【正文】 rochlore structure 圖 2 晶體結(jié)構(gòu) Fig 2 Crystal structure of 南京工業(yè)大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 5 BZN 由 A2O′四面體和 B2O6八面體套構(gòu)而成， A 位由 Bi 占據(jù)， B 位由 Nb 占據(jù) [5]。目前，主要是韓國(guó)的 JongHyun park 等學(xué)者從事 Bi2Mg2/3Nb4/3O7材料的成分、結(jié)構(gòu)和介電性能等研究，并將之運(yùn)用于相應(yīng)器件 [15]。有報(bào)道稱在調(diào)諧電場(chǎng)為 時(shí)， BMN 調(diào)諧率為 %，同時(shí)介電損耗保持在 左右 [22]。這樣才能確保介質(zhì)材料制備的可調(diào)器件具有優(yōu)良的調(diào)諧性能和較高的品質(zhì)因數(shù) [2]。 電介質(zhì)的損耗是指，介質(zhì)材料在電場(chǎng)作用下，會(huì)將一部分電能轉(zhuǎn)化為熱能，從而造成能量的損失的現(xiàn)象 [2]。但 BST 材料的介電損耗相對(duì)較高，因此，用其所制成的微波器件的品質(zhì)因子便有所下降，這會(huì)對(duì)系統(tǒng)的整體性能造成影響 [8]。在 20 世紀(jì) 60 年代，介電可調(diào)材料在高頻微波器 件中的潛在應(yīng)用價(jià)值就受到了學(xué)者們的注意 [4]?？梢岳眠@種特點(diǎn)制成各種微波壓控器件 [5]。 2020 屆畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 題 目： 濺射氣壓對(duì) BMN 薄膜晶體形貌和介電性能的影響 專 業(yè)： 班 級(jí)： 姓 名： 指導(dǎo)老師： 起訖日期： 年 月 南京工業(yè)大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） I 濺射氣壓對(duì) BMN 薄膜晶體形貌和介電性能的影響 摘要 本實(shí)驗(yàn)采用磁控濺射法，在不同濺射氣壓下（本實(shí)驗(yàn)所采用的實(shí)驗(yàn)氣壓為 、 、 、 ），于 Si 基片上沉積鈮酸鉍鎂（ ,BMN）薄膜 ,主要研究了不同的濺射氣壓對(duì) BMN 薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌和介電性能的影響。 關(guān)鍵詞 ：磁控濺射、鈮酸鉍鎂 (BMN)薄膜、介電調(diào)諧率、漏電流密度 Effects of sputtering pressure on the structre and dielectric properties of thin film Abstrict In is work we prepared BMN() thin films on Si substrate by radio frequence magron sputtering under different pressure.(Test pressure:,).The effects of sputtering pressure on the structure,surface morphology and dielectric properties of BMN thin films were results show that the prepared BMN thin films exhibit cubic pyrochlore , the grain size of the film deposited in high sputtering pressure are bigger than that one which deposited in low sputtering ,while the sputtering pressure reaches to ,the grain size of the BMN thin film bees smaller. The dielectric properties and dielectric tunability of BMN thin films increases with the increaseing of the sputtering leakage current density of this film drops with the increaseing of the sputtering ,the increaseing of sputtering pressure can restrain the volatilization of Bi2O3. 目 錄 II 目 錄 摘要 .................................................................................................................................... I ABSTRICT ....................................................................................................................... I 第一章 緒論 ....................................................................................................................1 BMN 薄膜的研究背景及意義 ......................................................................................1 BMN 薄膜研究現(xiàn)狀 ..................................................................................................3 國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究 .................................................................................................3 .........................................................................3 本文研究?jī)?nèi)容 ...........................................................................................................5 第二章 研究方法與實(shí)驗(yàn) .............................................................................................6 BMN 陶瓷靶材的制備 ..............................................................................................6 襯底的預(yù)處理 ............................................................................................................8 BMN 薄膜制造工藝 ..................................................................................................8 電容結(jié)構(gòu) BMN 薄膜樣品的制備 ............................................................................9 MIM 薄膜電容器結(jié)構(gòu) ........................................................................................9 電極的制備 .......................................................................................................10 對(duì)薄膜進(jìn)行表征 .....................................................................................................10 第三章 實(shí)驗(yàn)結(jié) 果與討論 ...........................................................................................12 濺射氣壓對(duì) BMN 薄膜相結(jié)構(gòu)的影響 .............................................................