積在硅片表面， P2O5與硅反應(yīng)生成 SiO2和磷 原子并在硅片表面形成一層磷 硅玻璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴散 。這樣在 N型區(qū)和 P型區(qū)交界面的兩側(cè)形成了帶正、負(fù)電荷的區(qū)域，叫做空間電荷區(qū)，也叫PN結(jié)。? 擴散是物質(zhì)分子或原子運動引起的一種自然現(xiàn)象，熱擴散制 p— n結(jié)法為用加熱方法使 V族雜質(zhì)摻入 P型或 Ⅲ 族雜質(zhì)摻入 N型硅 而制成 。制結(jié)方法有熱擴散，離子注入，外延，激光及高頻電注入法等。由于這個薄層失去了一空穴，在 P區(qū)就形成了帶負(fù)電荷的區(qū)域。在 有外來 O2存在的情況下，PCl5會進(jìn)一步分解成 P2O5并放出氯氣（ Cl2）其反應(yīng)式 如下 ： 生成 的 P2O5又進(jìn)一步與硅作用，生成 SiO2和磷原子， 由此可見在磷擴散時 ， 為了促使 POCl3充分的
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