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現(xiàn)代分析測試技術(shù)之電子顯微測量(完整版)

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【正文】 能傳遞所有信息 , 光波訊號是決定分辨本領(lǐng)高低的主要因素 , 受光波的衍射 (Diffraction)等制約 2. 第二,分辨本領(lǐng)的高低取決于光學(xué)儀器元件的精度, 對光學(xué)顯微鏡來說,起主要作用的是物鏡,由計(jì)算得到光學(xué)顯微鏡所能分辨的最小距離 δ=(λ/Nsinα) 3. 第三,對光學(xué)儀器而言,任何系統(tǒng)的最終像將形成在某種裝置上,如眼睛的視網(wǎng)膜,電視攝像的鏡頭等,這些光學(xué)“儀器”的分辨率,不僅有一定的限制,而且僅能反映可見光 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 SECTION: 物理學(xué)基礎(chǔ) 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量2022/9/7 8 電子顯微分析方法的種類 ? 透射電子顯微鏡 (TEM)可簡稱透射電鏡 ? 掃描電子顯微鏡 (SEM)可簡稱掃描電鏡 ? 電子探針 X射線顯微分析儀簡稱電子探針 SECTION: 物理學(xué)基礎(chǔ) 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 2022/9/7 9 它們的根本不同點(diǎn)在于光學(xué)顯微鏡以可見光作照明束,透射電子顯微鏡則以電子為照明束。 此時需考慮運(yùn)動速度對粒子質(zhì)量的影響 . 根據(jù)相對性原理而得到電子波的波長表達(dá)式為: λ= (1+ 106U) 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 SECTION: 物理學(xué)基礎(chǔ) 2022/9/7 12 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 SECTION: 物理學(xué)基礎(chǔ) 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量2022/9/7 13 0 500 1000 1500 2022 2500 3000電子波長(A)電壓(kV )加速電壓 (kV) 電子波長 (A) 25 50 75 100 200 500 1000 3000 電子波長與電場電壓關(guān)系: 成反比 入射電子束 吸收電子 二次電子 背散射電子 俄歇電子 特征 X射線 透射電子 透射電子 (包含非彈性散射電子) (彈性散射電子) 樣 品 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 電子與物質(zhì)的相互作用 SECTION: 物理學(xué)基礎(chǔ) 2022/9/7 14 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量技術(shù) 背散射電子 (Back scattering electron簡稱 ) 被試樣反彈回來的入射電子 , 包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子 。 數(shù)量與試樣的厚度 、 密度 、 組成試樣的原子序數(shù)有關(guān) 。 概念: 特點(diǎn): 用途: 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量技術(shù) 俄歇電子 (auger electron) 由俄歇作用產(chǎn)生的自由電子稱為俄歇電子 。 利用俄歇電子可以對試樣 表面成分 和 表面形貌 進(jìn)行分析 。 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量技術(shù) 熒光 X射線 由 X射線激發(fā)產(chǎn)生的次級 X射線稱為熒光 X射線 。 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量技術(shù) 如右圖所示 , 入射電子束作用在試樣上 , 使得價帶 (滿帶 )上的電子激發(fā) , 從價帶越過禁帶進(jìn)入導(dǎo)帶 。 價帶 (滿帶 ) 導(dǎo)帶 禁帶 熒光 入射電子 雜質(zhì)能級 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量技術(shù) 各種物理信號的產(chǎn)生深度和廣度范圍 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量技術(shù) 各種物理信號的產(chǎn)生深度廣度、用途和分辨率 物理信號 產(chǎn)生深度 產(chǎn)生廣度 用 途 分辨率 儀 器 俄歇電子 < 10197。 掃描電鏡、電子探針 透鏡原理 電子在磁場中運(yùn)動,將受到洛倫磁力作用。為了使電鏡具有最佳分辨率,最好使衍射斑半徑和球差造成的散焦斑半徑相等。由于材料研究強(qiáng)調(diào)綜合分析,電鏡逐漸增加了一些其它專門儀器附件,如掃描電鏡、掃描透射電鏡、 X射線能譜儀、電子能損分析等有關(guān)附件,使其成為微觀形貌觀察、晶體結(jié)構(gòu)分析和成分分析的綜合性儀器,即分析電鏡。 60度, β=177。 A)照明部分 陰極 (接負(fù)高壓 ) 控制極 (比陰極負(fù) 100~1000伏 ) 陽極 電子束 聚光鏡 試樣 照明部分示意圖 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 2022/9/7 50 SECTION: 透射電子顯微 B)電子槍 電子槍的類型有熱發(fā)射和場發(fā)射兩種 , 大多用 鎢和六硼化鑭 材料 。這樣就在很大程度上縮小了發(fā)射表面。 2 . 真空系統(tǒng) 透射電鏡需要兩部分電源:一是供給電子槍的高壓部分,二是供給電磁透鏡的低壓穩(wěn)流部分。 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 SECTION: 透射電子顯微 2022/9/7 57 像襯度 ? 分為振幅襯度和相位襯度。 ? 樣品不同微區(qū)存在 原子序數(shù) 和 厚度 的差異形成的。 ? 樣品中各部分滿足衍射條件的程度不同引起。 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 SECTION: 透射電子顯微 2022/9/7 65 2022/9/7 JEOL2022UHR 電鏡做出來的高分辨像,該高分辨像是對一種有序的鈣鈦礦沿 [011]方向成像時得到的,從照片中可以清楚地看到鈣鈦礦的 A位離子清晰可見,因此其分辨率至少已經(jīng)達(dá)到 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 66 SECTION: 透射電子顯微 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量技術(shù) 22:40:46 熱泳探針取樣煙 黑 TEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=15%) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 ?=15%, h=10mm, t=120ms ?= 15%, h=40mm, t=50ms 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量技術(shù) 22:40:46 熱泳探針取樣煙 黑 TEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=20%) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 ?= 20%, h=10mm, t=120ms ?= 20%, h=40mm, t=50ms 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量技術(shù) 22:40:46 熱泳探針取樣煙 黑 TEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=25%) ?= 25%, h=10mm, t=120ms ?= 25%, h=40mm, t=50ms 火焰燃燒后煙黑癿粒徑分布( TEM) TEM圖像進(jìn)行邊界識別 乙烯火焰碳黑 TEM圖像 基于碳黑 TEM癿圖像癿碳黑分形結(jié)構(gòu)癿模擬 TEM圖像進(jìn)行邊界識別后求得粒徑分布 2022/9/7 72 TEM數(shù)據(jù)為研究顆粒在空氣中癿聚并提供依據(jù) . 北京市典型煙塵集合體的 TEM像 (a. 鏈狀; b. 簇狀; c. d. 密集鏈狀 ) 燃煤電廠排放的顆粒物的 TEM圖像 ( Als :aluminumsilicate glass。它是用細(xì)聚焦的電子束轟擊樣品表面 , 通過電子與樣品相互作用產(chǎn)生的二次電子 、 背散射電子等對樣品表面或斷口形貌進(jìn)行觀察和分析 。 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 SECTION: 掃描電子顯微 2022/9/7 81 背散射電子與二次電子 的信號強(qiáng)度與 Z的關(guān)系 二次電子信號在原子序數(shù)Z20后,其信號強(qiáng)度隨 Z變化很小。 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 SECTION: 掃描電子顯微 2022/9/7 86 ii i zcZ ??背散射電子的信號強(qiáng)度 I與原子序數(shù) Z的關(guān)系 : 43~32ZI?式中 Z為原子序數(shù), C為百分含量 (Wt%)。 Hexane extracted Toluene extracted 掃描電鏡的主要性能與特點(diǎn) ?放大倍率高( M=Ac/As) ?分辨率高( d0=dmin/M總) ?景深大( F≈ d0/β) ?保真度好 ?樣品制備簡單 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 SECTION: 掃描電子顯微 2022/9/7 96 放 大倍率高 從幾十放大到幾十萬倍,連續(xù)可調(diào)。 因?yàn)? N*sin??, 而可見光波長范圍為: ?=400nm700nm , 所以光學(xué)顯微鏡分辨率 d?? , 顯然 d ?200nm。 現(xiàn)代分析測試技術(shù) 電子顯微測量 SECTION: 掃描電子顯微 2022/9/7 99 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析 浙江大學(xué)熱能工程研究所 1h=10mm 2h=20mm 3h=30mm 4h=40mm ?=20%時的實(shí)驗(yàn)圖像 ?=20%時沉積物最厚區(qū)域的煙黑形態(tài) 22:40:47 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=15%, t=2min) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 A B C D ?= 15% h=10mm 22:40:47 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=15%, t=2min ) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 A B C D ?= 15% h=20mm 22:40:47 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=15%, t=2min ) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 A B C D ?= 15% h=30mm 22:40:47 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=25%, t=2min ) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 A B C D ?= 25% h=10mm 22:40:47 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=25%, t=2min ) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 A B C D ?= 25% h=20mm 22:40:47 多孔 SiC陶瓷的二次電子像 一般情況下, SEM景深比 TEM大 10倍,比光學(xué)顯微鏡( OM) 大 100倍。 其原理是:用細(xì)聚焦電子束入射樣品表面,激發(fā)出樣品元素的特征 X射線,分析特征 X射線的波長(或能量)可知元素種類;分析特征 X射線的強(qiáng)度可知元素的含量。因此, STM要求樣品表面能夠?qū)щ?,只能直接觀察導(dǎo)體和半導(dǎo)體的表面結(jié)構(gòu)。 Ⅱ 、原子力顯微鏡的結(jié)構(gòu) 1. 力檢測系統(tǒng) 即探針,由微懸臂和懸臂末端的針尖組成。 壓電陶瓷是一種性能奇特的材料,當(dāng)在壓電陶瓷對稱的兩個端面加上電壓時,壓電陶瓷會按特定的方向伸長或縮短。適用于表面十分平整的樣品。振幅可以通過檢測系統(tǒng)檢測。 ?探針在 Z軸維持固定頻率振動,當(dāng)振動到谷底時與樣品表面接觸 ?分辨率幾乎與接觸模式相同 ?對樣品破壞小 ?針尖距樣品表面 5~ 20nm ?不損傷樣品表面,可測試表面柔軟樣品 ?分辨率低 ?誤判的現(xiàn)象 非接觸模式 接觸模式 Ⅳ 、原子力顯微鏡的分辨率 AFM分辨率 側(cè)向分辨率:取決于采集圖像的步寬 和針尖形狀。 原子力顯微鏡的應(yīng)用 1. 形貌觀察 敲擊式 AFM獲得的聚偏氟乙烯球晶的高度圖 膜表面的形貌觀察(亮點(diǎn)表示膜表面的最高點(diǎn),暗點(diǎn)表示凹坑或膜孔) 不同含水量 PVDF膜 (W0, W3, W5, W7)的輕敲 原子力 (TMAFM)顯微方式圖 . 2. 膜的孔徑和孔徑分布研究 3. 膜污染的研究 膜污染是指微粒、膠體粒子或溶質(zhì)大分子,在膜表面或膜孔內(nèi)吸附、沉積,造成膜孔徑變小或堵塞,使膜產(chǎn)生透過流量與分離特性的不可逆變化。反饋回路使振幅保
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