sem電子顯微鏡與電子探針(完整版)
【正文】 ．檢測電子的能量分布 (二 ) 信息深度 △ 非彈性散射平均自由程： 具有一定能量的電子連續(xù)發(fā)生兩次非彈性碰撞 之間所經(jīng)過的距離的平均值。 △ 衰減長度和電子能量的關(guān)系： 實驗結(jié)果： 經(jīng)驗公式： λ = (Ai/E2)+BiE1/2 其中 A、 B對于不同的元素及化合物 有不同的值 . △ 信息深度： 信號電子所攜帶的信息來自多厚的表面層？ 通常用出射電子的逃逸深度來估計。 。 在 D深度范圍內(nèi)，中心處為最佳聚焦 當 dp 最小可分辨時，在 D深度范圍內(nèi)均可清晰成象。 與普通顯微鏡的差別 ： 電子波長 E為電子能量，單位 eV 當 E = 30KeV 時 , λ ≈ )( nmE?? 普通顯微鏡 SEM 基本原理 光折射成象 同步掃描 入射束波長 400 700 nm 能量為 E的電子 放大倍數(shù) ～1600 幾十萬 分辨率 200 nm nm 景深 是普通顯微鏡的 300倍 學(xué)習(xí)的重要性 ： ▲ 是形貌分析的重要手段 ▲ 二次電子象在其它分析儀器中的應(yīng)用 ▲ 基本物理概念、儀器參數(shù)及基本單元的通用性 二、 基本物理概念 (一 ) 電子與表面相互作用及與之相關(guān)的分析技術(shù) (二 ) 信息深度 (三 ) 電子作為探束的分析技術(shù)特點 (一 )電子與表面相互作用及與之相關(guān)的分析技術(shù) 1．信息種類及相應(yīng)的分析技術(shù)： △ 背散射：經(jīng)彈性散射或一次非彈性散射后 以 θ 90176。 但是當出射電子以同表面垂直方向成 θ 角射出時，電子所反映的信息深度應(yīng)該是： d =λ cosθ △ 激發(fā)深度與信息深度 ： 在掃描電鏡中，由電子激發(fā)產(chǎn)生的主要信號的信息深度： 俄歇電子 1 nm ( nm) 二次電子 550 nm 背散射電子 50500 nm X射線 m 產(chǎn)生大量二次電子， 產(chǎn)生少量二次電子， 信噪比差 信噪比好 電子探束 光子探束 (三 ) 電子作為探束的特點 碰撞
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