【正文】 的 S2p1/2和 S2p3/2譜線 三、化合物結(jié)構(gòu)鑒定 化學(xué)結(jié)構(gòu)分析 原理 ? 光電子譜線化學(xué)位移 (Photoelectron line chemical shifts and separations). ? XPS通過測(cè)定內(nèi)層電子能級(jí)譜的化學(xué)位移，推知原子結(jié)合狀態(tài)和電子分布狀態(tài)。由圖 512可知，除氫以外，其它元素的譜峰均清晰可見。 1）全譜掃描 (Survey scan)； 2）窄譜掃描 (Narrow scan or Detail scan) ? 主要依據(jù)是組成元素的光電子的特征能量值具唯一性。 定性分析 特點(diǎn) ? 盡管 X射線可穿透樣品很深但只有樣品近表面一薄層發(fā)射出的光電子可逃逸出來，電子的逃逸深度和非彈性散射自由程為同一數(shù)量級(jí)范圍。 常見的 X射線激發(fā)源有： Mg Ka1,2(1254ev） ， Al Ka1,2(1487ev） ， Cu， Ti。 ?具體應(yīng)力測(cè)定方法有 sin2ψ 法和０ 186。 總結(jié) 2 物相分析 ?物相分析工作主要是定性分析。 ， ? 代如公式有 D?MnO2（ 131） = 260 197。 圖 5 X射線衍射法對(duì)礦物中藥磁石的物相分析圖譜 2. 晶胞參數(shù)與結(jié)構(gòu)的測(cè)定 由布拉格方程 2 d sin? = ? 推得 sin2?= ( ? / 2 ) 2 / d 2 （ 1） 對(duì)于立方晶系，晶面間距與晶胞參數(shù)有如下關(guān)系 d = a / ( h 2+ k2 + l 2) 1/2 （ 2） 將 (2) 式代入 (1)式得： sin2? = ( h2 + k2 + l2 ) ( ?/2a )2 （ 3） 由此可見 sin2?值與衍射指標(biāo)的平方和成正比。現(xiàn)在 X射線衍射法已成為科學(xué)技術(shù)上應(yīng)用相當(dāng)廣泛的方法之一，遍及物理、化學(xué)、礦物、巖石、金相、冶金、陶瓷、水泥等各個(gè)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，成為生產(chǎn)和科學(xué)研究中重要的有些領(lǐng)域甚至是不可缺少的分析工具。 ?衍射線束的方向由晶胞的形狀大小決定 ?衍射線束的強(qiáng)度由晶胞中原子的位置和種類決定， ?衍射線束的形狀大小與晶體的形狀大小相關(guān)。 Page ? 8 X射線的強(qiáng)度 ?X射線衍射理論能將晶體結(jié)構(gòu)與衍射花樣有機(jī)地聯(lián)系起來，它包括衍射線束的方向、強(qiáng)度和形狀。它不僅得到了化學(xué)工作者的重視，而且也吸引了其它領(lǐng)域工作者的注意。 ? 字母索引 ?? 戴維 ? K法，已知樣品中某些元素做相分析時(shí)用，先推測(cè)出可能的化合物，然后根據(jù)英文名稱查對(duì)確定。 應(yīng)用實(shí)例：電解二氧化錳晶粒大小測(cè)定 ? 實(shí)驗(yàn)測(cè)得電解 ?MnO2（ 131） ? 峰位 2? = ? ? ?積分寬 = ?（經(jīng)校正后） ， ? ? = 197。el temperature in CaMnO 3? δ ceramics: Synthesized by two different methods 總結(jié) ?本章著重介紹三個(gè)問題： ?1 精確測(cè)量晶體的點(diǎn)陣常數(shù) ?2 物相定性 和定量分析 ?3 應(yīng)力測(cè)定 總結(jié) 1 精確測(cè)量晶體的點(diǎn)陣常數(shù) ?X射線點(diǎn)陣常數(shù)精確測(cè)定中的關(guān)鍵是θ 角，為獲得精確的點(diǎn)陣常數(shù)要盡量選擇高角度的 θ 角。 ?θ 角變化 晶面間距變化 反映的是應(yīng)變 換算成應(yīng)力。 ? Xray: 原子外層電子從 L層躍遷到 K層產(chǎn)生的射線。特定元素的特定軌道產(chǎn)生的光電子能量是固定的，依據(jù)其結(jié)合能就可以標(biāo)定元素； ?從理論上，可以分析除 H， He以外的所有元素，并且是一次全分析，范圍非常廣。 ? 方法：通過測(cè)定譜中不同元素內(nèi)層光電子峰的結(jié)合能直接進(jìn)行元素定性分析。 XPS定性分析 圖 513 的 X射線光電子能譜圖 3 7 4 2 2( C H ) N S P F??圖 512為已標(biāo)識(shí)的 (C3H7)4NS2PF2的 X射線光電子譜圖。這就是由于兩種硫原子所處的化學(xué)環(huán)境不同而造成內(nèi)殼層電子結(jié)合能的化學(xué)位移，利用它可以推測(cè)出化合物的結(jié)構(gòu)。 圖 515 C3S水化表面CaO/SiO2隨水化時(shí)間的變化 圖 516 βC2S水化表面濺射后 Ca/Si變化 Reference : 《 材料結(jié)構(gòu)表征及應(yīng)用 》 ，吳剛主編，化學(xué)工業(yè)出版社 《 現(xiàn)代分析技術(shù) 》 ，陸家和，陳長彥主編，清華大學(xué)出版社 Page ? 79 感謝您的關(guān)注 更多模板下載 請(qǐng)到 WPS在線模板