【正文】 igned long i = 0。 nand_addr++。 // 列地址，即頁內地址 unsigned long col = nand_addr % NAND_PAGE_SIZE。 return 0。 i++)。 i10。 // Row Address A12~A19 NFADDR = row amp。 中國傳媒大學南廣學院本科畢業(yè)論文 20 nand_deselect_chip()。 nand_send_addr(0x00)。 NFCONT = (018)|(017)|(016)|(010)|(09)|(08)|(07)|(06)|(0x31)|(10)。 使用 MiniTools 燒寫到 DRAM，具體如下圖 11： 中國傳媒大學南廣學院本科畢業(yè)論文 16 圖 11 平臺下載工具 點擊“下載運行”， MiniTools 會把裸機程序下載到 DRAM，然后跳轉運行，立馬就可以觀察到程序的運行效果。 i++,length) { nand_write(*sdram_addr)。 // 2. 從 sdram讀數據到 nand，第一周期發(fā)命令 0x80，第二周期發(fā)地址 nand_addr,第 三 個 周 期 寫 一 頁 (2k) 數 據 ， 第 四 周 期 發(fā) 0x10 while(length) { nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_1st)。amp。 nand_send_addr(nand_addr)。 // 4. 讀狀態(tài) unsigned char status = read_nand_status()。 // Row Address A28~A30 NFADDR = (row 16) amp。 for(i=0。 } Flash 擦除函數 nand_erase()，核心代碼如下： { // 獲得 row 地址，即頁地址 unsigned long row = block_num * NAND_BLOCK_SIZE。 中國傳媒大學南廣學院本科畢業(yè)論文 12 for(i=0。 i++)。 0xff。 = nand_read()。 (BUSY4)) )，讀 NFSTAT的 bit[4]檢查 NAND Flash 是否就緒； (4) 取消片選，實質就是 NFCONT |= (11)。 nand_send_cmd(NAND_CMD_RES)。 (二） 相關程序代碼分析 代碼中 NAND Flash 初始化函數 nand_init(),代碼如下 void nand_init(void) { //1. 配置 NAND Flash NFCONF =(TACLS12)|(TWRPH08)|(TWRPH14)|(03)|(02)|(11)|(00)。 對于 Mini210S 開發(fā)板， MiniTools 支持的裸機程序下載地址是 :0x20xx0000~0x3F5FFFFF(共 502M) ,剩下的 0x3F600000~0x3FFFFFFF 的 10M空間用來運行 Superboot， 502M 的空間足夠讓我們運行任何裸機程序了。 MiniTools 是一個燒寫下載工具，其簡要特性如下： 中國傳媒大學南廣學院本科畢業(yè)論文 7 1) 無需串口連接 : MiniTools 完全采用 USB 線傳輸數據，無需串口，連接更簡單，桌面更整潔。 VCC:器件的供電電源。 ALE:地址鎖存使能，當 ALE 為高時， I/O 口在 WE信號的上升沿將地址鎖入地址寄存器。 這兩種結構性能上的異同主要為： NOR 的讀速度比 NAND 快； NAND 的寫入速度比NOR快很多； NAND 的擦除速度遠比 NOR 快； NAND 的擦除單元更小，擦除電路也更為簡單； NAND 的實際應用方式要比 NOR 復雜的得多 ， NAND 主要應用于數碼相機、優(yōu)盤、 MP筆記本電腦中數據存儲， NOR 主要用于手機和 BIOS 芯片以及嵌入式系統(tǒng)中進 行代碼存儲 ； NOR 可以直接使用，并在上面直接運行代碼，而 NAND 需要 I/O 接口， 以串行的方式連接存儲單元，復用單元分為傳輸控制、地址和數據信號，由 I/O控制器為主機提供接口， 因而使用時需驅動程序。其接口比較簡單，若沒有專門的 NAND FLASH 控制器，可以用 IO 口與之相接。 NOR FLASH 的特點是 :程序和數據可 以 存放在同一芯片上 ,擁有獨立的數據總線和地址總線 ,能快速隨機讀取 ,允許系統(tǒng)直接從 Flash 中讀取代碼執(zhí)行而無需先將代碼下載至 RAM 中再執(zhí)行 ， 由于 NOR 技術 Flash 的擦除 以及 編程速度較慢 ,然 而塊尺寸又較大 ,因此擦除和編程操作所花費的時間很長 ,在純數據存儲和文件存儲的應用中 ,NOR技 術 相對較弱。寫性能也比傳統(tǒng)的存儲設備優(yōu)異 ,已經有公司生產出了讀寫速 ,單位密度 Flash 容量比 ROM 要大。 （三） NAND Flash 簡介 NOR 和 NAND 是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。最后，對課題的研究情況進行了總結 ,并對后續(xù)的開發(fā)進行了展望。 保密類別 編 號 本 科 畢 業(yè) 論 文 NAND FLASH 的原理分析與驅動設計 院 (系 )別 傳媒技術學院 專 業(yè) 電子信息工程 班 級 09電信 姓 名 薛 云 學 號 20xx08023 指導教師 陸啟帥 中國傳媒大學南廣學院 20xx年 4 月 9 日 I 摘 要 隨著信息技術的發(fā)展和數字產品的普及 ,嵌入式系統(tǒng)已經 成為當今計算機技術研究與應用的熱點。NAND Flash 的驅動設計部分，本文以三星公司的 K9F2G08U0A 芯片為例，對 NAND Flash的驅動使得能對 NAND Flash 讀寫擦除。文章最后對所做的工作和取得的結論進行了總結。 ,不需要磁頭尋找磁道尋址 ,Flash 擁有優(yōu)秀的隨機讀性能 ,可以從任意地址讀入 ,并且讀取速度 與地址無關。 它源于傳統(tǒng)的 EPROM 器件 ,與其它 Flash 技術相比 ,具有可靠性高 、 隨機讀 取速度快的優(yōu)勢 ,在擦除和編程操作較少而直接執(zhí)行代碼的場合 ,尤其是純代碼存儲的應用中廣泛使用 ,如移動電話 、 硬盤驅動器的控制存儲器等 ,我們的移動上網設備的固件也使用 NOR FLASH 進行存儲 。 二、 NAND FLASH 的原理 （一） 關于 NAND FLASH NAND FLASH 是一種大容量、高速的存儲技術。而 NAND的擦除速度遠比 NOR 快； NAND 結構能提供極高的單元密度，是高數據存儲密度的最佳選擇。 CLE:命令鎖存使能，當 CLE為高時， I/O 口在 WE 信號的上升沿將指令鎖入地址寄存器。當該引腳為低電平時，內部電壓器復位。 IROM 和IRAM 所處的存儲空間如表 2： 表 2 IROM 和 IRAM 的存儲空間 Address Size Description Note 0x0000_0000 0x1FFF_FFFF 512MB Boot area Mirrored region depending on the boot mode 0x20xx_0000 0x3FFF_FFFF 512MB DRAM 0 0x4000_0000 0x7FFF_FFFF 1024MB SROM Bank 0 0x8000_0000 0x87FF_FFFF 128MB SROM Bank 0 0x8800_0000 0x8FFF_FFFF 128MB SROM Bank 0 0x9000_0000 0x97FF_FFFF 128MB SROM Bank 0 0x9800_0000 0x9FFF_FFFF 128MB SROM Bank 0 0xA000_0000 0xA7FF_FFFF 128MB SROM Bank 0 0xAB00_0000 0xAFFF_FFFF 128MB SROM Bank 0 0xC000_0000 0xCFFF_FFFF 256MB MP3_SRAM output 0xD000_0000 0xD000_FFFF 64KB IROM 0xD001_0000 0xD001_FFFF 64KB Reserved 0xD002_0000 0xD003_7FFF 96KB IRAM 0xDB00_0000 0xDFFF_FFFF 512MB DMZ ROM （二） 完整的啟動序列 系統(tǒng)剛啟動時，會運行 IROM 中的固化代碼，進行一些通用的初始化，具體步驟包括： 第一步 關閉看門狗； 第二步 初始化 icache； 第三步 初始化堆棧； 第四步 設置時鐘； 第五步 判斷啟動設備 (nand/sd/onenand 等 )，檢查校驗和，然后從啟動設備中拷貝前 16K 的 代碼到 IRAM 的 0xD0020xx0 處； 第六步 若是安全模式啟動，則進行完整性檢查； 第七步 跳轉到 IRAM 的 0xD0020xx0 地址上繼續(xù)運行； （三） 使用 MiniTools 燒寫裸機程序 用裸機程序燒寫到 sd卡上，然后通過 sd啟動來運行我們的程序，這樣做缺點太多。 MiniTools 首先會把裸機程序下載到 DRAM 的地址 0x20xx0000 處，然后跳中國傳媒大學南廣學院本科畢業(yè)論文 8 轉到該地址上運行裸機程序，所以只要 PC 上一點擊“下載運行”就可以馬上看到開發(fā)板上裸機程序的運行效果了。 對于 MLC規(guī)格的 NAND FLASH芯片 ,讀操作也可能給塊中的數據帶來不確定性 ,這種干擾稱作讀操作帶來的干擾 ,為了避免這種干擾 ,我們會根據芯片說明書中建議的讀次數 ,當一個塊的讀次數達到了建議值 ,我們會將該塊的內容擦除掉再重新寫回，所以在驅動中我們也必須保留每個塊的讀次數。 第二步 配置引腳，用于 NAND Flash 相關功能； 第三步 復位 ；復位代碼如下： 中國傳媒大學南廣學院本科畢業(yè)論文 10 static void nand_reset(void) { nand_select_chip()。將命令寫到NFCMMD 寄存器； (3) 等待 NAND Flash 就緒；實質就是 while( !(NFSTAT amp。 = nand_read()。 // Column Address A0~A7 NFADDR = col amp。 i10。 0xff。 i++)。 0xff。 i++)。 // 3. 等待就緒 nand_wait_idle()。 // 2. 從 nand讀數據到 sdram，第一周期發(fā)命令 0x00，第二周期發(fā)地址 nand_addr, 第三個周期發(fā)命令 0x30，可讀一頁 (2k)的數據 while(length) { nand_send_cmd(NAND