模擬集成電路基礎(chǔ)ppt課件-文庫吧資料
2025-01-25 10:52本頁面
【正文】 向伏安特性 (2).MN的斜率 : tg?= I/ U=1/ RL 0 U I ID ED D RL UD ED M ED/ RL N (1).MN為直流負(fù)載線 。 (2).R與 Q有關(guān)， Q不同 ,R也不同 (3).反向電壓時(shí)： I很小， R很大 。 ： 硅： Ur=。 P N 符號(hào) 結(jié)構(gòu) I U Is PN結(jié)的理想特性 三 .二極管的結(jié)構(gòu)與伏安特性： (一 ) . 二極管的結(jié)構(gòu)： 如圖所示 。時(shí) UT=26mv) 二 .PN結(jié)的電流方程： ?由半導(dǎo)體物理可推出： ?當(dāng)加正向電壓時(shí)： ?當(dāng)加正向電壓時(shí)： I?Is )1( / ?? TUUs eII)(。 UT=kT/q ?為溫度電壓當(dāng)量。 I 漂移 (1).U↑ ?q(V?U)位壘高度 ↑ ?耗盡層變薄 ?擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)(多子 ) ↓ ?擴(kuò)散電流 ↓ ： ?( 內(nèi)電場(chǎng) )與 U方向相同 + P N + Q(V?+U) 擴(kuò)散 U ? (2).位壘高度 ↑ ?漂移運(yùn)動(dòng)（少子） ↑ ?漂移電流 ↑ (3).反向電流決定于 漂移電流此時(shí) PN結(jié)截止。 (3).其電位差用 ? 表示 + + + (1).U↑ ?q(V?U)位壘高度 ↓ ?耗盡層變薄 ?擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)(多子 )↑ ?擴(kuò)散電流 ↑ ： ?( 內(nèi)電場(chǎng) )與 U方向相反 + P N + Q(V?U) 擴(kuò)散 U （三） PN結(jié)的單向?qū)щ娦? ? (2).位壘高度 ↓ ?漂移運(yùn)動(dòng)（少子） ↓ ?漂移電流 ↓ (3).正向電流決定于擴(kuò)散電流。 自由電子 空穴 + + + + + + P N + + + (2).接觸電位 V?決定于材料及摻雜濃度： 硅： V?= 鍺： V?= + + + + + + P N PN結(jié)的接觸電位 V? ? (二 )PN結(jié)的接觸電位： (1).內(nèi)電場(chǎng)的建立，使 PN結(jié)中產(chǎn)生電位差。 PN結(jié)的寬度一定 。 ?動(dòng)態(tài)平衡時(shí)：擴(kuò)散電流 =漂移電流。 結(jié)論 第二節(jié) PN 結(jié)與晶體二極管 (1).兩種半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差產(chǎn)生載流子的 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ? 結(jié)果產(chǎn)生空間電荷區(qū) ?耗盡層（多子運(yùn)動(dòng)）。 （在電場(chǎng) 作用下成為自由電子） —— 施主雜質(zhì) （正離子） 雜質(zhì)半導(dǎo)體 P型半導(dǎo)體中： 空穴 —— 為多數(shù)載流子 自由電子 —— 為少數(shù)載流子 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 +4 （二） P型半導(dǎo)體 ： ?三價(jià)元素與周圍四個(gè)原子形成共價(jià)健，因缺少一個(gè)電子形成“ 空穴 ”。 ? R(載流子的復(fù)合率 )：每秒復(fù)合的載流子的濃度。 (四 )載流子的產(chǎn)生
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1