【摘要】電子科技大學中山學院Chap4離子注入?核碰撞和電子碰撞?注入離子在無定形靶中的分布?注入損傷?熱退火電子科技大學中山學院離子注入?離子注入是一種將帶電的且具有能量的粒子注入襯底硅的過程,注入能量介于1KeV到1MeV之間,注入深度平均可達10nm~10um。離子劑量變動范圍,從用于閾值電壓調
2025-05-02 18:30
【摘要】2022/2/4JianFang1集成電路工藝和版圖設計概述JianFangICDesignCenter,UESTC2022/2/4JianFang2微電子制造工藝2022/2/4JianFang3IC常用術語園片:硅片芯片(Chip,Die):6?、8?:硅(園)片
2025-01-07 01:54
【摘要】集成電路制造工藝集成電路制造工藝北京大學北京大學e集成電路設計與制造的主要流程框架設計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試系統(tǒng)需求集成電路的設計過程:設計創(chuàng)意+仿真驗證集成電路芯片設計過程框架From吉利久教授是功能要求行為設
2025-01-08 12:25
【摘要】集成電路Contentsv集成電路的定義v集成電路的分類v集成電路的工藝微電子技術課程ppt微電子技術課程ppt集成電路定義v集成電路(integrated?circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連
2025-01-08 13:38
【摘要】1第六章光刻工藝§1基本概念2一、光刻的定義:光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。二、光刻的目的:光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對應的幾何圖形,從而實現(xiàn)選擇性擴散和金屬薄膜布線的目的。3三、工藝流程:以負膠為例來說明這八個步驟,一般可分為
2025-05-07 07:17
【摘要】下一頁上一頁集成電路制造工藝——雙極集成電路制造工藝下一頁上一頁上一次課的主要內容?CMOS集成電路工藝流程N型(100)襯底的原始硅片NMOS結構PMOS結構P阱(well)隔離閾值調整注入柵氧化層和多晶硅柵NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入接觸和互
2025-05-13 02:13
【摘要】第八章專用集成電路和可編程集成電路???????、標準單元與可編程集成電路的比較?專用集成電路(ASIC)被認為是用戶專用電路(customspecificIC),即它是根據(jù)用戶的特定要求.能以低研制成本、短交貨周期供貨的集成電路。它最主要的優(yōu)點在于:?(1)
2025-01-17 09:42
【摘要】2015-2020年中國集成電路封裝市場現(xiàn)狀研究分析與發(fā)展前景預測報告報告編號:1576520中國產(chǎn)業(yè)調研網(wǎng)36/36 行業(yè)市場研究屬于企業(yè)戰(zhàn)略研究范疇,作為當前應用最為廣泛的咨詢服務,其研究成果以報告形式呈現(xiàn),通常包含以下內容:投資機會分析市場規(guī)模分
2025-06-26 01:28
【摘要】國際微電子中心集成電路設計原理第一章集成電路制造工藝集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實現(xiàn)的手段,也是集成電路設計的基礎。2/1/2023韓良1國際微電子中心集成電路設計原理?隨著集成電路發(fā)展的過程,其發(fā)展的總趨勢是革新工
2025-02-15 05:39
【摘要】半導體半導體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結構雙極集成電路中元件結構2023/1/28pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/1/28P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiA
2025-01-06 18:37
【摘要】123456789101112131415161718192021222324252627
2025-08-05 16:51
【摘要】在一些電子測量儀器、裝置或產(chǎn)品中,經(jīng)常有測量電路中直流電流的需要,因此研發(fā)人員開發(fā)出各種各樣的電流檢測集成電路。它是一種I/V轉換器,將測量的電流轉換成相應的電壓,即V=kI,其中k為比例常數(shù)。另外,在一些電子產(chǎn)品中要限制輸出電流,以防止有故障時(負載發(fā)生局部短路或輸出端短路、電源輸出電壓升高等)產(chǎn)生過流而造成更大損失。檢測到有過流發(fā)生時,可以控制關斷電源或負載開關,或以限制的電流輸出。
2025-08-18 16:43