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正文內(nèi)容

集成電路分析與設計課程設計(存儲版)

2025-07-25 03:11上一頁面

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【正文】 中的pad單元版圖。將與非門M0等效為一個反相器,類似上述Cs的緩沖級設計,計算出M1的P管和N管的尺寸。其中Cs經(jīng)一級輸入反相器后,形成,用去驅(qū)動4個三輸入與非門,故需要緩沖級,使其驅(qū)動能力增加。因此,內(nèi)部基本反相器的總負載電容CL為上述各電容計算值之和。本級漏極PN結電容CPN計算CPN=Cj(Wb)+Cjsw(2W+2b)其中Cj是每um2的結電容,Cjsw是每um的周界電容,b為有源區(qū)寬度,可從設計規(guī)則獲取。輸入Vi為前一級的輸出,可認為是理想的輸出,即ViL=Vss=0V,ViH=VDD=5V。圖1 74HC139的管腳圖表1 74HC139真值表片選輸入數(shù)據(jù)輸出CsA1A0Y0Y1Y2Y300001110011011010110101111101111174HC139的邏輯表達式: , ,74HC139的邏輯圖如圖2所示:圖2 74HC139的邏輯圖四、電路設計 工藝與設計規(guī)則和模型的選取 :MOSIS: mhp_ns8 : ********************************************************.model nmos nmos+ Level=2 Ld= Tox=+ Nsub=+16 Vto= Kp=+ Gamma=.639243 Phi= Uo=+ Uexp= Ucrit=174667 Delta=+ Vmax=177269 Xj=.9u Lambda=+ Nfs=+12 Neff= Nss=+10+ Tpg= Rsh=60 Cgso=+ Cgdo= Cj= Mj=+ Cjsw= Mjsw=.model pmos pmos+ Level=2 Ld=.03000u Tox= + Nsub=+16 Vto= Kp=+ Gamma= Phi=.541111 Uo=+ Uexp= Ucrit=637449 Delta=+ Vmax= Xj= Lambda= + Nfs=+11 Neff= Nss=+10+ Tpg= Rsh=150 Cgso=+ Cgdo= Cj= Mj=.341+ Cjsw= Mjsw=  輸出級電路設計據(jù)要求,輸出級等效電路如圖3所示。圖4 內(nèi)部反相器它的負載由以下三部分電容組成:①本級漏極的PN結電容CPN;②下級的柵電容Cg;③連線雜散電容CS。③ 連線雜散電容CS CS=一般CPN+Cg≈10CS,可忽略CS作用。所以(W/L)P2 =(2)輸入級P1管(W/L)P1的計算此P1管應取內(nèi)部基本反相器的尺寸即(3)輸入級N1管(W/L)N1的計算由于要與TTL電路兼容,~,因此要選 取反相器的狀態(tài)轉(zhuǎn)變電平: 又知:式中 , 解得= 所以= 緩沖級的設計由74HC139的邏輯圖可知,在輸入級中有三個信號:Cs、AA0。N=從中得出M3管尺寸為: 由于輸出級部分要驅(qū)動TTL電路,其尺寸較大,因而必須在與非門輸出與輸出級之間加入一級緩沖門M1,如圖8所示。二極管的有效面積可取500μm2,或用Shockley方程計算。在X點之前的電路,由于A0,A1,Cs均為輸入級,雖然A0、A1比Cs少一個反相器,作為工程估算,可以認為三個輸
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