質(zhì)譜材料研究方法ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 ? EI：進(jìn)樣量大時(shí)，發(fā)生離子 分子碰撞，分子離子從中性分子取得一個(gè)原子或原子基團(tuán)； ? CI：利用離子 分子反應(yīng)使樣品分子分離，化合物化學(xué)電離生成 [M+H]+或 [MH]+（準(zhǔn)分子離子）。（氮除外） ?合理的中性丟失。 13C： 12C的豐度比為 ： 100； 15N： 14N為 ： 100 。 認(rèn)為分子離子中電荷或自由基定位在分子的某個(gè)位置上，然后以一個(gè)電子（用單魚(yú)鉤表示）或電子對(duì)（用箭頭表示）轉(zhuǎn)移來(lái)“引發(fā)”裂解。 McLaffferty重排為 γ 位氫轉(zhuǎn)移，經(jīng)過(guò)六元過(guò)渡態(tài)，丟失穩(wěn)定的中性分子的重排，又稱(chēng) γ 氫重排。 鍵能大的化學(xué)鍵強(qiáng)度大，不容易斷裂。 芳烴 芳烴類(lèi)化合物穩(wěn)定，分子離子峰強(qiáng)。 除相對(duì)分子質(zhì)量之外，分子離子提供的信息還包括： ?是否含奇數(shù)氮原子。 質(zhì)譜圖的計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)庫(kù)檢索。 核對(duì)主要碎片離子。 醚類(lèi)化合物 脂肪族醚類(lèi)的分子離子峰弱，易發(fā)生 α裂解及碳 碳 σ鍵斷裂，生成系列 CnH2n+1O的含氧碎片峰；芳香烴基醚的 M+?較強(qiáng)，裂解主要發(fā)生 CO鍵斷裂。 ? 環(huán)烷烴：分子離子峰的相對(duì)豐度較強(qiáng)；質(zhì)譜圖中可見(jiàn) m/z 4 5 5 69等碎片離子峰。 4） 產(chǎn)物離子的相對(duì)豐度主要由它的穩(wěn)定性決定。 α裂解反應(yīng)如下： σ碎裂過(guò)程是當(dāng) σ鍵形成陽(yáng)離子的自由基時(shí)發(fā)生的碎裂過(guò)程，如： σ碎裂常發(fā)生在飽和烴類(lèi)中， 優(yōu)先發(fā)生在支鏈和取代基所在位置。 ? 同位素標(biāo)記法：常用的同位素標(biāo)記是氘標(biāo)記。 分子中硫、硅原子的數(shù)目可由下列公式分別計(jì)算： S原子數(shù)目 =（ [M+2]/[M]） /%； Si原子數(shù)目 =（ [M+2]/[M]） /%。 氮規(guī)則 ： 假如一個(gè)化合物中不含氮或含有偶數(shù)個(gè)氮原子，則其分子離子的質(zhì)量（即分子量）一定是偶數(shù)；如果分子中含有奇數(shù)個(gè)氮原子，則其分子離子的質(zhì)量必定是奇數(shù)。 四、多電荷離子 雙電荷離子在質(zhì)譜圖中出現(xiàn)在相同質(zhì)量的單電荷離子質(zhì)荷比的二分之一處。 兩峰分開(kāi)的標(biāo)準(zhǔn)（ 10%谷） （ A） 10%的定義 （ B）實(shí)際常見(jiàn)情況 ?靈敏度（ Sensitivity） —— 顯示儀器對(duì)樣品在量的方面的檢測(cè)能力。 所謂 二次發(fā)射系數(shù) 是指對(duì)于一個(gè)二次電極，發(fā)射的二次電子流強(qiáng)度 i2與入射的電子流強(qiáng)度 i1之比。 對(duì)于某一種射頻頻率，只有一種質(zhì)荷比的離子可以順利通過(guò)電場(chǎng)區(qū)達(dá)到檢測(cè)器，這些離子稱(chēng)為 共振離子 。 EI中轟擊電子是由離子源中的鎢絲或錸鎢絲制成的陰極在通電流加熱到 2022℃ 時(shí)產(chǎn)生的，轟擊電子的能量可通過(guò)陰極和柵極間的電位差調(diào)節(jié)。 第一節(jié) 概述 質(zhì)譜 是化合物分子在真空條件下受電子流的“轟擊”或強(qiáng)電場(chǎng)等其它方法的作用，電離成離子，同時(shí)發(fā)生某些化學(xué)鍵的有規(guī)律的斷裂，生成具有不同質(zhì)量的帶正電荷的離子，這些離子按質(zhì)荷比 m/z的大小被收集并記錄的譜。 ? 二、學(xué)習(xí)重點(diǎn)及難點(diǎn)分析 重點(diǎn)：離子源及質(zhì)量分析器的工作原理；分子離子峰的判別規(guī) 則；質(zhì)譜裂解反應(yīng)機(jī)理；質(zhì)譜碎裂的規(guī)律及影響因素。 第二節(jié) 基本原理及儀器簡(jiǎn)介 一、樣品的電離 物質(zhì)的電離方法有： ?電子轟擊 （ EI）：分子離子、碎片離子。 zV= mv2/2 Hzv=mv2/R m/z=H2R2/2V 磁偏轉(zhuǎn)質(zhì)譜計(jì)的基本方程 （ H：磁場(chǎng)強(qiáng)度； R：正離子運(yùn)動(dòng)的曲
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