晶硅太陽能電池工藝簡介-在線瀏覽
2024-09-26 02:00本頁面
【正文】 區(qū)就形成了帶負電荷的區(qū)域。太陽能電池擴散方法? 擴散工藝的摻雜源各不相同，基本的擴散有 :? 固態(tài)源： 磷紙，硼紙，磷酸二氫銨 (結(jié)晶狀 ),用于管式擴散。 噴涂磷酸二氫銨水溶液后 (鏈?zhǔn)?)擴散。因此目前國內(nèi)使用最多的是 POCl3液態(tài)源擴散法。在 有外來 O2存在的情況下，PCl5會進一步分解成 P2O5并放出氯氣（ Cl2）其反應(yīng)式 如下 ： 生成 的 P2O5又進一步與硅作用，生成 SiO2和磷原子， 由此可見在磷擴散時 ， 為了促使 POCl3充分的分解和避免 PCl5對硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮氣的同時通 入一定 流量的氧氣 。擴散設(shè)備及擴散間設(shè)備操作擴散管路原理圖擴散基本步驟擴散工序檢測內(nèi)容? 方塊電阻（四探針測試儀）? 少子壽命（ semilab WT1000)方塊電阻的意義及測量? 擴散層的薄層電阻也稱方塊電阻，即表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向（電流方向平行于正方形的邊）所呈現(xiàn)的電阻。一般用四探針法測量。雜質(zhì)在硅中的分布近似為 余誤差分布 。周邊擴散層使電池的上下電極形成短路環(huán)，必須將它除去。? 去邊的方法有 干法刻蝕和濕法 腐蝕 兩種刻蝕原理? 干法刻蝕原理：等離子體刻蝕 是采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物而被去除。濕法腐蝕原理： 在硝酸、氫氟酸 、硫酸 組成的腐蝕液中腐蝕３０秒鐘左右 ，去除硅片背面結(jié)及周邊結(jié)部分，一般使用的設(shè)備為在線式腐蝕設(shè)備。去 PSG在 HF溶液中進行，反應(yīng)如下：SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2OP型襯底為什么只有一面消失？等離子刻蝕基本步驟去磷硅玻璃清洗機刻蝕 +去 PSG檢測內(nèi)容邊緣 PN型（冷熱探針法）外觀 （目測）PECVD鍍膜? PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等離子增強化學(xué) 氣相沉積等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部分外層電子脫離原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合組成的一種形態(tài) ,這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)，等離子體從宏觀來也是電中性但是在局部可以為非電中性。? 富 H的氮化硅在經(jīng)過一定的高溫后（燒結(jié)過程）能夠?qū)梵w材料形成很好的鈍化作用。? 形成良好的絕緣層。 PECVD方法的特點是等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。 反應(yīng)方程式：PECVD等離子產(chǎn)生方式：直接式 — 基片位于一個電極上，直接接觸等離子體（低頻放電 10500kHz 或高頻 1 56MHz),在射頻激發(fā)的等離子的腔體內(nèi)，高速運動的 電子激發(fā)反應(yīng)氣體 NH3和 SiH4產(chǎn)生等離子，沉積在硅片表面。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) NH3，而 SiH4直接進 入反應(yīng)腔。直接式 PECVD 間接式 PECVD等離子的兩種產(chǎn)生方式比較PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)平板式 PECVD設(shè)備平板式 PECVD工藝過程管式 PECVD鍍膜設(shè)備管式 PECVD工藝控制過程boat
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1