集成電路設(shè)計基礎(chǔ)ch(3)(完整版)
【正文】 摻雜濃度較低 ， 金屬和半導(dǎo)體結(jié)合面形成 肖特基型接觸 ， 構(gòu)成 肖特基二極管 。 ? 如果摻雜濃度足夠高 ， 以致于隧道效應(yīng)可以抵消勢壘的影響 ， 那么就形成了 歐姆接觸 (雙向低歐姆電阻值 )。 2022/2/4 12 鋁合金 ? 在純金屬不能滿足一些重要的電學(xué)參數(shù) 、 達(dá)不到可靠度的情況下 ， IC金屬化工藝中采用 合金 。1018cm3， 故不能用金屬與高摻雜的半導(dǎo)體（ 3第一層金屬主要用于器件各個極的接觸點及器件間的部分連線，這層金屬通常較薄，較窄，間距較小。門陣列電路中，單元電路內(nèi)的布線也已經(jīng)完成。 在 MOS及雙極器件中 ，多晶硅用制作柵極 、 形成源極與漏極 （ 或雙極器件的基區(qū)與發(fā)射區(qū) ） 的歐姆接觸 、 基本連線 、 薄 PN結(jié)的擴(kuò)散源 、 高值電阻等 （ 例 ） 。 ?材料系統(tǒng)與摻雜過的材料之間的區(qū)別 : 在摻雜材料中 , 摻雜原子很少 在材料系統(tǒng)中 ,外來原子的比率較高 2022/2/4 22 半導(dǎo)體材料系統(tǒng) ? 半導(dǎo)體材料系統(tǒng)是指不同質(zhì)（異質(zhì)）的幾種半導(dǎo)體 (GaAs與 AlGaAs, InP與 InGaAs和 Si與 SiGe等 )組成的層結(jié)構(gòu)。 2022/2/4 24 了解集成電路材料 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識 PN結(jié)與結(jié)型二極管 雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理 MOS晶體管基本 結(jié)構(gòu)與工作原理 2022/2/4 25 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu) ?固體材料分為兩類：晶體和非晶體。 ?空穴為多數(shù)載流子，電子為少數(shù)載流子。漂移運(yùn)動和擴(kuò)散運(yùn)動方向相反。 2022/2/4 36 了解集成電路材料 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識 PN結(jié)與結(jié)型二極管 雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理 MOS晶體管基本 結(jié)構(gòu)與工作原理 2022/2/4 37 雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理 ? 由于晶體管有兩個 PN結(jié)，所以它有四種不同的運(yùn)用狀態(tài)。 2022/2/4 41 ?引起溝道區(qū)產(chǎn)生強(qiáng)表面反型的最小柵電壓，稱為閾值電壓 VT。 對于 N溝 MOS器件而言 ， 將閾值電壓 VT＞ 0的器件稱為增強(qiáng)型器件 ， 閾值電壓 VT＜ 0的器件 ， 稱為耗盡型器件 。這三類材料中，半導(dǎo)體材料最為關(guān)鍵。 2022/2/4 50 小結(jié) ?兩種類型的半導(dǎo)體結(jié)合形成 PN結(jié) ， 金屬與半導(dǎo)體結(jié)合形成肖特基結(jié) ， 金屬與重?fù)诫s半導(dǎo)體結(jié)合形成歐姆結(jié) 。 2022/2/4 44 圖 (a) VgsVT, Vds=0V (b) VgsVT, VdsVgsVT (c) VgsVT, VdsVgsVT 溝道不再伸展到漏極，處于夾斷狀態(tài)，夾斷處的電壓降保持在 VdsVgsVT 。 閾值電壓 VT 2022/2/4 42 改變閾值電壓 ?對 NMOS晶體管而言，注入 P型雜質(zhì)，將使閾值電壓增加。 雙極型晶體管的放大作用就用正向電流放大倍數(shù) βF來描述 ,βF定義為： βF =IC/IB 2022/2/4 38 電流放大作用 發(fā)射結(jié)的注入 基區(qū)中的輸運(yùn)與復(fù)合 和集電區(qū)的收集 電子電流 雙極型晶體管的放大作用就用正向電流放大倍數(shù) βF來描述 ,βF定義為： βF =IC/IB 2022/2/4 39 MOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)與工作原理 n型M O S管p摻 雜 半 導(dǎo) 體 襯 底nn導(dǎo) 體絕 緣 體漏 極柵 極源 極耗 盡 型 電 路 符 號柵 極
法律信息相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1