現(xiàn)代cmos工藝基本流程課件(ppt79頁)(存儲版)
【正文】 00~1000℃ 的 H2環(huán)境中加熱 –修復(fù)離子注入造成的 Si表面晶體損傷 –注入雜質(zhì)的電激活 –同時會造成雜質(zhì)的進(jìn)一步擴散 –快速加熱工藝 (RTP)可以減少雜質(zhì)的擴散 20 Trench Oxide N Well P Well Cross Section ? 完成 N阱和 P阱 平面視圖 N阱與 P阱 21 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well Sacrificial Oxide 犧牲氧化層生長 ? 犧牲氧化層生長 –厚度約 25nm –用來捕獲 Si表面的缺陷 22 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well 除去犧牲氧化層 ? 除去犧牲氧化層 – HF溶液濕法刻蝕 –剩下潔凈的 Si表面 23 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well Gate Oxide 柵氧化層生長 ? 柵氧化層生長 –工藝中最關(guān)鍵的一步 –厚度 2~10nm –要求非常潔凈，厚度精確 (177。) antireflective coating Metal1淀積 ? 第一層金屬淀積 (Metal1) –實際上由多個不同的層組成 –濺射工藝 59 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist 光刻膠成形 ? 光刻膠成形 –用于定義 Metal1互連 60 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist Metal1刻蝕 ? Metal1刻蝕 –基于氯的 RIE –由于 Metal1由多層金屬組成，所以需要多個刻蝕步驟 61 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 除去光刻膠 62 Trench Oxide Polysilicon Cross Section N Well P Well N+ Source/Drain P+ Source/Drain Spacer Contact Metal1 平面視圖 第一層互連 ? 完成第一層互連 63 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 IMD淀積 ? 金屬間絕緣體 (IMD)淀積 –未摻雜的 SiO2 –連續(xù)的 CVD和刻蝕工藝，厚度約 1um –填充在金屬線之間，提供金屬層之間的絕緣隔離 64 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 IMD拋光 ? IMD拋光 – CMP 65 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 Photoresist 光刻膠成形 ? 光刻膠成形 –用于定義通孔 (Vias) 66 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 通孔刻蝕 ? 通孔刻蝕 –基于氟的 RIE，獲得垂直的側(cè)墻 –提供金屬層之間的連接 67 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 除去光刻膠 68 Tungsten Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug TiN和鎢淀積 ? TiN和鎢淀積 –同第一層互連 69 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P P Well N Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug
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