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高二化學物質的結構與性質專項訓練單元達標綜合模擬測評學能測試(更新版)

2025-04-05 05:02上一頁面

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【正文】 )H2Te、H2Se、H2S均是分子晶體,相對分子質量逐漸減小,范德華力減小,所以沸點減小,但由于氫鍵的作用力比范德華力強,氫鍵會使沸點異常升高,會導致H2O的沸點異常的高,所以沸點大小為H2O>H2Te>H2Se>H2S,故答案為:H2Te、H2Se、H2S均是分子晶體,相對分子質量逐漸減小,范德華力減小,所以沸點減小,而水分子中存在氫鍵,所以沸點最高;(4)甲基中碳原子形成4個σ鍵,沒有孤電子對,雜化軌道數(shù)目為4,碳原子雜化方式為sp3,而羰基中C原子形成3個σ鍵,沒有孤電子對,雜化軌道數(shù)目為3,碳原子雜化方式為sp2;NH3中N原子形成3個NH鍵,含有1對孤對電子,價層電子對數(shù)=3+1=4,價電子對互斥理論模型是四面體形,故答案為:spsp2;四面體形;(5)①根據(jù)晶胞結構分析,C位于晶胞體心,則C的原子坐標為:,故答案為:;②1mol晶胞,即有NA個晶胞,質量為m=2(642+16)g=1442g,所以密度為ρ=,故答案為:。故答案為:c。故答案為:< ;因為NH3提供孤對電子與Cu2+形成配位鍵后,NH成鍵電子對受到的排斥力減小,所以HNH鍵角增大;(3)銅金合金是一種儲氫材料,晶胞參數(shù)anm,面心立方堆積,銅原子在晶胞的面心位置,金原子在晶胞的頂點位置。②丙烯腈(H2C=CH-C≡N)分子中碳原子軌道雜化類型是_______;分子中σ鍵和π鍵數(shù)目之比為_______。(5)K4[Fe(CN)6]11.(NH4)3[Fe(SCN)6]、[Fe(TCNE)(NCCH3)2][FeCl4] 、K4[Fe(CN)6](1)基態(tài)B原子的價電子軌道表達式為__,第二周期第一電離能比B高的元素有__種。其鍵能可通過類似于BornHaber循環(huán)能量構建能量圖a計算鍵能。(4)如圖是SiO2晶胞,構成二氧化硅晶體結構的最小環(huán)是由__個原子構成。(5)石墨烯具有很大的比表面積,有望用于制超級電容器?;鶓B(tài)Fe原子未成對電子數(shù)為________。請回答下列問題:(1)基態(tài)鉻的價電子排布式為_____________,其單電子數(shù)目為______________。5NH3(紫紅色)和1mo1CoC13?4NH3(綠色)溶于水,加入AgNO3溶液,立即沉淀的AgCl分別為2mo1mol。a. b. c. d.(2)寫出CO的一種常見等電子體分子的結構式:______;C、N、O的第一電離能由大到小的順序為______(用元素符號表示)。①圖甲是一種鎳基合金儲氫后的晶胞結構示意圖。③已知圖2所示晶胞中C、D兩原子核間距為298pm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該晶體密度為___________________ g(3)硫化亞銅和氧化亞銅均為離子晶體,二者比較,熔點較高的是氧化亞銅,原因為_________________________________________。(6)硫酸和硝酸都是常見的強酸,但性質差異明顯:硫酸是粘稠的油狀液體,沸點338℃;硝酸是無色液體,沸點僅為122℃,試從氫鍵的角度解釋原因:______。高二化學物質的結構與性質專項訓練單元達標綜合模擬測評學能測試一、物質的結構與性質的綜合性考察1.Ⅰ.過渡金屬元素性質研究在無機化學中所占的比重越來越大。(5)NO3的立體構型的名稱是______,NO3的一種等電子體為______。mol1, ICu>INi的原因是________________________________________________________。圖2中各原子坐標參數(shù)A為(0,0,0);B為(0,1,1);C為(1,1,0);則D原子的坐標參數(shù)為____________。a.離子鍵 b.金屬鍵 c.配位鍵 d.氫鍵(4)鎳基合金儲氫的研究已取得很大進展。4.工業(yè)上合成氨,CO易與鐵觸媒作用導致鐵觸媒失去催化活性:Fe+5CO═Fe(CO)5.為了防止催化劑鐵觸媒中毒,要除去CO,發(fā)生的反應為Cu(NH3)2OOCCH3+CO+NH3═Cu(NH3)3(CO)OOCCH3.回答下列問題:(1)下列氮原子的電子排布圖表示的狀態(tài)中,能量最低的是______(填字母序號)。(3)配位化學創(chuàng)始人維爾納發(fā)現(xiàn),將1mo1CoC136.鉻是一種應用廣泛的金屬材料。(1)以Ni—Cr—Fe為催化劑,一定條件下可將石墨轉化為金剛石。②石墨烯轉化為氧化石墨烯時,1號C與相鄰C原子間鍵能的變化是________(填“變大”“變小”或“不變”)。②硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都很少,原因是__。(5)SF6被廣泛用于高壓電器設備的絕緣介質。(列出計算式即可)10.硼的無機化學問題比周期表里任何一種元素都更復雜和變化多端。Mg屬六方最密堆積,其晶胞結構如圖4所示,若在晶胞中建立如圖5所示的坐標系,以A為坐標原點,把晶胞的底邊邊長和高都視作單位1,則B、E、C的坐標分別為B(1,0,0)、E(0,1,0)、C(0,0,1),請寫出D點的坐標:D:___。②TCNE中第一電離能較大的是 ___(填元素符號),分子中所有原子____(填“在”或“不在”)同一平面,分子中σ 鍵與π鍵的數(shù)目之比是 ___。A.離子鍵 B.金屬鍵 C.氫鍵 D.共價鍵(3)已知(CN)2性質類似Cl2: (CN)2+2KOH=KCN+KCNO+H2O KCN+HCl=HCN+KCl HC≡CH+HCN→H2C=CH-C≡N ①KCNO中各元素原子的第一電離能由小到大排序為________。故答案為:第四周期第ⅠB族;(2)氨分子中有孤電子對,孤電子對對成鍵電子對作用力大,NH3和[Cu(NH3)2]2+中HNH鍵角的大?。篘H3<[Cu(NH3)2]2+,理由:因為NH3提供孤對電子與Cu2+形成配位鍵后,NH成鍵電子對受到的排斥力減小,所以HNH鍵角增大。故答案為:硫酸易形成分子間氫鍵,所以比較粘稠、沸點高;硝酸能夠形成分子內氫鍵,所以沸點比較低;(7)由氫鍵的形成條件及成鍵元素(N、O、F、H)可知,本題中嵌入某微粒分別與4個N原子形成4個氫鍵,由成鍵元素及數(shù)目可知為NH4+?!军c睛】由晶胞示意圖可知Mg2+和 Ni 原子的最短距離為晶胞體對角線的。8.鍺 4s24p2 sp3雜化 直線型 烷烴分子組成和結構相似,隨著n值增大,相對分子質量增大,分子間作用力增大,熔沸點升高 SiSi鍵,SiH鍵鍵能比較小,易斷裂,解析:鍺 4s24p2 sp3雜化 直線型 烷烴分子組成和結構相似,隨著n值增大,相對分子質量增大,分子間作用力增大,熔沸點升高 SiSi鍵,SiH鍵鍵能比較小,易斷裂,不易形成長的硅鏈 12 【解析】【分析】【詳解】(1)最早用于制造半導體器件的的碳族元素是鍺,鍺是32號元素,位于第四周期,其價電子排布式為:4s24p2,故答案為:鍺;4s24p2;(2)CH3OH中,價層電子對數(shù)=σ鍵電子對數(shù)(4)+中心原子上的孤電子對數(shù)(0)=4,所以碳原子采取sp3雜化,SCN的中心C原子:價層電子對數(shù)=σ鍵電子對數(shù)(2)+中心原子上的孤電子對數(shù)(0)=2,所以SCN中C的雜化方式為sp雜化,SCN的空間構型為直線型,故答案為:sp3雜化;直線型;(3)①烷烴分子組成和結構相似,隨著n值增大,相對分子質量增大,分子間作用力增大,熔化和氣化時,所需克服的分子間作用力增大,熔沸點升高,故答案為:烷烴分子組成和結構相似,隨著n值增大,相對分子質量增大,分子間作用力增大,熔沸點升高;②比起CC鍵,CH鍵,SiSi鍵,SiH鍵鍵能比較小,易斷裂,不易形成長的硅鏈,但是CC是可以形成很長碳鏈的,故答案為:SiSi鍵,SiH鍵鍵能比較小,易斷裂,不易形成長的硅鏈;(4)從SiO2晶胞來看,構成二氧化硅晶體結構的最小環(huán)包含6個Si,6個O,共12個原子,均攤法可得:每個SiO2晶胞中Si的個數(shù)=8+6+4=8,O原子數(shù)=16,所以1mol晶胞的質量=(288+1616)g=480g,那么每個晶胞的質量m=,因為晶胞參數(shù)=apm=a1010cm,所以每個晶胞的體積V=(a1010cm)3,由==g[B(OH)4]的中心原子形成4個σ鍵,其中有一個是配位鍵,由O原子提供了孤對電子,其結構式為,其中心原子B原子的價層電子對數(shù)為4,故其VSEPR模型為正四面體形, [BH4]的等電子體有CHNH4+等。另外,對于六方晶胞,需要注意區(qū)別于立方晶胞,思維需改變過來,否則就會發(fā)生嚴重的錯
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