晶硅太陽(yáng)能電池工藝簡(jiǎn)介(文件)
【正文】 極 印刷 烘干 +燒結(jié) 測(cè)試分 選5. 晶硅太陽(yáng)能電池車(chē)間潔凈度答： 制絨 萬(wàn)級(jí)（ ISO class7）擴(kuò)散前清洗、擴(kuò)散 千級(jí)（ ISO class6）刻蝕、去 PSG 萬(wàn)級(jí)（ ISO class7）PECVD 、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)、測(cè)試分選十萬(wàn)級(jí)（ ISO class8）。 PECVD方法的特點(diǎn)是等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的激活能。在以后的文件中，再出現(xiàn)美國(guó)聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn) 《 FedSta209E》 的等級(jí)內(nèi)容的字樣，該文件可視之無(wú)效文件，或劣質(zhì)文件或不合格文件。? 標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光功率密度： 1kW/m2 =100mW/m2 ，以此作為測(cè)試儀器的入射光的功率密度即： Pin= 1kW/m2 =100mW/m2 ? 測(cè)試環(huán)境溫度： 25 ℃電池參數(shù)的定義? 短路電流 Isc： 電池短路（ Uoc=0)時(shí)的電流，即最大電流；? 開(kāi)路電壓 Uoc： 電池開(kāi)路（ Isc=0）時(shí)的電壓，即最大電壓 。v 固體顆粒具有很大的比表面積，具有極不規(guī)則的復(fù)雜表面狀態(tài)以及在顆粒的制造 、細(xì)化處理等加工過(guò)程中，受到的機(jī)械、化學(xué)、熱作用所造成的嚴(yán)重結(jié)晶缺陷等，系統(tǒng)具有很高自由能 .燒結(jié)時(shí)，顆粒由接觸到結(jié)合，自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能降低，系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。網(wǎng) 框 印 刷 網(wǎng) 粘著劑 刮 刀印 墨版 膜 印 刷基 材絲網(wǎng)印刷流程P型襯底背電極印刷 烘干背電場(chǎng)印刷 烘干正電極印刷烘干 +燒結(jié)測(cè)試分選電池的正背面電極圖形柵線(xiàn)（銀漿）背電場(chǎng)：鋁漿背電極：鋁漿或銀鋁漿電池片正面電池片反面絲網(wǎng)印刷的設(shè)備 (Baccini)絲網(wǎng)印刷檢測(cè)內(nèi)容? 副柵線(xiàn)寬度、高度（晶相顯微鏡）? 印刷濕重（電子天平）? 印刷圖形完整性（目測(cè)）燒結(jié)的目的? 燃盡金屬漿料中的有機(jī)成分；? 燒穿絕緣的氮化硅膜，使?jié){料中的金屬和硅熔融合金，形成歐姆接觸；? 對(duì)經(jīng)過(guò)等離子轟擊的硅片退火，激活摻雜的原子，消除晶格損傷；? 激活氮化硅膜 ( )中的氫離子，使之鈍化硅片內(nèi)部晶格缺陷。絲網(wǎng)印刷方法制作電極圖形成本低，產(chǎn)量高，是目前規(guī)模化生產(chǎn)中普遍采用的一種制備電極的方法。間接式 — 基片不接觸激發(fā)電極（如 45GHz微波激發(fā)等離子 ),在微波激 發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管 導(dǎo)入反應(yīng)腔中。PECVD原理 PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。PECVD鍍膜 工藝目的P型襯底氮化硅減反層n+ 發(fā)射極? 在擴(kuò)散后的硅片上形成一層致密的氮化硅（ SiNx）層，進(jìn)一步降低反射率。它的 優(yōu)勢(shì)在于快速的刻蝕速率同時(shí)可獲得良好的物理形貌 。高濃度磷原子分布示意圖刻蝕去邊或腐蝕去背結(jié)? 擴(kuò)散過(guò)程中，在硅片的周邊表面也形成了擴(kuò)散層。用 Rs和R□ 表示， sheet resistance。熱擴(kuò)散反應(yīng)POCl3在高溫下（ 600℃ ）分解生成五氯化磷（
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