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[畢業(yè)設(shè)計(jì)精品]降壓直流斬波電路實(shí)驗(yàn)裝置(存儲(chǔ)版)

2024-10-24 13:40上一頁面

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【正文】 壓同相位。學(xué)會(huì)了合作,學(xué)會(huì)了運(yùn)籌帷幄,學(xué)會(huì)了寬容,學(xué)會(huì)了理解,也學(xué)會(huì)了做人與處世。 參考文獻(xiàn)1]王兆安,劉進(jìn)軍,電力電子技術(shù)[M].:機(jī)械工業(yè)出版,2009:119123.[2]樊立平,王忠慶,電力電子技術(shù)[M].北京:中國林業(yè)出版,北京大學(xué)出版社,2006:116119.[3]曲學(xué)基,曲敬鎧,于明揚(yáng),電力電子整流計(jì)算及應(yīng)用[M].北京:電子工業(yè)出版社,2008:192196. [4]黃家善,王廷才,電力電子技術(shù)[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版,2000:193。 第三章 課程設(shè)計(jì)總結(jié)兩周的課程設(shè)計(jì)結(jié)束了,在這次的課程設(shè)計(jì)中不僅檢驗(yàn)了我所學(xué)習(xí)的知識,也培養(yǎng)了我如何去把握一件事情,如何去做一件事情,又如何完成一件事情。電流斷續(xù)時(shí)有I10=0,且t=ton+tx時(shí),i2=0,可以得出 當(dāng)時(shí),電路為電流斷續(xù)工作狀態(tài),是電流斷續(xù)的條件,即 輸出電壓平均值為 負(fù)載電流平均值為 根據(jù)上式可對電路的工作狀態(tài)做出判斷。在橋式整流電路中,每只二極管只在輸入電壓的半個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通,因此二極管的平均電流只有負(fù)載電阻上平均電流的一半,即ID(AV)=IO(AV)/2=在二極管不導(dǎo)通期間,承受反壓的最大值就是變壓器二次測電壓U2的最大值,即 URM=,根據(jù)上面的選擇原則可知選擇二極管的最大整流電流IF≧()/2≈(U2/RL)。一旦發(fā)生過電流或短路,IGBT因承受大電流而退飽和,導(dǎo)致Uce上升,VD2截止,VZ1被擊穿使VT3導(dǎo)通,C4經(jīng)R7和VT3放電,E點(diǎn)及B點(diǎn)電位逐漸下降,VT4截止,VT5導(dǎo)通,使IGBT被慢慢關(guān)斷從而得到保護(hù)。晶體管VTVT3和穩(wěn)壓管VZ1以及阻容元件R3~RC2~C4組成過電流保護(hù)部分,實(shí)現(xiàn)過電流檢測和延時(shí)保護(hù)。這種電路適用于驅(qū)動(dòng)占空比小于50%的高頻場合。 如圖4為由脈沖變壓器組成的柵極驅(qū)動(dòng)電路。而電容具有電壓不能突變,通交流阻直流特性,因此并聯(lián)一個(gè)大電容可以濾除雜波,減小紋波。因此本文采用EXB841設(shè)計(jì)出了一種可靠的IGBT驅(qū)動(dòng)方案。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT 的容量有關(guān),一般在幾歐~幾十歐,小容量的IGBT 其RG值較大。門極電路的正偏壓uGS、負(fù)偏壓uGS和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。主要用于電子電路的供電電源,也可拖動(dòng)直流電動(dòng)機(jī)或帶蓄電池負(fù)載等,后兩種情況下負(fù)載中均會(huì)出現(xiàn)反電動(dòng)勢,如圖中Em所示。直流變換電路的用途非常廣泛,包括直流電動(dòng)機(jī)傳動(dòng)、開關(guān)電源、單相功率因數(shù)校正,以及用于其他領(lǐng)域的交直流電源。測試電壓及波形十分方便。斬波輸出電流最大值2A。斬波電路設(shè)計(jì)。通過計(jì)算選擇整流器件的具體型號。前級整流輸出電壓限制在50V以內(nèi)。各測試點(diǎn)均裝有測試探頭可以鉤住的端子。 DC/DC變換是將固定的直流電壓變換成可變的直流電壓,也稱為直流斬波。并設(shè)置了續(xù)流二極管VD,在V關(guān)斷時(shí)給負(fù)載中電感電流提供通道。 IGBT驅(qū)動(dòng)電路選擇 IGBT的門極驅(qū)動(dòng)條件密切地關(guān)系到他的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。 (4)IGBT 驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT 的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT 的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗;RG較小,會(huì)引起電流上升率增大,使IGBT 誤導(dǎo)通或損壞。而PWM接口驅(qū)動(dòng)能力及其與IGBT的接口電路的設(shè)計(jì)直接影響到系統(tǒng)工作的可靠性。電感具有電流不能突變,通直流阻交流特性,因此串聯(lián)一個(gè)電感可以提高直流電壓品質(zhì)。下面將分立元件組成的驅(qū)動(dòng)電路和集成驅(qū)動(dòng)電路做一下簡單的比較,以此來說明集成驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)越性。 此電路的缺點(diǎn):截止時(shí)沒有門極反向電壓,抗干擾能力不強(qiáng)。VT2為中間放大級,VT4和VT5組成的互補(bǔ)式推挽輸出可為IGBT柵極提供導(dǎo)通和關(guān)斷電壓。 當(dāng)IGBT正常工作時(shí),Uce較小,隔離二極管VD2導(dǎo)通,穩(wěn)壓管VZ1不會(huì)被擊穿,VT3截止,C4被充電,使E點(diǎn)電位為電源電壓值(20V)并
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
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