晶硅太陽能電池工藝簡介-免費(fèi)閱讀
【正文】 2. 液態(tài)擴(kuò)散源三氯氧磷在有氧氣的擴(kuò)散條件下的反應(yīng)式 (不是方程式 )答：3. 簡述 PECVD的原理的特點(diǎn)，并寫出反應(yīng)式答： PECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。包裝入庫? 測(cè)試目的：通過模擬太陽光對(duì)太陽能電池進(jìn)行參數(shù)測(cè)試和分析，并將電池片按照電性能和外觀等要求進(jìn)行分類，包裝入庫。絲網(wǎng)印刷的原理印刷基材（硅片）刮刀擠壓印刷油墨，并借助刮刀面和網(wǎng)版網(wǎng)結(jié)的阻攔，使印刷油墨呈現(xiàn)出逆向滾動(dòng)狀態(tài)，當(dāng)油墨行至網(wǎng)版未被乳膠膜阻擋的電極圖形區(qū)時(shí)即向下穿透網(wǎng)孔接觸印刷基材 (硅片 )，刮刀繼續(xù)往前推移是，則因網(wǎng)版張力及離版間距，使油墨脫離網(wǎng)版，附著于印刷基材上，達(dá)到印刷的目的。 反應(yīng)方程式：PECVD等離子產(chǎn)生方式：直接式 — 基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體（低頻放電 10500kHz 或高頻 1 56MHz),在射頻激發(fā)的等離子的腔體內(nèi)，高速運(yùn)動(dòng)的 電子激發(fā)反應(yīng)氣體 NH3和 SiH4產(chǎn)生等離子，沉積在硅片表面。去 PSG在 HF溶液中進(jìn)行，反應(yīng)如下：SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2OP型襯底為什么只有一面消失？等離子刻蝕基本步驟去磷硅玻璃清洗機(jī)刻蝕 +去 PSG檢測(cè)內(nèi)容邊緣 PN型（冷熱探針法）外觀 （目測(cè)）PECVD鍍膜? PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等離子增強(qiáng)化學(xué) 氣相沉積等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部分外層電子脫離原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合組成的一種形態(tài) ,這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)，等離子體從宏觀來也是電中性但是在局部可以為非電中性。雜質(zhì)在硅中的分布近似為 余誤差分布 。因此目前國內(nèi)使用最多的是 POCl3液態(tài)源擴(kuò)散法。由于這個(gè)薄層失去了一些電子，在 N區(qū)就形成帶正電荷的區(qū)域。硅片 機(jī)械損傷層（ 4~10微米）硅 表面損傷層去除 單晶硅絨面減反射示意圖單晶制絨原理： Si+2NaOH+H2O==Na2SiO3+2H2 總反應(yīng)方程式為：100面晶體硅在堿性溶液中由于各向異性腐蝕， 形成 金字塔結(jié)構(gòu)：單晶硅槽式制絨設(shè)備單晶制絨工藝流程圖多晶硅片在 HFHNO3溶液中，由于反應(yīng)的不均勻形成大小不等的腐蝕坑；反應(yīng) 如下： Si+2HNO3+6HF = H2[SiF6]+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF = 3H2[SiF6]+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF = 3H2[SiF6]+2NO+4H2O+3H2 5Si+6HNO3+30HF=5H2[SiF6]+2NO2+4NO+10H2O+3H2 多晶硅片制絨原理多晶硅絨面形貌圖多晶硅制絨工藝流程刻蝕 /制絨 干燥 漂洗 堿洗 漂洗 酸洗 漂洗 干燥在線式制絨設(shè)備 —— 在線式制（ RENA）在線式制絨內(nèi)部結(jié)構(gòu)（ Schmid）制絨工序檢驗(yàn)內(nèi)容? 減薄量? 反射率 ?
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1