【正文】 另外，隨著濺射氣壓的增大， BMN 表面晶粒大小逐漸均一，晶粒尺寸逐漸變大，薄膜趨于平整。 圖中曲線相對于零偏壓是對稱的，并且沒有滯后性。 圖 33 為不同氣壓下濺射 BMN 薄膜的介電常數(shù)和介電損耗隨頻率的變化曲線。實驗通過 場發(fā)射掃描電子顯微鏡（ FESEM）對 BMN 薄膜表面形貌 進行觀測， 如圖 32 所示，圖 32(a)(e)為濺射 氣壓分別為 Pa、 Pa、 Pa、 Pa、 Pa 時制備的 BMN 經(jīng) 750℃快速 薄膜退火后的 FESEM 圖 像。 第三章 實驗結(jié)果與討論 12 第三章 實驗結(jié)果與討論 本組實驗通過調(diào)整氬氣和氧氣 總氣壓 ，在不同濺射氣壓下制備 BMN 薄膜，并且研究在 Pa 到 Pa 濺射氣壓對薄膜相組成、微觀形貌和電性能的影響。 通過場發(fā)射掃描電子顯微鏡（ Ultra55 FESEM）對 BMN 薄膜樣品的表面形貌進行分析。二是 Pt 溶點高 ,能耐高溫 ,使得高溫沉積及高溫退火制備 BMN 薄膜的過程中電極不會受到影響 [1]。研究表明分別用 Au及 Pt作為電極測出來的 Q值 ,在去除電極的影響后 (Rs 項 ),在高頻下 Q值的差異有所減少 ,兩種電極測得的 Q 值變得較為接近 [1]。 MIM 薄膜電容器結(jié)構(gòu) MIM 結(jié)構(gòu)是一種傳統(tǒng)的電容器結(jié)構(gòu) ,即上下兩金屬電極層中間夾一層介質(zhì)薄膜 ,利用上下電極來進行介電性能測試 [1]。 （ 4） 當(dāng)襯底溫度達到實驗溫度后，先關(guān)閉靶材擋板，調(diào)節(jié)射頻功率至 150W，預(yù)濺射 3~5min，以去除靶材表面的污染物，達到凈化靶材表面的目的。此外，吸附在襯底表面的顆粒雜質(zhì)，將導(dǎo)致制備的薄膜不均勻，增大薄膜的表面粗糙度，從而嚴(yán)重影響薄膜的性能 [12]。為了防止 Bi的揮發(fā)，本實驗中 BNM 陶瓷靶材的燒結(jié)采用埋燒。值得注意的是，粘結(jié)劑的加入量過少，則成型困難，過多會導(dǎo)致陶瓷靶材致密度降低。預(yù)燒的主要目的主要是使混合原料經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)生成所需要的產(chǎn)物的主晶相，改變原料的結(jié)構(gòu)將有利于陶瓷樣品的成型和燒結(jié)，從而獲得性能良好的陶瓷靶材。 根據(jù)化學(xué)式 ，對預(yù)處理后的 Bi2O MgO、 Nb2O5等原料進行質(zhì)量計算，考慮到 Bi 易揮發(fā)，稱重時 Bi2O3過量 10%。因此 ,將 BZN 材料中的 Zn2+離子用極化能力更強、離子半徑更小的 Mg2+離子取代 [5],得到的 BMN 材料將會比原 BZN 材料具有更高的介電調(diào)諧潛力 [1]。每個 A 位原子有 6 個等效位置， O′離子也有 12 個等效位置，從而展現(xiàn)出隨機性位移，并產(chǎn)生無序性結(jié)構(gòu)特點 [2]。 雖然現(xiàn)在對于介電可調(diào) 薄膜材料的研究日益深入，但對其介電調(diào)諧機理，損耗類型和損耗機理的研究尚不充分 [5]，這限制了該類材料的性能優(yōu)化和實際應(yīng)用 [2]。利用 BMN 薄膜材料制備的微波器件 ,將具有高的品質(zhì)因子、低插入損耗、以及良好的介電特性 ,具有廣泛的發(fā)展前景 [1]。但 BZN 的介電調(diào)諧率較低，必須在很高的偏置電場下才能得到較高的介電調(diào)諧率 [2]。與介電常數(shù)實部 ε39。例如通過摻雜和后處理等技術(shù)手段，從而使 薄膜的微結(jié)構(gòu)得到改善；以及制備多層復(fù)合薄膜第一章 緒論 2 來使薄膜的界面特性及整體性能得到優(yōu)化 [1]。但塊體材料由于其尺寸因素，無法滿足集成化、小型化的發(fā)展要求 [1]。在微波通信、 雷達、衛(wèi)星系統(tǒng)等方面有著廣泛的應(yīng)用 [1]。但當(dāng)氣壓到 時晶粒尺寸變小。薄膜的介電常數(shù)以及介電調(diào)諧率隨著氣壓的增大而增大。比如相控陣?yán)走_的移相器，就是利用控制電壓的方法來控制陣列天線中各輻射單元的相位的變化，使得天線波束指向在空間移動，而天線本身很少甚至不需要作機械運動 [3]。相對于塊體材料而言，薄膜材料具有尺寸小、靈敏度高、響應(yīng)速度快以及工作電壓低等優(yōu)勢。通過這些途徑 BST 薄膜材料的介電損耗值可以降低到 以下 ,但同時這些方法也會導(dǎo)致薄膜的介電調(diào)諧率也會有一定程度的下降 [1]。的比值表示 [2]： tanδ=ε39。要在較低的調(diào)諧電場下獲得較高的調(diào)諧率，通常采用多層 BST 和 BZN 復(fù)合結(jié)構(gòu)，從而達到適量的性能折中 [2]。 BMN 薄膜研究現(xiàn)狀 國內(nèi)外相關(guān)研究 早在 20 世 90 年代，便有學(xué)者發(fā)現(xiàn)，鉍基焦綠石結(jié)構(gòu)的 Bi2O3MgONb2O5體系具有較高的介電常數(shù)和較低的介電損耗 [7]。 第一章 緒論 4 鈮酸鉍鎂 （ BMN） 具有立方焦綠石結(jié)構(gòu) [6]。 相關(guān)研究表明 [16]，基于 Bi 基焦綠石的結(jié)構(gòu)特點， BMN 具有的介電調(diào)諧特性與其在外加電場下雙勢井中隨機的，無相互作用的偶極子激發(fā)有關(guān) [2]。且由于取代去除了容易揮發(fā)的 Zn 組分 ,BMN 薄膜材料具有更好的可重復(fù)性 ,其制備相對 BZN 材料更為簡便 [1]。配料后，將稱得的原粉料放入球磨罐混合（裝料時應(yīng)盡量避免將量少的原料最先或最后放入球磨罐，應(yīng)盡量將其分布于量多的原料中，這樣可以減少損失，并且有利于分散。 將預(yù)燒的粉料進行二次球磨，球磨時間為 8 小時。因此，加入的粘結(jié)劑要適量，本實驗中，采用 5wt%聚乙烯醇（ PVA）溶液作為造粒的粘結(jié)劑， PVA 溶液和預(yù)燒粉料南京工業(yè)大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計（論文） 7 的質(zhì)量比約為 1:10，混合均勻，完成造粒。燒結(jié)過程大致如下 : 首先是生坯從室溫升至 100℃保溫 10min，排除靶材中的水分。因此，鍍膜前必須對襯底進行徹底的清洗。 （ 5）通入高純氧氣，調(diào)節(jié)流量計，設(shè)定 Ar/O2(2:1)，并使腔室氣壓達到實驗的濺射南京工業(yè)大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計（論文） 9 氣壓（ Pa、 Pa、 Pa、 Pa、 Pa）。 MM 電容器結(jié)構(gòu) BMN 薄膜樣品的示意圖如圖 4 示 [1]。此外器件的高頻 Q 值還會受到尺寸效應(yīng)的影響 [13]。三是 Pt 具有較強抗氧化能力 ,在氧氬氣氛下高溫制 備 BMN 薄膜使 Pt 電極不會發(fā)生氧化而改性 [1]。 BMN 薄膜樣品的漏電流密度特性通過鐵電測試系統(tǒng)（ Premier Ⅱ Radiant,SIOS Meβtechnik GmbH,America）測試得到。具體實驗條件見表 31。 從圖中可以看出， Pa 的濺射氣壓下， 薄膜表面晶粒尺寸較小且大小不均一，大晶粒間夾雜著很多細(xì)小的晶粒。 200 400 600 800 10000306090120(a)Frequency (kHz)Dielectric lossDielectric constant101 .6 Pa 4 .0 P a0 . 0 0 00 . 0 0 50 . 0 1 00 . 0 1 50 . 0 2 00 . 0 2 50 . 0 3 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 100306090120(b) 1 .6 Pa 4 .0 PaDielectric lossDielectric constantFrequency (MHz)0 . 0 00 . 0 50 . 1 00 . 1 50 . 2 0 圖 33 不同濺射氣壓下沉積 BMN薄膜的介電常數(shù)和介電損耗隨頻率的變化曲線， (a) 10 kHz 1 MHz， (b) 1 MHz 10 MHz Fig 33 Frequency dependence of dielectric constant and dielectric loss of BMN thin films deposited at different sputtering pressures, (a) 10 kHz 1 MHz, (b) 1 MHz 10 MHz 如圖 33（ a）所示，濺射氣壓 Pa BMN 薄膜介電常數(shù)比 Pa BMN 薄膜較第三章 實驗結(jié)果與討論 16 大，介電損耗較低。 圖中可以看出， 濺射氣壓為 Pa 時，沉積薄膜的介電調(diào)諧率 約為 26%；濺射氣壓為 Pa 時，薄膜的介電調(diào)諧率約為 13%，且濺射氣壓 Pa 時較濺射氣壓為 Pa BMN 薄膜擊穿場強較大、損耗較低。當(dāng)濺射氣壓增加到 Pa 時，薄膜晶粒尺寸約為 70nm，大小較為均一，表面孔洞較少。當(dāng)氣壓 升高到 Pa 時，雜相消失， 表明較高的濺射氣壓能有效的抑制 Bi2O3的揮發(fā)。所制薄膜都表現(xiàn)出了介電可調(diào)性能，介電常數(shù)隨著電場的增大而減小 ，介電損耗基本保持不變。 第三章 實驗結(jié)果與討論 14 （ a） （ b） （ c） （ d） （ e）