晶硅太陽(yáng)能電池工藝簡(jiǎn)介-文庫(kù)吧資料
2024-08-29 02:00本頁(yè)面
【正文】 料從特制的噴嘴噴出，沉積到電池表面形成電極，這種方法制備的電極具有較好的高寬比，但目前設(shè)備尚不成熟，規(guī)?；瘧?yīng)用較少。絲網(wǎng)印刷方法制作電極圖形成本低，產(chǎn)量高，是目前規(guī)模化生產(chǎn)中普遍采用的一種制備電極的方法。 間接 PECVD的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。間接式 — 基片不接觸激發(fā)電極（如 45GHz微波激發(fā)等離子 ),在微波激 發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管 導(dǎo)入反應(yīng)腔中。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，能顯著降低薄膜沉積的溫度范圍。PECVD原理 PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。? 阻擋金屬離子和水蒸汽的擴(kuò)散。PECVD鍍膜 工藝目的P型襯底氮化硅減反層n+ 發(fā)射極? 在擴(kuò)散后的硅片上形成一層致密的氮化硅（ SiNx）層，進(jìn)一步降低反射率。等離子刻蝕機(jī)去磷硅玻璃硅片在經(jīng)過(guò)等離子體刻蝕后，在前表面尚存在一 層磷硅玻璃層（ PSG層，含 磷的二氧化硅 ）， PSG層具有親水性，易潮解，必須 在 PECVD鍍膜之前去掉 。它的 優(yōu)勢(shì)在于快速的刻蝕速率同時(shí)可獲得良好的物理形貌 。周邊上存在任何微小的局部短路都會(huì)使電池并聯(lián)電阻下降，以至成為廢品。高濃度磷原子分布示意圖刻蝕去邊或腐蝕去背結(jié)? 擴(kuò)散過(guò)程中，在硅片的周邊表面也形成了擴(kuò)散層。? Rs=ρ /t (其中 ρ 為塊材的電阻率 ,t為塊材厚度）方塊電阻的 大小直接反映了擴(kuò)散入硅內(nèi)部的凈雜質(zhì)總量? 對(duì)于太陽(yáng)能電池?cái)U(kuò)散工藝，可以認(rèn)為硅片周圍的雜質(zhì)濃度是恒定的，不隨時(shí)間而改變，硅片的表面濃度 Ns保持不變。用 Rs和R□ 表示， sheet resistance。 在 有氧氣的存在時(shí)， POCl3熱分解的反應(yīng)式為： POCl3分解產(chǎn)生的 P2O5淀積在硅片表面， P2O5與硅反應(yīng)生成 SiO2和磷 原子并在硅片表面形成一層磷 硅玻璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散 。熱擴(kuò)散反應(yīng)POCl3在高溫下（ 600℃ ）分解生成五氯化磷（ PCl5）和五氧化二磷（ P2O5），其反應(yīng)式如下：生成的 P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅（ SiO2）和磷原子，其反應(yīng)式如下： POCl3熱分解時(shí)，如果沒(méi)有外來(lái)的氧（ O2）參與其分解是 不充分 的，生成的 PCl5是不易 分解的，并且對(duì)硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài) 。 其中 POCl3液態(tài)源擴(kuò)散方法具有生產(chǎn)效率較高，得到 PN結(jié)均勻、平整和擴(kuò)散層表面良好等優(yōu)點(diǎn)，這對(duì)于制作具有大面積結(jié)的太陽(yáng)電池是非常重要的。 絲網(wǎng)印刷磷漿料后 (鏈?zhǔn)?)擴(kuò)散? 液態(tài)源： POCL3， BBr3，用于管式擴(kuò)散。這樣在 N型區(qū)和 P型區(qū)交界面的兩側(cè)形成了帶正、負(fù)電荷的區(qū)域，叫做空間電荷區(qū)，也叫PN結(jié)。同樣， P型區(qū)域中鄰近 N型區(qū)域一邊的薄層內(nèi)有一部分空穴擴(kuò)散到 N型區(qū)域一邊去了。PN結(jié)（ PN junction）N型 P型
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