模擬集成電路基礎(chǔ)ppt課件(完整版)
【正文】 .齊鈉擊穿：當(dāng) U↑ ， 強(qiáng)電場(chǎng)直接破壞共價(jià)鍵。 ID UD D 0 I U Q ? UD ID 為非線性電阻：用靜態(tài)電阻和動(dòng)態(tài)電阻描述 (一 ).直流電阻： 四 .晶體二極管的電阻： 定義為： R=UD/ID。 k ?波爾茲曼常數(shù)； (T=300k。 把載流子在電場(chǎng)作 用下的定向移動(dòng)稱 為漂移運(yùn)動(dòng) 一 .PN結(jié)的基本原理： （一） .PN結(jié)的形成： ?當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ↑ ?內(nèi)電場(chǎng) ↑ ?漂移運(yùn) 動(dòng) ↑ ?擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ↓ ?動(dòng)態(tài)平衡。 ? 當(dāng) g=R時(shí)： R=rnipi (12) ? 其中 r是和材料有關(guān)的系數(shù) 三 、 雜質(zhì)半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體中： 自由電子 —— 為多數(shù)載流子 空穴 —— 為少數(shù)載流子 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +4 （一） N型半導(dǎo)體 素砷， 五價(jià) 元素與周圍四個(gè)原子形成共價(jià)健，余下一個(gè)電子成為 自由電子 。 ? ni 與溫度 T和禁帶寬度 EG有關(guān)。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 ?本征半導(dǎo)體 ：完全純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。 (溫增則導(dǎo)電率顯增 ) (3).光敏特性。 —— ?第二代電子器件出現(xiàn)。 (3).半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間。 二、本征半導(dǎo)體 ： (一 )硅和鍺晶體的共價(jià)健結(jié)構(gòu) 4價(jià)元素。 EG— 禁帶寬度。 (四 )載流子的產(chǎn)生與復(fù)合 ? ni（電子濃度）：是動(dòng)態(tài)平衡值。 ?動(dòng)態(tài)平衡時(shí)：擴(kuò)散電流 =漂移電流。 I 漂移 (1).U↑ ?q(V?U)位壘高度 ↑ ?耗盡層變薄 ?擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)(多子 ) ↓ ?擴(kuò)散電流 ↓ ： ?( 內(nèi)電場(chǎng) )與 U方向相同 + P N + Q(V?+U) 擴(kuò)散 U ? (2).位壘高度 ↑ ?漂移運(yùn)動(dòng)（少子） ↑ ?漂移電流 ↑ (3).反向電流決定于 漂移電流此時(shí) PN結(jié)截止。 ： 硅： Ur=。 交流電導(dǎo) ： g=dI/dU=I/(nUT) ? 交流電阻： r=1/g= nUT/I ? 若 n=1,室溫下 ： UT=26mv ? 交流電阻 ： r=26mv/ ID(mA) U ED D RL iD I Q 0 U ? U ? I (三 ).交流電阻： 二極管工作時(shí)既有直流，又有交流 。 (2).工作電壓要超過反向擊穿電壓 。 ：光輻射器件，把電能轉(zhuǎn)變成光能的器件 。 共陽極電路 共陰極電路 a b c g … a +5v b c g … 2. 共陽極電路： 7只發(fā)光管的陽極接正電源， 接地的區(qū)段可發(fā)光。 類型：有
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