【正文】 路（光電耦合器）接線遠(yuǎn)離輸出電路接線，以保證有適當(dāng)?shù)慕^緣強(qiáng)度和高的噪聲阻抗。APFC電路不僅能實(shí)現(xiàn)輸出直流電壓的斬波調(diào)節(jié)，還能實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)一側(cè)單位功率因數(shù)。 由于本人的設(shè)計(jì)能力有限，在設(shè)計(jì)過程中難免出現(xiàn)錯(cuò)誤，懇請老師們多多指教,我十分樂意接受你們的批評(píng)與指正，本人將萬分感謝。 （15）所示的關(guān)系還可從能量傳遞關(guān)系簡單地推得，一個(gè)周期中，忽略電路中的損耗，則電源提供的能量與負(fù)載消耗的能量相等，即 則假設(shè)電源電流平均值為I1，則有 其值小于等于負(fù)載電流Io，由上式得 即輸出功率等于輸入功率，可將降壓斬波器看作直流降壓變壓器。 當(dāng)IGBT正常工作時(shí)，Uce較小，隔離二極管VD2導(dǎo)通，穩(wěn)壓管VZ1不會(huì)被擊穿，VT3截止，C4被充電，使E點(diǎn)電位為電源電壓值（20V）并保持不變。 此電路的缺點(diǎn)：截止時(shí)沒有門極反向電壓，抗干擾能力不強(qiáng)。電感具有電流不能突變，通直流阻交流特性，因此串聯(lián)一個(gè)電感可以提高直流電壓品質(zhì)。 (4)IGBT 驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響，RG較大，有利于抑制IGBT 的電流上升率及電壓上升率，但會(huì)增加IGBT 的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗；RG較小，會(huì)引起電流上升率增大，使IGBT 誤導(dǎo)通或損壞。并設(shè)置了續(xù)流二極管VD，在V關(guān)斷時(shí)給負(fù)載中電感電流提供通道。各測試點(diǎn)均裝有測試探頭可以鉤住的端子。通過計(jì)算選擇整流器件的具體型號(hào)。斬波輸出電流最大值2A。直流變換電路的用途非常廣泛，包括直流電動(dòng)機(jī)傳動(dòng)、開關(guān)電源、單相功率因數(shù)校正，以及用于其他領(lǐng)域的交直流電源。門極電路的正偏壓uGS、負(fù)偏壓uGS和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。因此本文采用EXB841設(shè)計(jì)出了一種可靠的IGBT驅(qū)動(dòng)方案。 如圖4為由脈沖變壓器組成的柵極驅(qū)動(dòng)電路。晶體管VTVT3和穩(wěn)壓管VZ1以及阻容元件R3~RC2~C4組成過電流保護(hù)部分，實(shí)現(xiàn)過電流檢測和延時(shí)保護(hù)。在橋式整流電路中，每只二極管只在輸入電壓的半個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通，因此二極管的平均電流只有負(fù)載電阻上平均電流的一半，即ID(AV)=IO(AV)/2=在二極管不導(dǎo)通期間，承受反壓的最大值就是變壓器二次測電壓U2的最大值，即 URM=，根據(jù)上面的選擇原則可知選擇二極管的最大整流電流IF≧()/2≈(U2/RL)。 第三章 課程設(shè)計(jì)總結(jié)兩周的課程設(shè)計(jì)結(jié)束了，在這次的課程設(shè)計(jì)中不僅檢驗(yàn)了我所學(xué)習(xí)的知識(shí)，也培養(yǎng)了我如何去把握一件事情，如何去做一件事情，又如何完成一件事情。學(xué)會(huì)了合作，學(xué)會(huì)了運(yùn)籌帷幄，學(xué)會(huì)了寬容，學(xué)會(huì)了理解，也學(xué)會(huì)了做人與處世。濾波電容的選擇：C=(5T/2)/RL 斬波主電路部分 ①IGBT的選擇：因?yàn)楸倦娐吩O(shè)計(jì)的E=50V, 因此根據(jù)表2可知所選IGBT的額定電壓與額定電流分別為50V、100A。 電路的工作過程簡述如下：當(dāng)14腳與15腳間流過的電流為零時(shí)，光電耦合器截止，A點(diǎn)為高電平，晶體管VTVT2導(dǎo)通，D點(diǎn)電位下降VT4截止、VT5導(dǎo)通。晶體管VT2由于基極反向偏置而截至。 整流電路 本設(shè)計(jì)采用橋式電路整流：由四個(gè)二極管組成一個(gè)全橋整流電路. 對整流出來的電壓進(jìn)行傅里葉變換得，由整流電路出來的電壓含有較大的紋波，電壓質(zhì)量不太好，故需要進(jìn)行濾波。同時(shí)，門極電路設(shè)計(jì)中也必須注意開通特性，負(fù)載短路能力和由duGS/dt電流引起的誤觸發(fā)等問題。前者較為通用，后者容易產(chǎn)生干擾。斬波輸出直流電壓在10～40V左右可調(diào)。設(shè)計(jì)任務(wù)與要求方案的經(jīng)濟(jì)技術(shù)論證。TDC1型學(xué)習(xí)機(jī)是為了配合高等工科院校及高等?？萍夹g(shù)學(xué)校的“電力電子”或“半導(dǎo)體變流技術(shù)”等課程中的直流斬波電路實(shí)驗(yàn)并根據(jù)當(dāng)今電力電子技術(shù)的發(fā)展方向及應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新型實(shí)驗(yàn)裝置。日本NemicLambda公司最新推出得一種采用軟開關(guān)技術(shù)得高頻開關(guān)電源模塊RM系列，其開關(guān)頻率為200—300KHz,功率密度已達(dá)27W/cm3，采用同步整流器（MOSFET代替肖特基二極管），使整個(gè)電路效率提高到90%。另外，IGBT開通后，門極驅(qū)動(dòng)源應(yīng)提供足夠的功率，使IGBT不至退出飽和而損壞。當(dāng)同名端為正時(shí)DD5導(dǎo)通，DD4截止，電壓上正下負(fù)。IGBT門極結(jié)電容上的電荷經(jīng)Rg和VT2放掉，R2為VT2的偏流電阻。VT2截止導(dǎo)致D點(diǎn)電位升高，VT4導(dǎo)通，VT5截止。 電流連續(xù)時(shí)得出 （13）