存儲單元學時ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 14:33 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 OR FLASH – 容量小 – 價格貴 – 可以按位讀寫 ? NAND FLASH – 容量大 – 價格便宜 – 不能按位讀寫，需要按 block進行讀寫 15 NOR FLASH ? NOR技術（亦稱為 Linear技術）閃速存儲器是最早出現(xiàn)的 Flash Memory，目前仍是多數(shù)供應商支持的技術架構。它源于傳統(tǒng)的 EPROM器件 ? 在擦除和編程操作較少而直接執(zhí)行代碼的場合，尤其是純代碼存儲的應用中廣泛使用，如 PC的 BIOS固件、移動電話、硬盤驅(qū)動器的控制存儲器等。 ? NOR技術 Flash Memory具有以下特點： – （程序和數(shù)據(jù)可存放在同一芯片上，擁有獨立的數(shù)據(jù)總線和地址總線，能快速隨機讀取，允許系統(tǒng)直接從 Flash中讀取代碼執(zhí)行，而無需先將代碼下載至 RAM中再執(zhí)行； – 可以單字節(jié)或單字編程，但不能單字節(jié)擦除，必須以塊為單位或?qū)φ瑘?zhí)行擦除操作，在對存儲器進行重新編程之前需要對塊或整片進行預編程和擦除操作。 ? 由于 NOR技術 Flash Memory的擦除和編程速度較慢，而塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費的時間很長，在純數(shù)據(jù)存儲和文件存儲的應用中， NOR技術顯得力不從心。 16 NAND FLASH技術 ? NAND技術 Flash Memory具有以下特點： – 以頁為單位進行讀和編程操作， 1頁為 256或 512B（字節(jié)）；以塊為單位進行擦除操作， 1塊為 4K、 8K或 16KB。具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是 2ms；而 NOR技術的塊擦除時間達到幾百ms。 – 數(shù)據(jù)、地址采用同一總線，實現(xiàn)串行讀取。隨機讀取速度慢且不能按字節(jié)隨機編程。 – 芯片尺寸小，引腳少，是位成本 (bit cost)最低的固態(tài)存儲器，將很快突破每兆字節(jié) 1美元的價格限制。 – 芯片包含有失效塊，其數(shù)目最大可達到 3~35塊（取決于存儲器密度）。失效塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 ? Samsung公司在 1999年底開發(fā)出世界上第一顆 1Gb NAND技術閃速存儲器 ? 基于 NAND的存儲器可以取代硬盤或其他塊設備。 17 NOR 與 NAND FLASH的比較 NOR NAND 性能比較 讀取速度稍快 擦除和寫入速度遠遠大于 NOR flash 擦除 Nor器件時是以 64～ 128KB的塊進行的，執(zhí)行一個寫入 /擦
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