電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)--升壓斬波電路的實(shí)現(xiàn)(存儲版)
【正文】 壓源串電阻選擇Series RLC Branch,參數(shù)設(shè)置為R=50Ω、L=10H、C=inf IGBT的參數(shù)選擇為默認(rèn)值 晶閘管選擇Diode，參數(shù)選擇為默認(rèn)值 Branch1，參數(shù)設(shè)置為：R=10Ω、L=3H、C=inf Branch2 、參數(shù)設(shè)置為：R=50Ω、L=0、C=inf 脈沖觸發(fā)元件選擇Pulse Genrator 參數(shù)設(shè)置為：Pulse type：time based 、Amplitude：、pulse width：50、phase deley：0 83仿真圖沒能仿真出來。內(nèi)因過電壓主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關(guān)過程，包括：換相過電壓，關(guān)斷過電壓。通常采用的保護(hù)措施有：快速熔斷器、直流快速斷路器和過電流繼電器。穩(wěn)壓管、為柵極電壓的正向限府保護(hù)，電容、為正、反向電源的濾波電容，①腳還外接發(fā)射極的銜位二極管。 腳 9 ：電源； 腳 6 ：集電極電壓監(jiān)視； 腳 4 ：用于連接外部電容器，以防止過流保護(hù)電路誤動作（大多數(shù)場合不需要該電容器）； 20V ）； 腳 EXB841 驅(qū)動器的各引腳功能如下： （6） IGBT在使用時除了采取靜電防護(hù)措施外，還必須注意以下事項(xiàng)： IGBT的控制、驅(qū)動及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配。較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率du/dt，但會增加IGBT的開關(guān)時間和開關(guān)損耗；較小，會引起增大，使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。所以只要根據(jù)輸入的電壓控制全控晶閘管IGBT關(guān)斷的時間和開通的時間比就可，即升壓比就可得到所需電壓。斷態(tài)時，電源E和電感L同時向電容C充電，并向負(fù)載提供能量。R為輸出負(fù)載，電壓由此輸出。直流斬波技術(shù)已被廣泛用于開關(guān)電源及直流電動機(jī)驅(qū)動中，使其控制獲得加速平穩(wěn)、快速響應(yīng)、節(jié)約電能的效果。 了解電力電子電路及系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)和調(diào)試的方法。2直流升壓斬波主電路圖及原理 21 主電路直流升壓變流器用于需要提升直流電壓的場合，其原理圖如圖下所示 圖1 主電路22原理在電路中V導(dǎo)通時，電流由E經(jīng)升壓電感L和V形成回路，電感L儲能；當(dāng)V關(guān)斷時，電感產(chǎn)生的反電動勢和直流電源電壓方向相同互相疊加，從而在負(fù)載側(cè)得到高于電源的電壓，二極管的作用是阻斷V導(dǎo)通是，電容的放電回路。將升壓比的倒數(shù)記作b，即。（2） IGBT的開關(guān)時間應(yīng)綜合考慮。（5） 驅(qū)動電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對IGBT的保護(hù)功能。 圖3 柵射電阻與反串穩(wěn)壓管的并聯(lián)電路4 最有參數(shù)選擇OOEOOE圖 31 電流連續(xù)圖 32 電流斷續(xù)當(dāng)IGBT處于導(dǎo)通時，得 設(shè)的初值為，解上式得 當(dāng)IGBT處于關(guān)斷時，設(shè)電動機(jī)電樞電流為，得 設(shè)的初值為，解上式得 當(dāng)電流連續(xù)時，從圖 32 的電流波形可看出，=時刻=，=時刻=，由此可得 故由上兩式求得： 把上面兩式用泰勒級數(shù)線性近似，得 該式表示了L為無窮大時電樞電流的平均值，即 當(dāng)電流斷續(xù)時的波形如圖 32所示。（2）關(guān)斷過程：當(dāng)輸入端和腳的電流
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