微電子技術(shù)新進(jìn)展ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 20萬(wàn)種 DNA基因片段的芯片。從廣義上講， MEMS是指集微型傳感器、微型執(zhí)行器、信號(hào)處理和控制電路、接口電路、通信系統(tǒng)以及電源于一體的微機(jī)電系統(tǒng)。 硬件和軟件更加緊密結(jié)合不僅是 SOC的重要特點(diǎn) ， 也是 21世紀(jì) IT業(yè)發(fā)展的一大趨勢(shì) 。 傳統(tǒng)的鋁互聯(lián)（電導(dǎo)率低、易加工） 2022年英特爾推出 45nm正式量產(chǎn)工藝， 45nm技術(shù)是全新的技術(shù)，可以讓摩爾定律至少再服役 10年 。 集成電路發(fā)明 50年 EEI 1958年第一塊集成電路： TI公司的 Kilby， 12個(gè)器件， Ge晶片 獲得 2022年 Nobel物理獎(jiǎng) The Moore’s Law Moore’s Law: Quantitative 微電子技術(shù)是 50年來(lái)發(fā)展最快的技術(shù) EEI 世界上第一臺(tái)計(jì)算機(jī) 大?。洪L(zhǎng) 24m，寬 6m，高 速度： 5000次 /sec；重量： 30噸； 功率： 140KW；平均無(wú)故障運(yùn)行時(shí)間： 7min 第一臺(tái)通用電子計(jì)算機(jī)： ENIAC 1946年 2月 14日 Moore School，Univ. of Pennsylvania 18,000個(gè)電子管70000個(gè)電阻、10000個(gè)電容器以及6000個(gè)繼電器 組成。 2022年左右有可能出現(xiàn) 400mm450mm直徑的硅片。 高速銅質(zhì)接頭和新型低 k介質(zhì)材料 ,探索碳納米管等替代材料 第二個(gè)關(guān)鍵技術(shù)：多層互連技術(shù) 器件及互連線(xiàn)延遲 0 1 2 3 4 1997 1999 2022 2022 2022 2022 延遲值(ns) 器件內(nèi)部延遲 2厘米連線(xiàn)延遲 （ bottom layer） 2厘米連線(xiàn)延遲 （ top layer） 2厘米連線(xiàn)延遲約束 互連技術(shù)與器件特征尺寸的縮小 –新型器件結(jié)構(gòu) 高性能、低功耗晶體管 FinFET Nano Electronic Device –新型材料體系 ? SOI材料 ?應(yīng)變硅 ? 高 K介質(zhì) ? 金屬柵電極 第三個(gè)關(guān)鍵技術(shù) :新器件與新材料 Challenges to CMOS Device Scaling 1. Electrostatics ? Double Gate Retain gate control over channel Minimize OFFstate drainsource leakage 2. Transport ? High Mobility Channel High mobility/injection velocity High drive current for low intrinsic delay 3. Parasitics ? Schottky S/D Reduced extrinsic re
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