氣體放電的基本物理過程-預(yù)覽頁
【正文】 貫通兩極細亮放電通道，完全擊穿； 氣體放電的主要形式 電介質(zhì)：不導電或?qū)щ娐蕵O小的物質(zhì)。 放電：氣體電介質(zhì)的擊穿現(xiàn)象。 氣體 電離能 激勵能 N2 O2 CO2 SF6 H2O 若混合氣體中甲氣體的亞穩(wěn)激勵態(tài)能高于乙氣體的電離能，則會出現(xiàn) 潘寧效應(yīng) ，可使混合氣體的擊穿強度低于這兩種氣體各自的擊穿強度。 SF6氣體含 F，其分子俘獲電子的能力很強，屬強電負性氣體，因而具有很高的電氣強度。 帶電質(zhì)點復合時會以光輻射的形式將電離時獲得的能量釋放出來，這種光輻射在一定條件下能導致間隙中其他中性原子或分子的電離 。電離主要發(fā)生在強電場、高能量區(qū)；復合主要發(fā)生在低電場、低能量區(qū)。 OA段線性， AB段飽和，良好絕緣狀態(tài)，電流很小。 自持放電起始電壓 非自持、自持放電， α、 β 、 γ 過程 ? 非自持放電：電壓小于 U0時，取消外電離因素，間隙電流消失。 ? 電子碰撞電離系數(shù) α：一個電子由陰極到陽極行程中，每１cm路程與氣體質(zhì)點發(fā)生碰撞電離平均次數(shù)。 0 e xnn ??γ 過程與自持放電條件 ? 一個電子從陰極到陽極因電子崩形成正離子數(shù)為 ead1， 正離子撞擊陰極形成二次自由電子數(shù)為 γ(ead1) ，若它等于 1，意味著陰極產(chǎn)生原電子的一個后繼電子替身，使放電得以自持。 ? 放電時間：低氣壓下湯遜理論的計算值與實驗符合，高氣壓下計算值遠大于實測值。 電子崩中電荷密度很大，所以復合過程頻繁，放射出的光子在崩頭或崩尾強電場區(qū)很容易引起光電離。另外，電子崩中電荷密度非常大，弱場區(qū)復合過程頻繁，放射出的光子重新引起光電離。 高電壓工程基礎(chǔ) （ 2）流注自持放電條件（即形成流注的條件） e1d?? ? 1lnd? ?? 1l n 2 0d? ???對于空氣間隙：湯遜放電理論與流注放電理論的比較： 流注理論可以解釋湯遜理論無法說明的 pd值大時的放電現(xiàn)象。 cc2ln hU E rr?高度為h 的單根導線：cc 2 l ndd U E rr?距離為 的兩根平行線：高電壓工程基礎(chǔ) （ 2）電暈放電的危害與對策 危害： 功率損耗、電磁干擾、噪聲污染 對策 ：（ 限制導線的表面場強 ） 采用分裂導線
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1