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正文內(nèi)容

電力電子技術(shù)課程設(shè)計--升壓斬波電路的實現(xiàn)(編輯修改稿)

2025-02-09 17:22 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 其他元件擊穿。(3) IGBT開通后,驅(qū)動電路應提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。(4) IGBT驅(qū)動電路中的電阻對工作性能有較大影響。較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率du/dt,但會增加IGBT的開關(guān)時間和開關(guān)損耗;較小,會引起增大,使IGBT誤導通或損壞。的選擇原則是應在開關(guān)損耗不太大的情況下,選擇略大的。的具體數(shù)值還與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐至幾十歐,小容量的IGBT其值較大。(5) 驅(qū)動電路應具有較強的抗干擾能力及對IGBT的保護功能。IGBT為壓控型元件,當集射極加高壓時很容易受外界干擾,使柵射電壓超過(th)引起器件誤導通。為了提高抗干擾能力,除驅(qū)動IGBT的觸發(fā)引線應盡量短且應采用雙絞線,在柵射極間務(wù)必并聯(lián)柵射電阻,一般取=(1000—5000),應并在柵射極最近處。V1,V2是為防止驅(qū)動電路出現(xiàn)高壓尖峰而并聯(lián)的兩只穩(wěn)壓管,穩(wěn)壓值應與正偏柵壓與負偏柵壓大小相同而方向相反。信號控制電路與驅(qū)動電路之間應采用抗干擾能力強,傳輸時間短的高速光耦合器件加以隔離。(6) IGBT在使用時除了采取靜電防護措施外,還必須注意以下事項: IGBT的控制、驅(qū)動及保護電路等應與其高速開關(guān)特性相匹配。 2 、當GE端在開路的情況下,不要給CE端家電壓。 在未采取適當?shù)姆漓o電措施情況下,GE端不能開路。 圖3 柵射電阻與反串穩(wěn)壓管的并聯(lián)電路4 最有參數(shù)選擇OOEOOE圖 31 電流連續(xù)圖 32 電流斷續(xù)當IGBT處于導通時,得 設(shè)的初值為,解上式得 當IGBT處于關(guān)斷時,設(shè)電動機電樞電流為,得 設(shè)的初值為,解上式得 當電流連續(xù)時,從圖 32 的電流波形可看出,=時刻=,=時刻=,由此可得 故由上兩式求得: 把上面兩式用泰勒級數(shù)線性近似,得 該式表示了L為無窮大時電樞電流的平均值,即 當電流斷續(xù)時的波形如圖 32所示。當=0時刻 ==0,令式 (110)中=0即可求出,進而可寫出的表達式。另外,當=時,=0,可求得持續(xù)的時間,即 當時,電路為電流斷續(xù)工作狀態(tài),是電流斷續(xù)的條件,即 根據(jù)上式可對電路的工作狀態(tài)做出判斷。該式也是最優(yōu)參數(shù)選擇的依據(jù)。42 驅(qū)動電路圖及工作原理 圖4 EXB841的功能原理圖 圖5 EXB841的電路原理圖EXB841 驅(qū)動器的各引腳功能如下: 腳 1 :連接用于反向偏置電源的濾波電容器; 腳 2 :電源( + 20V ); 腳 3 :驅(qū)動輸出; 腳 4 :用于連接外部電容器,以防止過流保護電路誤動作(大多數(shù)場合不需要該電容器);
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