存儲(chǔ)單元學(xué)時(shí)ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 輔助存儲(chǔ)器 (外存 ) 高速緩沖存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器的分類 13 RAM ? SRAM – 面積大 – 速度快 ? DRAM – 需要隔一定的周期進(jìn)行刷新 – 面積小（ 1－ 3個(gè)晶體管） – 速度慢 ? SDRAM – Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器） – 數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來同步 ? DDR SDRAM – Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器） – 允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍提高 SDRAM的速度 14 FLASH ? NOR FLASH – 容量小 – 價(jià)格貴 – 可以按位讀寫 ? NAND FLASH – 容量大 – 價(jià)格便宜 – 不能按位讀寫，需要按 block進(jìn)行讀寫 15 NOR FLASH ? NOR技術(shù)（亦稱為 Linear技術(shù)）閃速存儲(chǔ)器是最早出現(xiàn)的 Flash Memory，目前仍是多數(shù)供應(yīng)商支持的技術(shù)架構(gòu)。 – 芯片尺寸小，引腳少，是位成本 (bit cost)最低的固態(tài)存儲(chǔ)器，將很快突破每兆字節(jié) 1美元的價(jià)格限制。 容量和成本 小 ， 1～ 16MB,成本高， 存儲(chǔ)代碼 非常大， Nand Flash的單元尺寸幾乎是 Nor器件的一半。 寫入時(shí)間：從提出寫請(qǐng)求到最終把輸入數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器之間所經(jīng)過的時(shí)間。當(dāng)這個(gè)引腳處于低電平期間，提供給所有 bank預(yù)充電和刷新的操作 – /CS：芯片選擇（ Chip Select，這個(gè)引腳就是用于選擇進(jìn)行存取操作的芯片 – /RAS:行地址選擇 (Row Address Select) – /CAS:列地址選擇 (Column Address Select) – /WE:寫入信號(hào) (Write Enable) – DQ0－ DQ15:數(shù)據(jù)輸入輸出接口 – BA： Bank地址輸入信號(hào)引腳， BA信號(hào)決定了由激活哪一個(gè) bank、進(jìn)行讀寫或者預(yù)充電操作； BA也用于定義Mode寄存器中的相關(guān)數(shù)據(jù)。 18 SRAM和 DRAM 19 6管 SRAM WL BL V DD M 5 M 6 M 4 M 1 M 2
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