【摘要】集成電路制造工藝北京大學(xué)?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過
2025-04-30 13:59
【摘要】1集成電路工藝信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)2?參考書:?.Chang,.Sze,“ULSITechnology”?王陽元等,“集成電路工藝原理”?M.Quirk,J.Serda,“半導(dǎo)體制造技術(shù)”?成績(jī)計(jì)算:?平時(shí)成績(jī)(出勤、作業(yè)、小測(cè)驗(yàn))20%+期終考試
2025-01-08 13:39
【摘要】為什么要對(duì)芯片進(jìn)行封裝?任何事物都有其存在的道理,芯片封裝的意義又體現(xiàn)在哪里呢?從業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)識(shí)來看,芯片封裝主要具備以下四個(gè)方面的作用:固定引腳系統(tǒng)、物理性保護(hù)、環(huán)境性保護(hù)和增強(qiáng)散熱。下面我們就這四方面做一個(gè)簡(jiǎn)單描述。要讓芯片正常工作,就必須與外部設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,而封裝最重要的意義便體現(xiàn)在這里。當(dāng)然,我們不可能將芯片內(nèi)的引腳
2024-11-01 20:00
【摘要】下一頁上一頁集成電路制造工藝——雙極集成電路制造工藝下一頁上一頁上一次課的主要內(nèi)容?CMOS集成電路工藝流程N(yùn)型(100)襯底的原始硅片NMOS結(jié)構(gòu)PMOS結(jié)構(gòu)P阱(well)隔離閾值調(diào)整注入柵氧化層和多晶硅柵NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入接觸和互
2025-05-13 02:13
【摘要】實(shí)驗(yàn)一認(rèn)識(shí)常用實(shí)驗(yàn)設(shè)備和集成電路,邏輯筆實(shí)驗(yàn)與分析?一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1.熟悉門電路應(yīng)用分析。?2.熟悉實(shí)驗(yàn)箱各部分電路的作用。?3.掌握通信邏輯筆的制作和使用,對(duì)高、低電平、脈沖串的信號(hào)建立相應(yīng)的概念。?4.學(xué)會(huì)用門電路解決實(shí)際問題。二、實(shí)驗(yàn)儀器及材料?數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)箱以及各種集
2025-05-07 07:17
【摘要】數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)入門從HDL到版圖于敦山北大微電子學(xué)系課程內(nèi)容(一)?介紹VerilogHDL,內(nèi)容包括:–Verilog應(yīng)用–Verilog語言的構(gòu)成元素–結(jié)構(gòu)級(jí)描述及仿真–行為級(jí)描述及仿真–延時(shí)的特點(diǎn)及說明–介紹Verilogtestbench?
2025-02-11 17:13
【摘要】電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-121第1章集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論1、微電子(集成電路)技術(shù)概述2、集成電路設(shè)計(jì)步驟及方法電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-122?“自底向上”(Bottom-up)“自底向上”的設(shè)計(jì)路線,即自工藝開始,先進(jìn)行單元設(shè)計(jì),在精心設(shè)計(jì)
2025-04-29 03:20
【摘要】《集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》山東大學(xué)信息學(xué)院劉志軍BCEP+P+PMOSN+PN阱N阱縱向NPN-SUBP+N+N+NMOS-P-epiN+N+-BLN+-BL2022/2/13《集成電路設(shè)
2025-01-17 09:42
【摘要】1集成電路封裝技術(shù)清華大學(xué)微電子所賈松良Tel:62781852Fax:62771130Email:2022年6月12日2目錄一、中國(guó)將成為世界半導(dǎo)體封裝業(yè)的重要基地二、IC封裝的作用和類型三、IC封裝的發(fā)展趨勢(shì)四、IC封裝的基本工藝五、幾種新穎
2025-08-01 17:54
【摘要】集成電路CAD總學(xué)分:2上課學(xué)分:(24學(xué)時(shí))實(shí)驗(yàn)學(xué)分:(16學(xué)時(shí))什么是集成電路CAD??ComputerAidedDesign?ComputerAidedDrafting?TodayweuseComputerAidedDraftingtoolstodraweachlayerofour
2025-08-01 14:45
【摘要】電子科技大學(xué)2020屆畢業(yè)生實(shí)習(xí)報(bào)告實(shí)習(xí)報(bào)告題目16位漸進(jìn)型模數(shù)轉(zhuǎn)換器集成電路版圖設(shè)計(jì)學(xué)生姓名李呈專業(yè)集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)學(xué)號(hào)2540710317系
2024-11-08 03:42
【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-01-06 18:43