【摘要】現(xiàn)代集成電路制造工藝原理山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院王曉鯤第十一章淀積?膜淀積?化學(xué)氣相淀積?CVD淀積系統(tǒng)?介質(zhì)及其性能?旋涂絕緣介質(zhì)?外延薄膜和薄膜淀積?薄膜,指一種在襯底上生長(zhǎng)的薄固體物質(zhì)。?薄膜淀積,是指任何在硅片襯底上物理淀積一層膜的工藝。這層膜可
2025-02-07 11:09
【摘要】1集成電路工藝信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)2?參考書:?.Chang,.Sze,“ULSITechnology”?王陽(yáng)元等,“集成電路工藝原理”?M.Quirk,J.Serda,“半導(dǎo)體制造技術(shù)”?成績(jī)計(jì)算:?平時(shí)成績(jī)(出勤、作業(yè)、小測(cè)驗(yàn))20%+期終考試
2025-12-30 13:07
【摘要】第二章制造工藝本章分為四部分:紫外線光掩模版光刻膠可進(jìn)行摻雜,離子注入,擴(kuò)散等工藝n版圖是集成電路從設(shè)計(jì)走向制造的橋梁,它包含了集成電路尺寸、各層拓?fù)涠x等器件相關(guān)的物理信息數(shù)據(jù)。n版圖(Layout)集成電路制造廠家根據(jù)這些數(shù)據(jù)來(lái)制造掩膜。掩模版的作用n掩膜上的圖形決定著芯片上器件或連接物理層的尺寸
2026-01-14 10:42
【摘要】2023/1/281第3章IC制造工藝外延生長(zhǎng)掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝?關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性能的影響,讀懂PDK,挖掘工藝潛力。2023/1/282外延生長(zhǎng)(Epitaxy)外延生長(zhǎng)的目的n半導(dǎo)體工藝流程中的基
2025-12-30 12:24
【摘要】?????5.集成電路的發(fā)展對(duì)硅片的要求1半導(dǎo)體材料?目前用于制造半導(dǎo)體器件的材料有:元素半導(dǎo)體(SiGe)化合物半導(dǎo)體(GaAs)?本征半導(dǎo)體:不含任何雜質(zhì)的純凈半導(dǎo)體,其純度在%(8~10個(gè)9)。
2025-12-30 13:39
【摘要】第一章硅的晶體結(jié)構(gòu)與單晶生長(zhǎng)電子科技大學(xué)中山學(xué)院第一章硅的晶體結(jié)構(gòu)與單晶生長(zhǎng)第一章硅的晶體結(jié)構(gòu)與單晶生長(zhǎng)電子科技大學(xué)中山學(xué)院第一章硅的晶體結(jié)構(gòu)與單晶生長(zhǎng)第一章硅的晶體結(jié)構(gòu)與單晶生長(zhǎng)電子科技大學(xué)中山學(xué)院第一章硅的晶體結(jié)構(gòu)與單晶生長(zhǎng)第一章硅的晶體結(jié)構(gòu)與單晶生長(zhǎng)電子科技大學(xué)中山學(xué)院v硅晶體結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)v
2025-12-30 12:22
【摘要】 第1頁(yè)共2頁(yè) 集成電路企業(yè)座談會(huì)簡(jiǎn)訊 凝心聚力,再創(chuàng)佳績(jī)——蠡開(kāi)舉辦2024集成電路企業(yè)聯(lián)誼 座談會(huì) 3月23日,蠡園開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)舉辦了2024年集成電路企業(yè) 聯(lián)誼座談會(huì),就如何加快蠡園...
2025-08-10 12:47
【摘要】1ConfidentialCopyright?2023.AlphaNetworksInc.Allrightsreserved.12Confidential集成電路(Integratedcircuit),就是我們常說(shuō)的IC或者芯片。在介紹集成電路的製造工藝之前,讓我們先了解一下硅片。硅片是一種單晶
2025-02-18 22:15
【摘要】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個(gè)層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級(jí)別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-07-23 00:26
【摘要】第四章集成電路制造工藝芯片制造過(guò)程?圖形轉(zhuǎn)換:將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。?摻雜:根據(jù)設(shè)計(jì)的需要,將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上,形成晶體管、接觸等。?制膜:制作各種材料的薄膜。基本步驟:硅片準(zhǔn)備、外延、氧化、摻雜、淀積、刻蝕、光刻硅片準(zhǔn)備光刻(Lithography)圖形轉(zhuǎn)移
2025-03-01 12:22
【摘要】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴(kuò)散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對(duì)各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-12-28 18:45
【摘要】第三章CMOS集成電路工藝流程白雪飛中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系?多晶硅柵CMOS工藝流程?可用器件?工藝擴(kuò)展提綱2多晶硅柵CMOS工藝流程?初始材料–重?fù)诫sP型(100)襯底硅,P+–減小襯底電阻,提高抗CMOS閂鎖效應(yīng)能力?外延生長(zhǎng)–在襯底
2025-02-09 20:36
【摘要】集成電路制造工藝集成電路制造工藝北京大學(xué)北京大學(xué)e集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過(guò)程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過(guò)程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過(guò)程框架From吉利久教授是功能要求行為設(shè)
2025-12-30 12:25
【摘要】集成電路Contentsv集成電路的定義v集成電路的分類v集成電路的工藝微電子技術(shù)課程ppt微電子技術(shù)課程ppt集成電路定義v集成電路(integrated?circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連
2025-12-30 13:38