【正文】 的運(yùn)行效果，可以令開發(fā)更加快速方便。表 1是 K9F2G08U0A 具備的指令和功能： 表 1 K9F2G08U0A 的指令和功能圖 Function 1st Cycle 2nd Cycle Acceptable Command during Busy Read for Copy Back 00h Read ID 90h Reset FFh Page Program BDh O TwoPlane Page Program B0h11h CopyBack Program B5h TwoPlane CopyBack Program B5h11h Block Erase 60h TwoPlane Block Erase 60h50h Random Data input B5h Random Data Output 05h Read Status 70h O Read EDC Status 7Bh O Read 00h 中國傳媒大學(xué)南廣學(xué)院本科畢業(yè)論文 6 三、 cortexa8 裸機(jī)開發(fā)方法 （ 一 ） 初步認(rèn)識 IROM 和 IRAM S5pv210里有一個(gè) 64k 的 IROM 和 96k 的 IRAM,系統(tǒng)啟動主要依賴于他們 。 NC:空腳。 WP:寫保護(hù)。 RE:讀使能， RE 串行數(shù)據(jù)輸出控制線。如圖 2所示： 圖 2 NAND FLASH 引腳圖 中國傳媒大學(xué)南廣學(xué)院本科畢業(yè)論文 5 I/O~I/O7:數(shù)據(jù)輸入 /輸出口， I/O 口是用來輸入指令、地址和數(shù)據(jù)、并在讀周期時(shí)輸出數(shù)據(jù)的。事實(shí)上，在每一頁中總共有 (2K+64)個(gè)字節(jié)組成，這 (2K+64)個(gè)字節(jié)由 上至下以列為單位進(jìn)行排列。 NOR 的傳輸效率很高，但寫入和讀出速度較低。使用 NAND FLASH 只需和管理單元通信，主要發(fā)送主要的命令給管理單元即可。沒有單獨(dú)的數(shù)據(jù)總線和地址總線 ,都通過控制引腳分時(shí)復(fù)用 FO 端中國傳媒大學(xué)南廣學(xué)院本科畢業(yè)論文 3 口，芯片尺寸小 ,引腳少 ,是位成本最低的固態(tài)存儲器，出廠時(shí)存在壞塊 區(qū) ,但不影響有效塊的使用 ,使用的時(shí)候需要用一定的方法來避免對壞塊的操作。 NAND 的存儲單元體積只有 NOR 的一半 ,生產(chǎn)過程要比 NOR 簡單。 （二） FLASH存儲技術(shù)分類 NOR 技術(shù) NOR 技術(shù) (亦稱為 Linear 技術(shù) )閃存存儲器是最早出現(xiàn)的閃速存儲器 。 ,不需要特殊的額外條件 ,一般 EEPROM 需要較高電壓 , UVEPROM 需要紫外線照射才能進(jìn)行擦除。 FLASH 特點(diǎn)具體如下： ,在沒有電源的條件下也能長久地保存芯片內(nèi)存放的數(shù)據(jù)。緊接著， 1989年，東芝公司發(fā)表了 NAND Flash 結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。 通過開發(fā)板上實(shí)現(xiàn)讀取 NAND Flash 的 ID 數(shù)據(jù)、讀取 NAND Flash 中數(shù)據(jù)內(nèi)容、擦出塊中的數(shù)據(jù)、在空的空間寫入指定的數(shù)據(jù)，通過串口在 windows 中的超級終端顯示讀出的數(shù)據(jù)，以及寫后再讀出操作的數(shù)據(jù)，以證實(shí)確認(rèn)對 NAND Flash 進(jìn)行了讀寫擦除等操作的執(zhí)行。想要完成對NAND Flash 的操作，必須通過 I/O 接口，用底層驅(qū)動的方法，對其進(jìn)行時(shí)序的操作，以實(shí)現(xiàn) NAND Flash 在 cortexa8 上的功能實(shí)現(xiàn)，包括功能有：讀取，擦除，寫入，壞塊的判斷和處理以及數(shù)據(jù)的校驗(yàn) 。然后研究了 NAND Flash 的基本理論，對閃存的概述，對 NAND Flash 和 NOR Flash 進(jìn)行了對比，并介紹了 NAND Flash 的使用。 NAND Flash 存儲器作為一類非易失性存儲器 ,具有功耗低 !讀寫快 !容量大 !成本低 !抗震性好等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng)。特別是隨著嵌入式技術(shù)在各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要的研究課題。 本課題主要介紹了嵌入式系統(tǒng)的研究背景以及發(fā)展?fàn)顩r，以及嵌入式 NAND Flash存儲系統(tǒng)開發(fā)課題的項(xiàng)目背景，課題意義。 關(guān)鍵詞 ： 嵌入式系統(tǒng)； NAND Flash；驅(qū)動；讀寫擦除 II ABSTRACT With the development of information technology and the popularity of digital products, embedded systems have bee the hotspot of research and application of puter technology. Especially with the the embedded technology widely used in various consumer electronics products, embedded systems, data storage and management has bee an important research topic. NAND Flash memory as a class of nonvolatile memory with low power consumption and fast read and write! Large capacity and low cost! Good shock resistance and is widely used in various embedded systems. NOR Flash and NAND Flash is currently on the market are two main nonvolatile flash memory technology, Nand technology early in the design for the purposes of data storage, NOR technology to system boot code and readonly program highspeed access. All kinds of embedded development and design, store design module design is indispensable. The main subject of the research background and development of embedded systems, and embedded NAND Flash storage systems and development issues project background, the topic significance. Then studied the basic theory of NAND Flash, an overview of flash memory, NAND Flash and NOR Flash are pared, and the use of the NAND Flash. NAND Flashdriven design part of Samsung K9F2G08U0A chip, for example, makes it possible to erase the NAND Flash read and write NAND Flash drive. Finally, a summary of the research projects, And the subsequent development prospects. Keywords: Embedded systems； NAND Flash； Drive； Read and write erase 目 錄 摘 要 .................................................................. I ABSTRACT ............................................................... II 緒 論 .................................................................. 1 （一）課題研究的意義 ................................................. 1 （二）課題的基本內(nèi)容 ................................................. 1 （三） NAND Flash 簡介 ................................................ 1 一、 FLASH 存儲設(shè)備介紹 .................................................. 1 （一） FLASH 存儲器概述 ............................................... 1 （二） FLASH 存儲技術(shù)分類 ............................................. 2 二、 NAND FLASH 的原理 ................................................... 3 (一 ) 關(guān)于 NAND FLASH ................................................. 3 （二） NAND FLASH 與 NOR FLASH 比較 .................................... 3 （三）芯片內(nèi)部存儲布局及存儲操作特點(diǎn) ................................. 3 （四） NAND FLASH 引腳功能及指令集 .................................... 4 （一） NAND FLASH 引腳功能 ......................................... 4 （二） NAND FLASH 指令集 ........................................... 5 三、 cortexa8 裸機(jī)開發(fā)方法 ............................................... 6 （一）初步認(rèn)識 IROM 和 IRAM ........................................... 6 （二）完整的啟動序列 ................................................. 6 （三）使用 MiniTools 燒寫裸機(jī)程序 ..................................... 6 四、 NAND FLASH 驅(qū)動的具體的實(shí)現(xiàn) .......................................... 8 （一） NAND FLASH 壞塊的處理 ...............